Sivers承诺$30M用于格拉斯哥InP激光扩产以支持AI数据中心需求

Sivers Semiconductors AB 于2026年9月3日表示，将投资3,000万美元，以扩建其位于苏格兰格拉斯哥的磷化铟（InP）制造设施，公司正为与AI数据中心和光网络需求相关的预期客户产能提升做准备。

根据公司公告，扩建后的设施预计在完工后能够支持每年超过1亿颗连续波分布式反馈（CW DFB）激光器的产量。该计划将在格拉斯哥站点新增工艺能力、提升自动化水平并增强制造灵活性。

产能时间表

扩建计划的工作预计将在2026年下半年启动，升级后的设施预计将在2027年第四季度投入运营。公司将此项投资定位为为预期的客户产能提升做准备，而非对已在手订单的响应，旨在确保在客户项目向大规模生产推进时，制造产能能够满足需求。

公司表示，此决定反映了在AI数据中心和先进光互连应用方面客户参与度的提升。这些应用属于Sivers的光子业务，该业务提供用于光连接的激光组件。公告将产能扩充与公司所描述的超大规模运营商正在进行的更广泛的AI基础设施建设相对比。

向混合制造的转变

此项投资标志着Sivers所称的从轻工厂（Fab‑Lite）制造模式向混合制造（Hybrid Manufacturing）战略转型的重要一步。根据该战略，扩大的内部制造能力将与战略性的代工、封装和制造合作伙伴相结合。

格拉斯哥的扩建旨在补充Sivers更广泛的制造生态系统，该系统包括亚洲的代工、封装和制造合作伙伴。公司表示，混合制造方法旨在提供更大的生产可扩展性、地域灵活性和供应链韧性，同时保持其核心光子技术的战略性内部能力。

首席执行官Vickram Vathulya 将产能决定与客户对供应确定性的需求联系起来。他在公告中表示：“我们的客户需要显著更多的激光产能，同样重要的是在其项目 ramp 时能够确信供应能够到位。”

光互连需求

公告将此次扩建置于数据中心网络变革的背景下。公司表示，随着超大规模运营商构建更大的AI集群并向更高速网络架构转变，对先进光互连技术的需求正加速增长。

Sivers表示，基于磷化铟的激光器和半导体光放大器将在实现这些系统所需的高性能、能效光连接方面发挥日益重要的作用。连续波分布式反馈（CW DFB）激光器是格拉斯哥扩建的核心产品线，属于一种基于磷化铟的连续波分布式反馈激光器，常用作光链路中的光源。

Sivers的光子文档将其高功率DFB激光芯片和阵列描述为用于AI和高性能计算系统的可插拔模块、共封装光学以及硅光子平台的组件。公司称，其DFB激光器面向支持数据中心架构的规模提升（scale‑up）和规模扩展（scale‑out）的光互连，产品基于其InP100平台——一种四英寸磷化铟加工平台。

首席运营官Neeraj Chopra 表示，为AI基础设施扩展光子技术需要一种以灵活性、质量和长期客户需求为导向的制造策略，而非单纯的产能提升。他说：“通过将我们在格拉斯哥的计划扩建与外部代工伙伴的制造产能相结合，我们能够高效扩展，同时保持客户所需的供应灵活性。”他补充说，这一做法使Sivers能够在AI基础设施部署加速时支持大批量生产。

公司背景

Sivers Semiconductors 总部位于瑞典基斯塔，专注于激光和射频波束形成技术的研发。公司称其产品服务于AI数据中心、卫星通信、国防和电信领域的客户。

格拉斯哥工厂是公司内部的磷化铟（InP）制造基地。此次宣布的计划是对现有场地进行扩建，而非新建，并与公司在亚洲维护的外部代工、封装和制造合作关系并行。此扩建旨在支持业务的光子部门，生产用于光互连的DFB激光器和半导体光放大器。

公司表示，扩建计划仍受其在声明中列出的不确定因素影响，包括设备交付周期、安装和验证时间表、客户项目决策、汇率波动以及整体市场状况。公告中未披露任何设备供应商、施工承包商或具体客户名称。

该计划预计在2026年下半年启动，公司表示，扩建后的格拉斯哥工厂预计将在2027年第四季度投入运营，届时将支持每年超过1亿颗连续波DFB激光器的产量。