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SK Hynix 表示未确认关于报道的英特尔美国内存谈判的计划

SK hynix 在官方新闻稿中表示,于2026年9月16日称,关于与英特尔就美国制造内存芯片的报道性谈判,尚未确认或敲定任何计划,并对当天发布的、描述两种潜在交易情景的报道作出回应。
该声明针对一篇于2026年9月16日发布的报告,标题为《消息人士称,SK Hynix 正在与英特尔就首次在美国制造内存芯片的交易进行谈判》。根据 SK hynix 的声明,报告称公司正与英特尔就美国制造内存芯片的交易进行谈判,并提到一种潜在情景,即 SK hynix 可能租赁英特尔在俄亥俄州长期规划的半导体制造设施的一部分。报告中提及的第二种情景是可能成立由 SK hynix、英特尔以及主要云公司共同参与的合资企业。
公司表示:“SK hynix 正在探索多种方案以提升全球竞争力,但目前尚未敲定任何具体计划或安排”。公司补充称,针对文章中提到的两种情景尚未作出任何决定,并澄清关于报告中提及的任何特定公司合作或在美国的内存芯片生产均未有最终确定的事项。
SK Hynix 在美国的现有制造布局
SK hynix 已在印第安纳州建设其首个美国生产基地。2024年4月3日,公司宣布了约38.7亿美元的投资,在印第安纳州西拉斐特建设用于人工智能产品的先进封装制造与研发设施,该项目被描述为美国首个此类项目,并称将为当地带来超过一千个新岗位。该设施计划大规模生产下一代高带宽存储(HBM),这是一种通过垂直互连多个 DRAM 芯片的高性能存储,目标在2028年下半年实现量产。SK hynix 还承诺与 Purdue University 在先进封装和异构集成方面开展研究合作,与 Purdue 及 Ivy Tech Community College 开展劳动力培训项目,并开展面向生成式 AI 时代的以存储为中心的架构项目。
公司于2026年8月27日在 Purdue University 的 Holloway 体育馆举行了印第安纳工厂的奠基仪式。约133英亩的西拉斐特场地将容纳 HBM 生产线和先进封装研发测试平台,SK hynix 计划从2029年下半年起向美国客户供应已在现场完成封装和测试的下一代 HBM。出席人员包括印第安纳州州长 Mike Braun、参议员 Todd Young、Purdue University 校长 Mitch Daniels、West Lafayette 市长 Erin Easter,以及 SK hynix CEO Kwak Noh-Jung,现场还签署了 SK hynix 与 Purdue 之间关于先进封装研发的谅解备忘录。Kwak 表示,SK hynix 打算将该设施设为其在美国的首个 HBM 生产基地,提供”Made in USA”的 HBM,确保向美国客户稳定供应下一代存储。
韩国产能扩张
2026年8月7日,SK hynix 宣布董事会批准约54万亿韩元的投资,用于两座新的韩国晶圆厂:为 Yongon Y2 晶圆厂投入 35.2 万亿韩元,该 DRAM 生产基地计划在2029年6月实现首个洁净室,以生产 HBM 和其他下一代 DRAM 产品;为 Cheongju M17 NAND 晶圆厂投入 19.1 万亿韩元,目标在2028年12月实现首个洁净室。上述投资属于公司总体规划的一部分,即 Yongon 半导体集群的 600 万亿韩元以及 Cheongju 生产基地的 100 万亿韩元,且首座 Yongon 晶圆厂 Y1 的建设正朝着计划于2027年2月开启首个洁净室的目标推进。公司引用市场研究公司 Omdia 的预测,指出 2025 至 2030 年间 DRAM 与 NAND 的需求将保持 19% 的复合年增长率,并将存储描述为决定 AI 性能的核心基础设施。
此前的英特尔交易及俄亥俄工厂
2020年10月20日,SK hynix 与英特尔 宣布已签署协议,根据该协议,SK hynix 将以 90 亿美元收购英特尔的 NAND 存储和存储业务,包括 NAND SSD 业务、NAND 组件和晶圆业务,以及位于中国大连的 NAND 存储制造设施。按照分阶段的结构,SK hynix 将在首次交割时支付 70 亿美元,涵盖 NAND SSD 业务和大连设施,剩余的 20 亿美元将在预计于2025年3月的最终交割时支付,英特尔则保留其 Optane 业务。
俄亥俄州设施指的是报道情境中提到的英特尔长期规划的制造园区。英特尔于2022年1月21日宣布该项目,初始投资超过 $28 billion,计划在利金县建设两个领先工艺的芯片工厂,园区面积近1,000英亩。英特尔将该项目描述为俄亥俄州历史上单一私营部门最大投资,并预计初期阶段将创造3,000个英特尔岗位和7,000个建筑岗位,公司还承诺额外 $100 million 用于与教育机构合作,建设地区人才渠道。项目于2022年9月动工,至2024年9月竖立起结构,并于2024年11月26日,英特尔与拜登‑哈里斯政府根据美国 CHIPS 法案敲定了 $7.86 billion 的资助奖励。












