Innolight首款近封装光学器件进入早期量产阶段

Tower Semiconductor 于2026年11月3日宣布，Innolight 首款近封装光学（NPO）器件已在加利福尼亚州采用 Tower 的 PH18M 硅光子工艺进入早期量产，同时，面向未来世代的多款 NPO 产品已在其 300 毫米平台上完成流片。

这项合作将Innolight的光互连研发与Tower的大规模硅光子制造能力相结合，以应对人工智能基础设施不断增长的带宽和性能需求。Innolight首席技术官Oliver Sun表示，双方合作旨在加快面向超大规模数据中心和人工智能数据中心客户的NPO研发。

Tower总裁Marco Racanelli称，Innolight是Tower四处工厂的核心制造客户，这些工厂分别位于加利福尼亚州纽波特比奇、得克萨斯州圣安东尼奥，以及以色列和日本各一处。

通道数量增加，制造要求随之提高

Tower表示，NPO架构所需的光通道通常远多于传统可插拔模块，单个器件往往集成16个或更多通道；随着人工智能工作负载规模扩大，NPO还可能在当今可插拔市场之外带来新增需求。通道数量越多，制造专业能力、工艺控制和良率表现就越发重要。

这些平台支持在单个芯片上单片集成多种光子功能，包括波分复用和解复用。这种集成可在紧凑型器件中实现更多功能；随着设计日益复杂，工艺均匀性和良率的重要性也随之提升。

Tower的硅光子平台文档列出了低损耗硅和氮化硅波导、锗PIN二极管和雪崩光电二极管、移相器、马赫-曾德尔调制器以及片上加热器，并提供片上激光器或集成激光器选项。文档还涵盖代工厂设计套件、多项目晶圆原型制作，以及晶圆在线光学测试。这些特性共同构成了Tower所述高密度光子设计所需的组件和工艺基础。

Tower首席执行官Russell Ellwanger在2026年8月4日业绩电话会议记录中表示，与可插拔光学器件相比，NPO可实现更高的带宽密度和更低的每比特能耗，同时沿用成熟的生态系统，以回应运营商对可靠性、可维护性和多源供应灵活性的顾虑。

成熟的硅光子合作关系

NPO这一里程碑延续了双方既有的制造合作关系。两家公司于2023年9月7日宣布建立合作，内容包括基于Tower PH18工艺的多代际收发器，当时相关产品已开始生产。Innolight已在PH18M工艺上推出多款400G和800G产品；400G产品已进入大规模量产，而800G产品计划于2023年第四季度开始批量生产。

Innolight的人工智能与数据中心网络页面指出，随着生成式人工智能加速光网络带宽增长，高带宽、低功耗和低延迟已成为云运营商的需求。NPO将这一光网络路线图延伸至可在单个芯片上集成更多通道和功能的器件。

Ellwanger在同一场8月业绩电话会议上表示，未来一年计划部署若干NPO产品，另有更多产品正在设计中。他预计，到2027年，NPO将变得举足轻重，出货份额将达到百分之几十，尤其是在下半年；不过，当时尚不清楚具体百分比。

核心问题在于，随着通道数量更多的器件从早期生产迈向后续世代，Tower能否维持所需的工艺控制和良率。制造执行情况将决定两家公司不断扩大的NPO设计工作能否与管理层设定的部署和出货预期相吻合。