Semtech จัดหากำลังการผลิต SiGe โดยเฉพาะที่ Tower เพื่อรองรับการเชื่อมต่อระหว่างกันสำหรับ AI

Tower Semiconductor และ Semtech Corporation ประกาศเมื่อวันที่ 13 ตุลาคม 2026 ถึงข้อตกลงระยะเวลาหลายปีฉบับขยาย ซึ่ง Semtech จะลงทุนเพื่อจัดหากำลังการผลิตซิลิคอนเจอร์เมเนียม (SiGe) โดยเฉพาะที่ Tower โดยต่อยอดจากความร่วมมือระหว่างทั้งสองบริษัทที่ดำเนินมานาน 20 ปี เพื่อรองรับการเชื่อมต่อระหว่างกันด้วยระบบออปติคัลและสายทองแดงสำหรับโครงสร้างพื้นฐานศูนย์ข้อมูล AI

ประกาศร่วมกันซึ่งระบุสถานที่และวันที่ว่าออกจากเมืองมิกดัล ฮาเอเมก ประเทศอิสราเอล และเมืองคามาริลโล รัฐแคลิฟอร์เนีย เชื่อมโยงการลงทุนด้านกำลังการผลิตเข้ากับสิ่งที่บริษัททั้งสองระบุว่าเป็นความสำเร็จในการได้รับเลือกให้ออกแบบผลิตภัณฑ์ และความต้องการส่วนประกอบการเชื่อมต่อระหว่างกันด้วยระบบออปติคัลสำหรับศูนย์ข้อมูล AI ที่แข็งแกร่ง Tower ดำเนินธุรกิจโรงหล่อสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์แอนะล็อกมูลค่าสูง ขณะที่ Semtech จัดหาเซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบเครือข่ายศูนย์ข้อมูล AI และอุปกรณ์ Internet of Things ที่เชื่อมต่อกัน

กำลังการผลิตเฉพาะในสามภูมิภาค

กำลังการผลิตที่จัดหาไว้ครอบคลุมโรงงานผลิตเวเฟอร์ของ Tower ในสหรัฐอเมริกา อิสราเอล และญี่ปุ่น โดยบริษัททั้งสองระบุว่าฐานการผลิตในพื้นที่เหล่านี้ช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นด้านอุปทานและการกระจายฐานการผลิตตามภูมิศาสตร์ให้แก่กลยุทธ์การผลิตของ Semtech ข้อตกลงนี้ต่อยอดจากการผลิตในปัจจุบันและช่วยให้ Semtech มีหลักประกันด้านอุปทานเพิ่มเติม ขณะที่คาดว่าความต้องการผลิตภัณฑ์ที่ใช้ SiGe ของบริษัทจะเติบโตในกลุ่มโครงการของลูกค้าและตลาดปลายทางที่ขยายตัวมากขึ้น ตามที่ระบุในประกาศ

ข้อความคาดการณ์ล่วงหน้าในข่าวประชาสัมพันธ์เตือนว่าผลลัพธ์จริงอาจแตกต่างจากที่คาดการณ์ไว้ โดยระบุถึงความสามารถของ Tower ในการติดตั้งอุปกรณ์และเพิ่มกำลังการผลิต SiGe ในโรงงานตามกำหนดเวลาที่คาดไว้ ความเป็นไปได้ที่ความต้องการผลิตภัณฑ์ SiGe ของ Semtech จะไม่เป็นไปตามที่คาด หรือ Semtech จะใช้กำลังการผลิตที่สำรองไว้ไม่เต็มที่ ตลอดจนความเสี่ยงที่การได้รับเลือกให้ออกแบบผลิตภัณฑ์จะไม่กลายเป็นคำสั่งผลิตหรือรายได้ในระดับหรือช่วงเวลาที่คาดไว้ ข้อความดังกล่าวยังกล่าวถึงจังหวะการลงทุนในศูนย์ข้อมูล AI อัตราการนำความเร็วการเชื่อมต่อระหว่างกันรุ่นถัดไปมาใช้ และการที่ Semtech พึ่งพา Tower ในการผลิตผลิตภัณฑ์ SiGe ของบริษัท โดยการผลิตดังกล่าวกระจุกตัวอยู่ในโรงงานจำนวนจำกัด ซึ่งรวมถึงโรงงานในอิสราเอลด้วย

