Semtech在Tower获得专属SiGe产能，助力AI互连

Tower Semiconductor与Semtech Corporation于2026年10月13日宣布达成一项期限多年的扩展协议。根据协议，Semtech将投资 확보Tower的专属硅锗（SiGe）产能。此举建立在双方20年的合作基础之上，旨在支持AI数据中心基础设施所需的光互连和铜互连。

这份联合公告的发稿地为以色列米格达勒哈埃梅克和加利福尼亚州卡马里奥。公告将产能投资与双方所称的强劲设计定点成果，以及AI数据中心光互连组件的需求联系起来。Tower是一家为高价值模拟半导体解决方案提供代工服务的企业，而Semtech则为AI数据中心网络和互联物联网设备供应高性能半导体。

三个地区的专属产能

此次保障的产能分布在Tower位于美国、以色列和日本的晶圆厂。双方表示，这一布局增强了Semtech制造战略的供应韧性，并实现了地域多元化。公告称，该协议以当前生产为基础，为Semtech提供额外的供应保障；随着客户项目和终端市场范围不断扩大，市场对其SiGe产品的需求预计也将增长。

公告中的前瞻性陈述提醒，实际结果可能与预测不同。所列因素包括：Tower能否按预期时间表在其晶圆厂安装设备并扩大SiGe制造产能；Semtech的SiGe产品需求是否会如预期发展，或Semtech是否会充分利用其预留产能；以及设计定点能否按预期水平或时间转化为生产订单或收入。陈述还提及AI数据中心投资的进度、下一代互连速率的采用速度，以及Semtech依赖Tower制造其SiGe产品所带来的风险；这类制造集中在数量有限的设施中，其中包括位于以色列的设施。

SiGe产品组合与速率路线图

公告指出，电力正成为AI发展的下一个瓶颈，而且越来越多的电力被用于传输数据，而非执行计算。双方表示，随着AI集群扩展至更多机架、机架列和园区，单位比特数据传输的能耗日益决定每个加速器能够完成多少有效工作。速率路线图上的每一步——从800G到1.6T，再到3.2T——都会提高对带宽、传输距离和单位比特功耗的要求，因此负责驱动和接收信号的高速模拟前端也变得愈发重要。

Semtech的信号完整性产品组合建立在Tower的SiGe工艺技术之上，涵盖跨阻放大器（TIA）、调制器和激光器驱动器，以及线性均衡器。该产品组合适用于全再定时光学器件（FRO）、线性可插拔光学器件（LPO）、线性接收光学器件（LRO）、近封装光学器件（NPO）、超高密度可插拔光学器件（XPO）、PCB上的线性均衡器，以及有源铜缆（ACC）。Semtech表示，公司认为这些产品使其能够满足机架内铜链路和数据中心内光链路的需求，而行业正迈向下一代架构。

2026年8月25日，Semtech推出了一系列224G线性TIA和驱动器解决方案，专为AI和机器学习集群及超大规模数据中心中的NPO和共封装光学器件（CPO）架构设计，包括GN1838L和GN42T380（Semtech称其为业界首款线性八通道TIA），以及针对1.6T、3.2T、6.4T和12.8T光引擎优化的GN42M380线性八通道马赫-曾德尔调制器驱动器。GN1838L的通道间距为500µm，GN42T380的通道间距为375µm；两者均配备自动增益控制级和可编程连续时间线性均衡功能。GN42M380的通道间距为375µm，支持硅光子、磷化铟马赫-曾德尔调制器和薄膜铌酸锂调制器。

2026年9月21日，Semtech宣布加入超高密度可插拔光学多源协议（XPO MSA）。这项行业倡议旨在定义一种面向AI基础设施的12.8T高密度光收发器外形规格。根据该协议，当前一代模块可在集成液冷的情况下实现12.8T总速率和每通道200G的传输速率；未来一代产品则规划采用每通道400G的电接口。

Semtech表示，其每通道200G调制器驱动器和TIA产品组合旨在支持XPO收发器的开发和大规模部署。该组合包括通道间距为750µm、500µm和375µm的四通道及八通道TIA，以及通道间距为625µm和375µm的马赫-曾德尔调制器驱动器。同一份公告中，Cignal AI光学组件首席分析师Scott Wilkinson预测，数据通信光学器件的需求将从2024年的90亿美元增至2026年预计的370亿美元。

ECOC奖项与高管声明

在2026年9月21日至23日于西班牙马拉加举行的2026年欧洲光通信会议（ECOC）上，Semtech凭借基于Tower的SiGe技术打造、用于线性可插拔光器件的224 Gbps/通道TIA系列，荣获光学组件创新（芯片/晶圆）奖。两家公司表示，双方将继续在产能和联合技术路线图方面密切合作；该路线图旨在确保产品在多代AI数据中心互连领域保持领先。

Semtech总裁兼首席执行官Hong Hou表示，Semtech的客户正在迅速、大规模地提升互连带宽需求，而满足这一需求需要长期产能规划以及坚定投入的制造合作伙伴。Hou称，这项协议“确保了我们在三个地区获得专属SiGe产能，以推动铜互连和光互连的发展，从当今的800G和1.6T迈向3.2T及更高水平”。

Tower Semiconductor首席执行官Russell Ellwanger表示，两家公司正在推动平台级解决方案，在当前一代、下一代和N+2技术中实现他所称的业内一流性能指标，而且这些解决方案的认证进度远早于市场需求。他表示，这一合作关系正确保双方在光收发器连接领域已经领先的市场份额持续扩大。