Semtech забезпечує виділені потужності з виробництва SiGe на Tower для міжз’єднань у системах ШІ

Tower Semiconductor і Semtech Corporation 13 жовтня 2026 року оголосили про розширення багаторічної угоди, згідно з якою Semtech інвестує в забезпечення виділених потужностей із виробництва кремнієво-германієвих (SiGe) компонентів на Tower. Це продовження 20-річного партнерства компаній, покликаного підтримувати оптичні та мідні міжз’єднання для інфраструктури центрів обробки даних зі штучним інтелектом.

У спільному оголошенні, датованому Мігдаль-га-Емеком (Ізраїль) і Камарільйо (Каліфорнія), інвестиції в потужності пов’язано з успішними проєктами розробки та попитом на компоненти для оптичних міжз’єднань у центрах обробки даних зі штучним інтелектом, про які повідомили компанії. Tower працює як фабрика з виробництва аналогових напівпровідникових рішень із високою доданою вартістю, тоді як Semtech постачає високопродуктивні напівпровідники для мереж центрів обробки даних зі штучним інтелектом і підключених пристроїв Інтернету речей.

Виділені потужності в трьох регіонах

Забезпечені потужності охоплюють фабрики Tower у США, Ізраїлі та Японії. За словами компаній, така географія виробництва підвищує стійкість ланцюга постачання й диверсифікує виробничу стратегію Semtech. Угода спирається на поточне виробництво та надає Semtech додаткові гарантії постачання. Згідно з оголошенням, очікується, що попит на продукцію Semtech на основі SiGe зростатиме в міру розширення кола клієнтських програм і кінцевих ринків.

У застереженнях щодо прогнозних заяв у пресрелізі зазначено, що фактичні результати можуть відрізнятися від прогнозів. Серед чинників названо здатність Tower установити обладнання та наростити виробничі потужності SiGe на своїх фабриках у передбачені строки; можливість того, що попит на продукцію Semtech на основі SiGe не зростатиме згідно з очікуваннями або що Semtech не використає повністю зарезервовані для неї потужності; а також ризик, що успішні проєкти розробки не перетворяться на виробничі замовлення чи не принесуть доходу в очікуваних обсягах або у передбачені строки. У застереженнях також згадано темпи інвестицій у центри обробки даних зі штучним інтелектом, швидкість упровадження міжз’єднань наступного покоління та залежність Semtech від Tower у виробництві продукції на основі SiGe, причому це виробництво зосереджене в обмеженій кількості підприємств, зокрема в Ізраїлі.

Портфель SiGe і дорожня карта швидкостей

В оголошенні енергію названо наступним обмежувальним чинником для ШІ: дедалі більша її частка витрачається на передавання даних, а не на обчислення. За словами компаній, у міру масштабування кластерів ШІ — між стійками, рядами стійок і кампусами — енерговитрати на передавання кожного біта дедалі більше визначають, який обсяг корисної роботи може виконати кожен прискорювач. Кожен крок у дорожній карті швидкостей — від 800G до 1.6T і далі до 3.2T — підвищує вимоги до пропускної здатності, дальності передавання та енерговитрат на біт, посилюючи роль високошвидкісного аналогового інтерфейсного каскаду, який формує сигнал і приймає його.

Портфель Semtech для забезпечення цілісності сигналу, до якого входять трансимпедансні підсилювачі (TIA), драйвери модуляторів і лазерів, а також лінійні еквалайзери, побудований на технологічному процесі SiGe компанії Tower. Він призначений для оптики з повним ретаймінгом (FRO), лінійної оптики з вставними модулями (LPO), лінійної приймальної оптики (LRO), оптики, розміщеної поблизу корпусу мікросхеми (NPO), оптики з надщільними вставними модулями (XPO), лінійних еквалайзерів на друкованій платі (PCB) і активних мідних кабелів (ACC). Semtech заявила, що вважає: ця продукція дає їй змогу задовольнити потреби в мідних з’єднаннях усередині стійки та оптичних з’єднаннях у межах центру обробки даних, поки галузь переходить до архітектур наступного покоління.

