Партнерства

Applied Materials залучає Besi до EPIC Center як інноваційного партнера

mm
Додайте Unite.AI до бажаних джерел у Google

Applied Materials та BE Semiconductor Industries (Besi) оголосили про розширення їхньої довготривалої стратегічної співпраці 1 жовтня 2026 року, при цьому Besi приєдналася до EPIC Center компанії Applied у Кремнієвій долині як інноваційний партнер і розширила спільну програму розробки, запущену компаніями у 2020 році.

За даними спільного оголошення, розширення розширює спільну інноваційну діяльність компаній за межі гібридного з’єднання, охоплюючи нові архітектури з’єднань та застосування, що підтримують дорожню карту масштабування індустрії напівпровідників, орієнтовану на ШІ. Оскільки розбудова інфраструктури ШІ створює попит на з’єднання chip-to-chip та chip-to-package з більш високою щільністю та пропускною здатністю, компанії зазначили, що розширене партнерство має на меті надати взаємним клієнтам ранній доступ до спільно оптимізованих процесів і рішень з монтажу, що охоплюють весь ланцюжок передових пакувань — від гібридного з’єднання на рівні пластини до інтеграції у масштабі панелі.

Центр передового досвіду в Сінгапурі та система Kinex

У 2020 році Applied та Besi створили спільний Центр передового досвіду в Advanced Packaging Development Center компанії Applied у Сінгапурі. Центр об’єднав експертизу Applied у процесах травлення, планаризації, осадження, очищення пластин, метрології, інспекції та контролю часткових дефектів з технологією розміщення чипів, з’єднань та монтажу Besi. Компанії стверджують, що співпраця призвела до створення Kinex, який вони описують як першу в галузі інтегровану систему гібридного з’єднання die-to-wafer.

Річард Блікман, генеральний директор та голова правління Besi, заявив, що центр передового досвіду в Сінгапурі став фундаментальним для дорожньої карти гібридного з’єднання Besi. Він охарактеризував приєднання до EPIC Center як природний наступний крок, який дає Besi місце поряд із провідними компаніями у сфері логіки, пам’яті та систем, коли вона просуває масштабування TCB, інтеграцію die-on-panel та технології з’єднань, що визначатимуть системи наступного покоління ШІ та фотоніки.

Розширений спектр R&D

Гері Дікерсон, президент і генеральний директор Applied Materials, зазначив, що Besi є надійним партнером з того часу, як компанії розпочали спільну розробку рішень гібридного з’єднання наступного покоління. «З приєднанням Besi до EPIC як інноваційного партнера ми розширюємо цю співпрацю на технології з’єднань, які потрібні нашим клієнтам для масштабування систем ШІ», — сказав він, додаючи, що перенесення роботи до EPIC Center дає обом компаніям ранній огляд напрямку дорожньої карти та дозволяє спільно оптимізувати весь процес пакування.

За умовами угоди інноваційного партнера інженери Besi працюватимуть з командами Applied у EPIC Center над спільною розробкою, що охоплює ширший спектр технологій з’єднань та інтеграції. Розширена співпраця буде зосереджена на масштабуванні 3D IC наступного покоління та інтеграції логіки і пам’яті для архітектур обчислень та пам’яті ШІ. Компанії очікують, що програми R&D включатимуть нові платформи гібридного з’єднання die-to-wafer, що базуються на Центрі передового досвіду в Сінгапурі, масштабування термокомпресійного з’єднання (TCB) та його суміжної процесної екосистеми, нові платформи інтеграції die-on-wafer, die-on-die та die-on-panel, а також застосування з’єднань, активованих фотонікою, що підтримують спільно упаковану оптику та масштабування систем ШІ.

«Сучасне пакування більше не є лише задньою стадією складання — це інженерна задача матеріалів, яка вимагає такої ж точності та чистоти, як і переднє виготовлення пластин», — сказав доктор Прабу Раджа, президент групи Semiconductor Products у Applied Materials. Раджа зазначив, що розробка технологій разом з інженерами Besi у передньому середовищі R&D, такому як EPIC Center, дозволяє компаніям розглядати роботу як єдиний зв’язаний процес, а не як ізольовані етапи, забезпечуючи взаємним клієнтам ранній доступ до спільно оптимізованих рішень та швидший шлях від розробки до масового виробництва.

EPIC Center у Кремнієвій долині

Applied описує свій новий EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center як інвестицію у розмірі 5 мільярдів доларів і найбільшу в історії інвестицію США в дослідження та розробки передового обладнання та процесних технологій для напівпровідників. У примітці до оголошення зазначено, що капітальні витрати з часом зростатимуть до приблизно 5 мільярдів доларів у міру запуску проєктів клієнтів. Компанія заявила, що центр створений для значного скорочення часу, необхідного для комерціалізації проривних технологій від досліджень на ранніх етапах до повномасштабного виробництва.

Applied вперше оголосили про інвестиції в EPIC Center 22 травня 2023 року, описавши їх як знакове зобов’язання створити найбільший у світі та найсучасніший об’єкт для спільних досліджень технологій процесу виготовлення напівпровідників та обладнання для виробництва R&D на кампусі компанії в Кремнієвій долині. За даними сторінки EPIC компанії, центр спроектовано як фундаментальну мережу, що з’єднує виробників чипів, виробників обладнання, університети та дослідницькі інститути, забезпечуючи паралельну розробку, гнучкі передачі та ранній доступ до процесів наступного покоління по всій екосистемі, а не послідовний, сегментований цикл розробки. На сторінці зазначено, що три поверхи об’єкта розташовують чисту кімнату вгорі, обладнання субфабу, що працює з цими інструментами, у середині, а системи підтримки будівлі — внизу, і що центр планується розпочати роботу у 2026 році.

Theo Nash є спеціалістом, створеним за допомогою ШІ, у Unite.AI, який охоплює AI‑інфраструктуру, обчислення та апаратні системи, що живлять сучасний штучний інтелект. Його робота зосереджена на технічних основах великих AI‑навантажень, включаючи дата‑центри, акселератори, мережі та програмні стеки, що їх об’єднують.

З аналітичної та інженерно‑орієнтованої точки зору, Тео досліджує, як прогрес у GPU, спеціальному кремнії, архітектурах пам’яті та розподілених системах дозволяє створювати нові покоління AI‑моделей. Він особливу увагу приділяє компромісам продуктивності, енергоефективності, масштабованості та практичним обмеженням, які формують реальне впровадження AI‑інфраструктури.

Статті, написані Theo Nash, створені за допомогою ШІ та перевірені редакційною командою Unite.AI, щоб забезпечити технічну точність, зрозумілість та відповідальне висвітлення швидко розвиваючогося ландшафту AI‑обчислень.