SK Hynix заявляє, що не підтверджено жодних планів щодо повідомлених переговорів Intel про пам’яті в США

SK hynix заявив у офіційному прес‑релізі 16 вересня 2026 року, що жодних планів не підтверджено і не завершено щодо повідомлених переговорів з Intel про виготовлення пам’ятних чипів у Сполучених Штатах, відповідаючи на одночасний звіт, у якому описано два потенційні сценарії угоди.

Заява звернула увагу на звіт, опублікований 16 вересня 2026 року, під назвою «SK Hynix веде переговори з Intel щодо угоди про виробництво пам’яті у США вперше, повідомляють джерела». Згідно зі заявою SK hynix, у звіті зазначено, що компанія веде переговори з Intel щодо угоди про виробництво пам’яті у США, і він згадував потенційний сценарій, у якому SK hynix міг би орендувати частину довгостроково планованого виробничого підприємства з напівпровідників Intel у Огайо. Другий сценарій, згідно зі заявою, полягає у можливості створення спільного підприємства, що включає SK hynix, Intel та провідні хмарні компанії.

“SK hynix розглядає різні варіанти підвищення своєї глобальної конкурентоспроможності, проте жодних конкретних планів чи домовленостей наразі не завершено”, — зазначила компанія. Вона додала, що жодних рішень щодо двох сценаріїв, згаданих у статті, не прийнято, і уточнила, що нічого не остаточно не узгоджено щодо співпраці з будь‑якими конкретними компаніями, названими у звіті, або щодо виробництва пам’ятних чипів у Сполучених Штатах.

Існуючі виробничі розширення SK Hynix у США

SK hynix вже будує свій перший виробничий майданчик у США в Індіані. 3 квітня 2024 року компанія оголосила приблизно 3,87‑мільярдний інвестиційний проект у Вест‑Лафаєті, Індіана, для створення фабрики передового пакування та дослідницько‑розробницького центру для продуктів ШІ, проєкт, який вона описала як перший у своєму роді в Сполучених Штатах і заявила, що він створить понад тисячу нових робочих місць у регіоні. Планується, що об’єкт буде масово виготовляти пам’ять наступного покоління з високою пропускною здатністю (HBM), що вертикально з’єднує кілька DRAM‑чипів, а масове виробництво заплановано на другу половину 2028 року. SK hynix також зобов’язалась до співпраці в дослідженнях з Purdue University у галузі передового пакування та гетерогенних інтеграцій, програм підготовки кадрів з Purdue та Ivy Tech Community College, а також проєкту архітектури, орієнтованої на пам’ять, для епохи генеративного ШІ.

Компанія провела церемонію закладання фундаменту індіанської фабрики 27 серпня 2026 року у спортзалі Holloway Gymnasium університету Purdue. Приблизно 133‑акровий майданчик у Вест‑Лафаєті розмістить виробничу лінію HBM та тестову базу передового пакування R&D, а SK hynix планує постачати пам’ять HBM наступного покоління, що пройде локальне пакування та тестування, американським клієнтам, починаючи з другої половини 2029 року. Серед присутніх були губернатор Індіани Майк Браун, сенатор Тодд Янг, президент Purdue Мітч Даніелс, мер Вест‑Лафаєта Ерін Істер та генеральний директор SK hynix Квак Нох‑Чжун, а подія включала підписання меморандуму про взаєморозуміння між SK hynix та Purdue щодо досліджень і розробок у сфері передового пакування. Квак заявив, що SK hynix планує створити цей об’єкт як свою першу базу виробництва HBM у Сполучених Штатах, постачаючи “Made in USA” HBM і забезпечуючи стабільне постачання пам’яті наступного покоління американським клієнтам.

Розширення потужностей у Кореї

7 серпня 2026 року SK hynix оголосила схвалення правлінням інвестиції приблизно 54 трильйони вон для двох нових корейських фабрик: 35,2 трильйона вон для фабрики Yongin Y2, бази виробництва DRAM, з планом відкриття першої чистої кімнати у червні 2029 року для виготовлення HBM та інших продуктів DRAM наступного покоління, та 19,1 трильйона вон для фабрики Cheongju M17 NAND, з планом відкриття першої чистої кімнати у грудні 2028 року. Інвестиції входять до майстер‑плану компанії — 600 трильйонів вон для кластера Yongin Semiconductor та 100 трильйонів вон для виробничої бази у Чонджу, а будівництво першої фабрики Yongin, Y1, просувається до відкриття першої чистої кімнати, запланованого на лютий 2027 року. Посилаючись на прогноз дослідницької фірми Omdia, згідно з яким попит на DRAM і NAND буде зростати зі складним щорічним темпом 19 % у період 2025‑2030 років, компанія описала пам’ять як ключову інфраструктуру, що визначає продуктивність ШІ.

Попередня угода з Intel та об’єкт в Огайо

20 жовтня 2020 року SK hynix та Intel оголосили підписання угоди, за якою SK hynix придбав би NAND‑пам’ять та сховище Intel за 9 мільярдів доларів, включаючи бізнес NAND‑SSD, підрозділ компонентів і ваферів NAND та завод з виробництва NAND‑пам’яті у Далянь, Китай. За етапною структурою SK hynix сплатив би 7 мільярдів доларів при першому закритті, охоплюючи бізнес NAND‑SSD та завод у Даляні, а решту 2 мільярди — при фінальному закритті, запланованому на березень 2025 року, при цьому Intel залишив би свій бізнес Optane.

Об’єкт в Огайо, згаданий у повідомленій ситуації, є довго планованим виробничим кампусом Intel. Intel оголосив про проєкт 21 січня 2022 року, з початковими інвестиціями у розмірі понад $28 мільярд для будівництва двох передових фабрик мікросхем у окрузі Licking County на кампусі майже 1,000 акрів. Intel описує проєкт як найбільші одноразові інвестиції приватного сектора в історії Огайо та очікує, що початкова фаза створить 3,000 робочих місць у Intel і 7,000 робочих місць у будівництві, а компанія пообіцяла ще $100 мільйон на партнерства з освітніми установами для створення регіонального кадрового потоку. Будівництво розпочалося з закладки фундаменту у вересні 2022 року і було завершено вертикальним підйомом до вересня 2024 року, а 26 листопада 2024 року Intel та адміністрація Biden-Harris завершили нагородження фінансування у розмірі $7.86 мільярд за US CHIPS Act.