25 серпня 2026 року Semtech представила сімейство лінійних TIA і драйверів 224G, розроблених для архітектур NPO та оптики зі спільним корпусуванням (CPO) у кластерах штучного інтелекту й машинного навчання та в центрах обробки даних гіпермасштабу: GN1838L і GN42T380, які Semtech назвала першими в галузі лінійними восьмиканальними TIA, а також лінійний восьмиканальний драйвер модулятора Mach–Zehnder GN42M380, оптимізований для оптичних модулів із пропускною здатністю 1.6T, 3.2T, 6.4T і 12.8T. Крок каналів GN1838L становить 500µm, а GN42T380 — 375µm; обидва мають каскад автоматичного регулювання підсилення та програмоване лінійне вирівнювання з неперервним часом. GN42M380 із кроком каналів 375µm підтримує кремнієву фотоніку, модулятори Mach–Zehnder на основі фосфіду індію та модулятори на основі тонкоплівкового ніобату літію.

21 вересня 2026 року Semtech оголосила про вступ до Угоди кількох виробників щодо надщільної вставної оптики (XPO MSA) — галузевої ініціативи, що визначає форм-фактор оптичного приймопередавача високої щільності на 12.8T для інфраструктури ШІ. Згідно з MSA, поточне покоління модулів забезпечує пропускну здатність 12.8T зі швидкістю 200G на канал і має інтегроване рідинне охолодження, а для наступного покоління передбачено електричні інтерфейси зі швидкістю 400G на канал.

Semtech заявила, що її портфель драйверів модуляторів і TIA зі швидкістю 200G на канал, до якого входять чотириканальні та восьмиканальні TIA з кроком каналів 750µm, 500µm і 375µm, а також драйвери модуляторів Mach–Zehnder із кроком 625µm і 375µm, розроблено для підтримки розроблення приймопередавачів XPO та їхнього серійного виробництва. У тому самому пресрелізі Скотт Вілкінсон, провідний аналітик з оптичних компонентів у Cignal AI, спрогнозував зростання попиту на оптику для передавання даних із $9 млрд у 2024 році до приблизно $37 млрд у 2026 році.

Нагорода ECOC і заяви керівників

На Європейській конференції з оптичного зв’язку (ECOC) 2026, що відбулася 21–23 вересня 2026 року в Малазі, Іспанія, Semtech отримала нагороду за інновації в галузі оптичних компонентів (мікросхем/пластин) за сімейство TIA зі швидкістю 224 Гбіт/с на лінію для лінійних оптичних модулів, створене на основі технології SiGe компанії Tower. Компанії повідомили, що продовжують тісно співпрацювати над виробничими потужностями та спільною технологічною дорожньою картою, яка, за їхніми словами, покликана забезпечити лідерство продуктів у сфері міжз’єднань центрів обробки даних для ШІ впродовж кількох поколінь технологій.

Президент і генеральний директор Semtech Хонг Хоу сказав, що клієнти Semtech стрімко й у величезних масштабах нарощують пропускну здатність міжз’єднань, а для задоволення такого попиту потрібні довгострокове планування виробничих потужностей і надійні партнери з виробництва. За словами Хоу, угода «закріплює за компанією окремі виробничі потужності на базі SiGe у трьох регіонах, щоб нарощувати обсяги в сегментах мідних та оптичних міжз’єднань — від 800G і 1.6T сьогодні до 3.2T і вище».

Генеральний директор Tower Semiconductor Рассел Еллвангер заявив, що компанії розробляють рішення на рівні платформ, які, за його словами, забезпечують найкращі в галузі показники ефективності для технологій нинішнього й наступного поколінь, а також покоління N+2; ці рішення проходять кваліфікацію задовго до виникнення ринкового попиту. Він сказав, що партнерство забезпечує подальше зростання вже провідної, за його словами, частки компаній на ринку підключення оптичних трансиверів.