Applied Materials นำ Besi เข้าสู่ EPIC Center ในฐานะพันธมิตรนวัตกรรม

Applied Materials และ BE Semiconductor Industries (Besi) ประกาศการขยายความร่วมมือเชิงกลยุทธ์ที่ยาวนานของพวกเขา เมื่อ 1 ตุลาคม 2026 โดยที่ Besi เข้าร่วม EPIC Center ของ Applied ใน Silicon Valley ในฐานะพันธมิตรนวัตกรรมและขยายโปรแกรมการพัฒนาร่วมที่บริษัททั้งสองได้เปิดตัวในปี 2020.

การขยายความร่วมมือนี้เพิ่มขอบเขตการร่วมนวัตกรรมของบริษัททั้งสองเหนือการเชื่อมต่อแบบไฮบริดบอนดิ้ง ไปสู่สถาปัตยกรรมการเชื่อมต่อใหม่และแอปพลิเคชันที่สนับสนุนแผนการขยายขนาดของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ที่ขับเคลื่อนด้วย AI ตามการประกาศร่วมกัน ด้วยการสร้างโครงสร้างพื้นฐาน AI ที่เพิ่มความต้องการสำหรับการเชื่อมต่อ chip‑to‑chip และ chip‑to‑package ที่มีความหนาแน่นและแบนด์วิดท์สูงขึ้น บริษัทต่างกล่าวว่าการขยายความร่วมมือนี้มีเป้าหมายเพื่อให้ลูกค้าร่วมเข้าถึงโซลูชันกระบวนการและการประกอบที่ร่วมปรับแต่งได้เร็วขึ้น ครอบคลุมกระบวนการบรรจุขั้นสูงทั้งหมด ตั้งแต่การไฮบริดบอนดิ้งระดับแวเฟอร์จนถึงการบูรณาการระดับแผง.

ศูนย์ความเป็นเลิศในสิงคโปร์และระบบ Kinex

ในปี 2020, Applied และ Besi ได้จัดตั้งศูนย์ความเป็นเลิศร่วมที่ศูนย์พัฒนาแพคเกจขั้นสูงของ Applied ในสิงคโปร์ ศูนย์นี้ผสานความเชี่ยวชาญด้านกระบวนการของ Applied เช่น การกัด, การทำแผ่นราบ, การเคลือบ, การทำความสะอาดแวเฟอร์, การวัดเมตริก, การตรวจสอบและการควบคุมข้อบกพร่องของอนุภาค กับเทคโนโลยีการวางได, การเชื่อมต่อและการประกอบของ Besi บริษัทต่างกล่าวว่าการร่วมมือครั้งนี้ส่งผลให้เกิด Kinex ซึ่งพวกเขาอธิบายว่าเป็นระบบไฮบริดบอนดิ้งแบบได‑to‑wafer ที่บูรณาการแรกของอุตสาหกรรม

Richard Blickman, CEO และประธานคณะกรรมการบริหารของ Besi, กล่าวว่า ศูนย์ความเป็นเลิศในสิงคโปร์เป็นพื้นฐานสำคัญสำหรับแผนงานไฮบริดบอนดิ้งของ Besi เขาอธิบายว่าการเข้าร่วม EPIC Center เป็นขั้นตอนต่อไปที่เป็นธรรมชาติ ซึ่งให้ Besi มีตำแหน่งเคียงข้างบริษัทชั้นนำด้านลอจิก, หน่วยความจำและระบบ ในขณะที่บริษัทก้าวหน้าในด้านการขยายขนาด TCB, การบูรณาการ die‑on‑panel และเทคโนโลยีการเชื่อมต่อที่กำหนดระบบ AI และโฟโตนิกส์รุ่นต่อไป

ขอบเขตการวิจัยและพัฒนาที่ขยายออก

Gary Dickerson, ประธานและ CEO ของ Applied Materials, กล่าวว่า Besi เป็นพันธมิตรที่เชื่อถือได้ตั้งแต่บริษัทเริ่มร่วมพัฒนาโซลูชันไฮบริดบอนดิ้งรุ่นต่อไป “ด้วยการที่ Besi เข้าร่วม EPIC ในฐานะพันธมิตรนวัตกรรม เรากำลังขยายความร่วมมือนี้ไปยังเทคโนโลยีการเชื่อมต่อที่ลูกค้าต้องการเพื่อขยายระบบ AI” เขากล่าวเพิ่มเติมว่า การนำงานเข้าสู่ EPIC Center ทำให้ทั้งสองบริษัทมองเห็นทิศทางของแผนงานได้เร็วขึ้นและช่วยให้พวกเขาปรับแต่งกระบวนการบรรจุทั้งหมดให้สอดคล้องกัน

