SK Hynix заявляє, що не підтверджено жодних планів щодо повідомлених переговорів Intel про виготовлення пам’яті в США

SK hynix заявив у офіційному прес‑релізі 16 вересня 2026 року, що жодних планів не підтверджено і не завершено щодо повідомлених переговорів з Intel про виготовлення чіпів пам’яті у Сполучених Штатах, відповідаючи на одночасний звіт, у якому описано два потенційні сценарії угод.

У заяві було розглянуто звіт, опублікований 16 вересня 2026 року, під назвою «SK Hynix веде переговори з Intel щодо угоди про виготовлення чіпів пам’яті в США вперше, за словами джерел». За словами SK hynix, у звіті зазначалося, що компанія веде переговори з Intel про угоду щодо виготовлення чіпів пам’яті у Сполучених Штатах, і згадувався потенційний сценарій, у якому SK hynix могла б орендувати частину довго планованого напівпровідникового виробничого об’єкта Intel в Огайо. Другий сценарій, згаданий у звіті, за даними заяви, – це можливість створення спільного підприємства за участю SK hynix, Intel та великих хмарних компаній.

«SK hynix вивчає різні варіанти підвищення своєї глобальної конкурентоспроможності, але жодних конкретних планів чи домовленостей наразі не завершено», – заявила компанія. Вона додала, що жодних рішень щодо двох сценаріїв, згаданих у статті, не прийнято, і уточнила, що нічого не було остаточно узгоджено щодо співпраці з будь‑якими конкретними компаніями, зазначеними у звіті, або щодо виробництва чіпів пам’яті в Сполучених Штатах.

Наявне будівництво виробництва SK Hynix у США

SK hynix вже будує свій перший виробничий майданчик у США в Індіані. 3 квітня 2024 року компанія оголосила приблизну інвестицію у 3,87 мільярда доларів у Вест‑Лафайєт, Індіана, для створення фабрики передового пакування та дослідницько‑розробницького підрозділу для продуктів штучного інтелекту, проекту, який вона назвала першим у своєму роді в Сполучених Штатах і зазначила, що він створить понад тисячу нових робочих місць у регіоні. Планувалося, що об’єкт буде масово виготовляти пам’ять нового покоління з високою пропускною здатністю (HBM), високопродуктивну пам’ять, яка вертикально з’єднує кілька DRAM‑чипів, а масове виробництво планувалося на другу половину 2028 року. SK hynix також зобов’язалаcя наукову співпрацю з Purdue University у галузі передового пакування та гетерогенної інтеграції, програми підготовки кадрів разом з Purdue та Ivy Tech Community College, а також проєкт архітектури, орієнтованої на пам’ять, для епохи генеративного ШІ.

Компанія провела церемонію закладання фундаменту індіанського фабричного об’єкта 27 серпня 2026 року у спортзалі Holloway університету Purdue. Приблизно 133‑акровий майданчик у Вест‑Лафайєт розмістить лінію виробництва HBM та тестову базу передового пакування R&D, і SK hynix планує постачати нове покоління HBM, яке пройшло локальне пакування та тестування, американським клієнтам, починаючи з другої половини 2029 року. Серед учасників були губернатор Індіани Майк Браун, сенатор Тодд Янг, президент Purdue University Мітч Даніелс, мер Вест‑Лафайєт Ерін Істер та генеральний директор SK hynix Квак Нох‑Джунг; під час заходу було підписано меморандум про взаєморозуміння між SK hynix і Purdue щодо досліджень і розробок у сфері передового пакування. Квак заявив, що SK hynix планує створити цей об’єкт як свою першу базу виробництва HBM у Сполучених Штатах, постачаючи HBM “Made in USA” та забезпечуючи стабільне постачання пам’яті нового покоління американським клієнтам.

Розширення потужностей у Кореї

7 серпня 2026 року SK hynix оголосила затвердження радою директорів приблизно 54 трильйони вон для двох нових корейських фабрик: 35,2 трильйони вон для фабрики Yongin Y2, виробничої бази DRAM, яка планує відкрити перший чистий зал у червні 2029 року для виготовлення HBM та інших продуктів DRAM нового покоління, та 19,1 трильйони вон для фабрики Cheongju M17 NAND, яка планує відкрити перший чистий зал у грудні 2028 року. Інвестиції входять до майстер‑плану компанії у розмірі 600 трильйонів вон для кластера напівпровідників у Yongin та 100 трильйонів вон для виробничої бази у Cheongju, а будівництво першої фабрики Yongin, Y1, просувається до відкриття початкового чистого залу, запланованого на лютий 2027 року. Посилаючись на прогноз дослідницької фірми Omdia, згідно якого попит на DRAM і NAND буде зростати зі складним середньорічним темпом 19 % у період з 2025 по 2030 рік, компанія охарактеризувала пам’ять як ключову інфраструктуру, що визначає продуктивність ШІ.

Попередня угода з Intel та об’єкт в Огайо

20 жовтня 2020 року SK hynix та Intel оголосили підписання угоди, згідно якої SK hynix придбає підрозділ пам’яті NAND та сховищ Intel за 9 мільярдів доларів, включаючи бізнес NAND SSD, підрозділ компонентів і ваферів NAND та виробничий комплекс Dalian NAND у Китаї. За поетапною структурою SK hynix сплатить 7 мільярдів доларів під час першого закриття, що охоплює бізнес NAND SSD та завод у Далянь, а решту 2 мільярди доларів – під час фінального закриття, запланованого на березень 2025 року, при цьому Intel залишить за собою бізнес Optane.

Об’єкт в Огайо, згаданий у повідомленій ситуації, — це довго планований виробничий кампус Intel. Intel оголосив про проєкт 21 січня 2022 року, інвестувавши спочатку понад 20 мільярдів доларів у будівництво двох передових фабрик мікросхем у окрузі Лікінг на кампусі майже 1 000 акрів. Intel описує проєкт як найбільшу одноразову інвестицію приватного сектора в історії Огайо і очікує, що початкова фаза створить 3 000 робочих місць у Intel та 7 000 робочих місць у будівництві, а компанія пообіцяла ще 100 мільйонів доларів на партнерства з навчальними закладами для створення регіонального кадрового потоку. Будівництво розпочалося з закладання фундаменту у вересні 2022 року і досягло вертикального етапу у вересні 2024 року, а 26 листопада 2024 року Intel та адміністрація Байдена-Гарріс завершили надання фінансування у розмірі 7,86 мільярда доларів за Законом США про чіпи (CHIPS Act).