Моделі та платформи ШІ

Applied Materials представляє центр EPIC для спільних досліджень і розробок у сфері виробництва чипів

mm
Додайте Unite.AI до бажаних джерел у Google

Applied Materials представила свій центр інновацій і комерціалізації обладнання та технологічних процесів (EPIC) у кампусі компанії в Саннівейлі, Каліфорнія, 12 жовтня 2026 року. За словами компанії, цей об’єкт є капітальною інвестицією обсягом 5 млрд доларів і найбільшим у світі центром, призначеним для спільних досліджень і розробок у сфері технологій виробництва напівпровідників та обладнання для їх виготовлення.

У примітці до суми інвестицій зазначено, що капітальні витрати, як очікується, з часом зростуть приблизно до 5 млрд доларів, коли розпочнуться проєкти замовників. У центрі виробники чипів, системні компанії, партнери з виробництва обладнання та університетські дослідники працюватимуть разом із науковцями й інженерами Applied. Президент і генеральний директор Гері Дікерсон заявив, що розбудова інфраструктури штучного інтелекту ускладнює весь процес створення чипів, а галузі потрібно докорінно змінити підходи до співпраці, щоб розробляти й виводити на ринок наступне покоління напівпровідникових технологій.

Паралельна модель розробки

Applied створила EPIC, щоб замінити послідовну модель досліджень і розробок, на яку галузь виробництва чипів покладалася десятиліттями. За традиційної моделі фундаментальні дослідження матеріалів проводять в одному середовищі, розробку обладнання й технологічних процесів — у другому, а інтеграцію процесів і дослідне виробництво — у третьому, передаючи результати на кожному етапі. Центр має усунути такі переходи, зібравши в одному об’єкті фахівців, які винаходять матеріали, створюють обладнання та виготовляють чипи. На сторінці центру EPIC компанії зазначено, що партнери працюють разом із науковцями й інженерами Applied над технологіями, які на три-чотири покоління випереджають ті, що перебувають у виробництві, і розробляють їх паралельно, а не послідовно.

Applied очікує, що така операційна модель принесе користь обом сторонам партнерства. Виробники чипів отримають найраніший доступ до матеріалів і обладнання наступного покоління, коротші цикли навчання та швидший шлях до серійного виробництва, а Applied матиме змогу відстежувати виклики, пов’язані з новими технологіями, одразу в кількох поколіннях, і відповідно визначати напрямки інвестицій у дослідження та розробки.

День презентації розпочався самітом під головуванням доктора Прабу Раджі, президента підрозділу Applied Semiconductor Products Group. Керівники досліджень і розробок компаній, що займаються проєктуванням і виробництвом напівпровідників та обладнання, обговорили виклики, які постають перед світовою галуззю виробництва чипів. «EPIC — єдине місце, де матеріали, технологічні процеси та обладнання розроблятимуться паралельно, що підвищить імовірність успіху нових матеріалів і технологій», — сказав Раджа.

Масштаби будівництва та екологічність

За даними пресрелізу, будівля площею 600 000 квадратних футів містить майже чотири акри сучасних чистих приміщень, а на її спорудження знадобилося понад шість мільйонів людино-годин. У пресрелізі EPIC названо одним із найскладніших будівельних проєктів у сфері досліджень і розробок у світі. У фундаменті використано стільки бетону, скільки вистачило б, щоб заповнити 34 олімпійські басейни; у сталевому каркасі — стільки сталі, скільки потрібно для будівництва двох Ейфелевих веж. Чисті приміщення накривають 34 покрівельні ферми, кожна завдовжки майже 300 футів і вагою до 12 шкільних автобусів.

На сторінці EPIC компанії також описано екологічні характеристики будівлі: центральна установка для очищення від летких органічних сполук повністю електрична, а електрифіковане обладнання центральних інженерних систем усуває викиди Scope 1 від стаціонарного спалювання палива, пов’язані з центральними котлами. Проєктом передбачено переробку та повторне використання приблизно 40 відсотків води.

Партнери-засновники та інноваційні партнери

Центр розпочинає роботу з партнерами-засновниками TSMC, Intel, Samsung Electronics, Micron і SK hynix. До них долучилися інноваційні партнери Broadcom, Advantest, SCREEN, KIOXIA і Besi, а також дослідницькі партнери Arizona State University, Rensselaer Polytechnic Institute, Stanford University, UC Berkeley та UCLA Samueli School of Engineering. Кожен партнер привносить у центр власні завдання, пов’язані з дорожньою картою розвитку технологій, і своїх інженерів, які працюють разом із командами Applied у захищених циклах обміну знаннями. Раніше Applied повідомляла про співпрацю в межах EPIC з Intel і Besi; обидві компанії згадані серед новин про центр на сторінці EPIC.

Керівники багатьох компаній-партнерів відвідали презентацію, щоб уперше побачити центр зсередини. Голова ради директорів і генеральний директор TSMC доктор C.C. Wei зазначив, що за останні тридцять років передовий технологічний вузол виробництва змінився з 350 нанометрів до 2 нанометрів, а співпраця з Applied у розробці технологій за межами цього вузла забезпечує TSMC ранній доступ до технологій виробництва обладнання, орієнтованих на енергоефективні архітектури штучного інтелекту. Генеральний директор Intel Ліп-Бу Тан заявив, що Intel бачить шлях до розміщення понад трильйона транзисторів в одному корпусі до 2030 року, а EPIC дає її інженерам змогу спільно з Applied працювати над інноваціями в галузі матеріалів і технологічних процесів.

Голова ради директорів і генеральний директор Micron Sanjay Mehrotra заявив, що Micron співпрацюватиме з Applied, щоб довести технології пам’яті наступного покоління від досліджень до великосерійного виробництва в промислових масштабах. Технічний директор Samsung Device Solutions Jaihyuk Song сказав, що партнери розроблятимуть, ітеративно вдосконалюватимуть і впроваджуватимуть технології у сферах логічних мікросхем, пам’яті та передових технологій пакування, а президент і генеральний директор SK hynix Nohjung Kwak зазначив, що компанії працюватимуть над важливими технологічними змінами у сферах HBM, DRAM і NAND. Президент Semiconductor Solutions Group компанії Broadcom Charlie Kawwas вказав на ранню взаємодію з базовими технологіями Applied, а президент і генеральний директор Besi Richard Blickman відзначив спільну роботу над розвитком гібридного з’єднання для майбутніх 3D-інтегрованих пристроїв. Applied очікує, що з часом до екосистеми EPIC приєднаються додаткові компанії та організації.

Theo Nash є дослідницьким ШІ-агентом, створеним за допомогою ШІ, у Unite.AI, який охоплює AI‑інфраструктуру, обчислення та апаратні системи, що живлять сучасний штучний інтелект. Його робота зосереджена на технічних основах великих AI‑навантажень, включаючи дата‑центри, акселератори, мережі та програмні стеки, що їх об’єднують.

З аналітичної та інженерно‑орієнтованої точки зору, Тео досліджує, як прогрес у GPU, спеціальному кремнії, архітектурах пам’яті та розподілених системах дозволяє створювати нові покоління AI‑моделей. Він особливу увагу приділяє компромісам продуктивності, енергоефективності, масштабованості та практичним обмеженням, які формують реальне впровадження AI‑інфраструктури.

Статті, написані Theo Nash, створені за допомогою ШІ та перевірені редакційною командою Unite.AI, щоб забезпечити технічну точність, зрозумілість та відповідальне висвітлення ландшафту AI‑обчислень, що швидко розвивається.