กลุ่มผลิตภัณฑ์ SiGe และแผนพัฒนาความเร็ว

ประกาศดังกล่าวระบุว่าพลังงานเป็นข้อจำกัดถัดไปของ AI โดยพลังงานส่วนที่เพิ่มขึ้นถูกใช้ไปกับการเคลื่อนย้ายข้อมูลแทนการประมวลผล บริษัททั้งสองระบุว่า เมื่อคลัสเตอร์ AI ขยายขนาดครอบคลุมแร็ก แถวของแร็ก และพื้นที่ศูนย์ข้อมูล ต้นทุนพลังงานต่อบิตในการเคลื่อนย้ายข้อมูลจะยิ่งเป็นตัวกำหนดว่าเครื่องเร่งการประมวลผลแต่ละตัวจะทำงานที่เป็นประโยชน์ได้มากเพียงใด การพัฒนาความเร็วในแต่ละขั้น ตั้งแต่ 800G ไปสู่ 1.6T และต่อไปถึง 3.2T ทำให้ข้อกำหนดด้านแบนด์วิดท์ ระยะทางการส่งสัญญาณ และพลังงานต่อบิตสูงขึ้น ส่งผลให้วงจรส่วนหน้าแอนะล็อกความเร็วสูง ซึ่งทำหน้าที่ขับและรับสัญญาณ มีความสำคัญมากยิ่งขึ้น

กลุ่มผลิตภัณฑ์ด้านความสมบูรณ์ของสัญญาณของ Semtech ซึ่งประกอบด้วยวงจรขยายทรานส์อิมพีแดนซ์ (TIA) วงจรขับมอดูเลเตอร์และเลเซอร์ ตลอดจนวงจรปรับสมดุลเชิงเส้น พัฒนาบนเทคโนโลยีกระบวนการผลิต SiGe ของ Tower ผลิตภัณฑ์เหล่านี้รองรับระบบออปติคัลแบบรีไทม์สัญญาณเต็มรูปแบบ (FRO) ระบบออปติคัลแบบเสียบได้เชิงเส้น (LPO) ระบบออปติคัลรับสัญญาณเชิงเส้น (LRO) ระบบออปติคัลใกล้แพ็กเกจ (NPO) ระบบออปติคัลแบบเสียบได้ความหนาแน่นสูงพิเศษ (XPO) วงจรปรับสมดุลเชิงเส้นบนแผงวงจรพิมพ์ (PCB) และสายทองแดงแบบแอ็กทีฟ (ACC) Semtech ระบุว่าบริษัทเชื่อว่าผลิตภัณฑ์เหล่านี้ช่วยให้บริษัทตอบสนองความต้องการการเชื่อมต่อด้วยสายทองแดงภายในแร็ก และการเชื่อมต่อด้วยระบบออปติคัลทั่วทั้งศูนย์ข้อมูลได้ ขณะที่อุตสาหกรรมกำลังเปลี่ยนไปใช้สถาปัตยกรรมรุ่นถัดไป

เมื่อวันที่ 25 สิงหาคม 2026 Semtech เปิดตัวชุดโซลูชัน TIA เชิงเส้นและวงจรขับสัญญาณ 224G ซึ่งออกแบบมาสำหรับสถาปัตยกรรม NPO และออปติกแบบรวมแพ็กเกจ (CPO) ในคลัสเตอร์ AI และแมชชีนเลิร์นนิง รวมถึงศูนย์ข้อมูลไฮเปอร์สเกล ได้แก่ GN1838L และ GN42T380 ซึ่ง Semtech ระบุว่าเป็น TIA เชิงเส้นแบบ 8 ช่องตัวแรกของอุตสาหกรรม และ GN42M380 ซึ่งเป็นวงจรขับมอดูเลเตอร์ Mach-Zehnder เชิงเส้นแบบ 8 ช่อง ออกแบบให้เหมาะกับเครื่องยนต์ออปติคัล 1.6T, 3.2T, 6.4T และ 12.8T GN1838L มีระยะห่างช่องสัญญาณ 500µm ส่วน GN42T380 มีระยะห่าง 375µm โดยทั้งสองรุ่นประกอบด้วยวงจรควบคุมอัตราขยายอัตโนมัติและการปรับสมดุลเชิงเส้นแบบเวลาต่อเนื่องที่ตั้งโปรแกรมได้ GN42M380 ซึ่งมีระยะห่างช่องสัญญาณ 375µm รองรับโฟโตนิกส์ซิลิคอน มอดูเลเตอร์ Mach-Zehnder ที่ใช้ฟอสไฟด์อินเดียม และมอดูเลเตอร์ลิเทียมไนโอเบตฟิล์มบาง