ภายใต้ข้อตกลงพันธมิตรนวัตกรรม วิศวกรของ Besi จะทำงานร่วมกับทีมของ Applied ที่ EPIC Center ในการพัฒนาร่วมที่ครอบคลุมช่วงกว้างของเทคโนโลยีการเชื่อมต่อและการบูรณาการ ความร่วมมือที่ขยายนี้จะมุ่งเน้นไปที่การขยายขนาด 3D IC รุ่นต่อไปและการบูรณาการลอจิกและหน่วยความจำสำหรับสถาปัตยกรรมการคำนวณและหน่วยความจำ AI บริษัทต่างคาดว่าโปรแกรม R&D จะรวมแพลตฟอร์มใหม่สำหรับไฮบริดบอนดิ้งแบบได‑to‑wafer ที่ต่อยอดจากศูนย์ความเป็นเลิศในสิงคโปร์ การขยายขนาดของการบอนดิ้งแบบ thermo‑compression (TCB) และระบบกระบวนการที่เกี่ยวข้อง แพลตฟอร์มการบูรณาการใหม่เช่น die‑on‑wafer, die‑on‑die และ die‑on‑panel รวมถึงแอปพลิเคชันการเชื่อมต่อที่ใช้โฟโตนิกส์เพื่อสนับสนุนการบรรจุออปติกร่วมและการขยายระบบ AI

“การแพ็คเกจขั้นสูงไม่ใช่ขั้นตอนการประกอบด้านหลังอีกต่อไป – แต่เป็นความท้าทายด้านวิศวกรรมวัสดุที่ต้องการความแม่นยำและความสะอาดเทียบเท่ากับการผลิตแวเฟอร์ด้านหน้า” ดร. Prabu Raja, ประธานกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ Applied Materials กล่าว Raja กล่าวว่า การพัฒนาเทคโนโลยีร่วมกับวิศวกรของ Besi ในสภาพแวดล้อมการวิจัยและพัฒนาด้านหน้า เช่น EPIC Center ทำให้บริษัทสามารถมองงานเป็นกระบวนการเชื่อมต่อเดียวแทนขั้นตอนแยกจากกัน ให้ลูกค้าร่วมเข้าถึงโซลูชันที่ร่วมปรับแต่งได้เร็วขึ้นและเส้นทางที่เร็วกว่าในการเปลี่ยนจากการพัฒนาไปสู่การผลิตในปริมาณมาก

ศูนย์ EPIC ใน Silicon Valley

Applied อธิบายว่า EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center ใหม่ของบริษัทเป็นการลงทุนมูลค่า 5 พันล้านดอลลาร์และเป็นการลงทุนจากสหรัฐฯ ที่ใหญ่ที่สุดในอุปกรณ์และเทคโนโลยีกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง การอ้างอิงในประกาศระบุว่าการใช้จ่ายเงินทุนคาดว่าจะเพิ่มขึ้นตามเวลาเป็นประมาณ 5 พันล้านดอลลาร์เมื่อโครงการของลูกค้าเริ่มต้น บริษัทกล่าวว่าศูนย์นี้ออกแบบมาเพื่อให้ลดระยะเวลาที่จำเป็นในการทำการค้าเทคโนโลยีที่ก้าวล้ำจากการวิจัยระยะเริ่มต้นจนถึงการผลิตเต็มรูปแบบอย่างมาก

Applied ประกาศการลงทุนในศูนย์ EPIC ครั้งแรกเมื่อ 22 พฤษภาคม 2023, โดยอธิบายว่าเป็นความมุ่งมั่นสำคัญในการสร้างสถานที่ที่ใหญ่ที่สุดและทันสมัยที่สุดในโลกสำหรับเทคโนโลยีกระบวนการเซมิคอนดักเตอร์แบบร่วมมือและอุปกรณ์การผลิต R&D ที่วิทยาเขต Silicon Valley ของบริษัท ตามหน้า EPIC ของบริษัท ศูนย์นี้ออกแบบเป็นเครือข่ายพื้นฐานที่เชื่อมต่อผู้ผลิตชิป, ผู้ผลิตอุปกรณ์, มหาวิทยาลัยและสถาบันวิจัย เพื่อสนับสนุนการพัฒนาขนาน การส่งมอบที่คล่องตัว และการเข้าถึงกระบวนการรุ่นต่อไปล่วงหน้าในระบบนิเวศทั้งหมด แทนวงจรการพัฒนาที่เป็นลำดับและแยกส่วน หน้าเว็บระบุว่าตึกสามชั้นของสถานที่นี้จัดให้ห้องคลีนรูมอยู่บนสุด, อุปกรณ์ subfab ที่ใช้เครื่องมือเหล่านั้นอยู่ตรงกลาง และระบบสนับสนุนอาคารอยู่ด้านล่าง และศูนย์นี้อยู่ในเส้นทางที่จะเริ่มดำเนินการในปี 2026