เมื่อวันที่ 21 กันยายน 2026 Semtech ประกาศเข้าร่วมข้อตกลง eXtra-dense Pluggable Optics Multi-Source Agreement (XPO MSA) ซึ่งเป็นโครงการริเริ่มของอุตสาหกรรมที่กำหนดรูปแบบทรานซีฟเวอร์ออปติคัลความหนาแน่นสูง 12.8T สำหรับโครงสร้างพื้นฐาน AI ภายใต้ MSA โมดูลรุ่นปัจจุบันรองรับอัตราการส่งข้อมูล 12.8T ที่ 200G ต่อเลน พร้อมระบบระบายความร้อนด้วยของเหลวในตัว ส่วนโมดูลรุ่นถัดไปมีแผนรองรับอินเทอร์เฟซไฟฟ้า 400G ต่อเลน

Semtech ระบุว่ากลุ่มผลิตภัณฑ์วงจรขับมอดูเลเตอร์และ TIA ที่รองรับ 200G ต่อเลน ซึ่งประกอบด้วย TIA แบบ 4 และ 8 ช่องที่มีระยะห่างช่องสัญญาณ 750µm, 500µm และ 375µm รวมถึงวงจรขับมอดูเลเตอร์ Mach-Zehnder ที่มีระยะห่าง 625µm และ 375µm ได้รับการออกแบบมาเพื่อรองรับการพัฒนาทรานซีฟเวอร์ XPO และการนำไปใช้งานในปริมาณมาก ในข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับเดียวกัน Scott Wilkinson หัวหน้านักวิเคราะห์ด้านส่วนประกอบออปติคัลของ Cignal AI คาดการณ์ว่าความต้องการออปติกสำหรับการสื่อสารข้อมูลจะเพิ่มขึ้นจาก 9 พันล้านดอลลาร์ในปี 2024 เป็นประมาณ 37 พันล้านดอลลาร์ในปี 2026

รางวัล ECOC และถ้อยแถลงจากผู้บริหาร

Semtech ได้รับรางวัลนวัตกรรมส่วนประกอบออปติคัล (ชิป/เวเฟอร์) ในงาน European Conference on Optical Communication (ECOC) 2026 ซึ่งจัดขึ้นระหว่างวันที่ 21–23 กันยายน 2026 ที่เมืองมาลากา ประเทศสเปน จากตระกูล TIA ที่รองรับความเร็ว 224 Gbps ต่อเลน สำหรับออปติกแบบ pluggable ที่ส่งสัญญาณเชิงเส้น ซึ่งพัฒนาบนเทคโนโลยี SiGe ของ Tower ทั้งสองบริษัทระบุว่ายังคงทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดในด้านกำลังการผลิตและแผนงานเทคโนโลยีร่วมกัน ซึ่งออกแบบมาเพื่อรักษาความเป็นผู้นำด้านผลิตภัณฑ์สำหรับการเชื่อมต่อระหว่างศูนย์ข้อมูล AI ในหลายเจเนอเรชัน

Hong Hou ประธานและประธานเจ้าหน้าที่บริหารของ Semtech กล่าวว่า ลูกค้าของ Semtech กำลังขยายแบนด์วิดท์การเชื่อมต่อระหว่างระบบอย่างรวดเร็วและในระดับมหาศาล การรองรับความต้องการดังกล่าวจึงจำเป็นต้องวางแผนกำลังการผลิตในระยะยาวและมีพันธมิตรด้านการผลิตที่มุ่งมั่น Hou กล่าวว่า ข้อตกลงนี้ “รับประกันกำลังการผลิต SiGe โดยเฉพาะในสามภูมิภาค เพื่อขยายการเชื่อมต่อทั้งแบบทองแดงและออปติคัล ตั้งแต่ 800G และ 1.6T ในปัจจุบัน ไปจนถึง 3.2T และสูงกว่านั้น”

Russell Ellwanger ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของ Tower Semiconductor กล่าวว่า ทั้งสองบริษัทกำลังผลักดันโซลูชันระดับแพลตฟอร์มที่มอบค่าตัวชี้วัดประสิทธิภาพที่ดีที่สุดในระดับเดียวกัน ครอบคลุมเทคโนโลยีรุ่นปัจจุบัน รุ่นถัดไป และ N+2 โดยโซลูชันเหล่านี้อยู่ระหว่างการรับรองคุณสมบัติล่วงหน้าก่อนที่ตลาดจะต้องการใช้งานอย่างมาก เขากล่าวว่าความร่วมมือนี้ช่วยให้ส่วนแบ่งตลาดด้านการเชื่อมต่อของตัวรับส่งสัญญาณออปติคัล ซึ่งบริษัททั้งสองมีอยู่ในระดับแนวหน้าแล้ว ขยายตัวได้อย่างต่อเนื่อง