Micron prezentuje 512 GB DDR5 RDIMM, celuje w produkcję w drugiej połowie 2027 r.

Micron Technology 15 września 2026 r. ogłosiła pomyślne zademonstrowanie tego, co opisuje jako pierwsze na świecie 512 GB DDR5 RDIMM, zarejestrowany moduł pamięci typu dual in‑line, w różnych platformach serwerowych. Micron powiedziała, że moduł zapewni prędkości do 9 200 MT/s oraz że AMD i Intel aktywnie go weryfikują.

Micron stwierdziła, że demonstracja daje klientom centrów danych i chmury korporacyjnej możliwość wsparcia dużych i wymagających obciążeń AI, analiz, baz danych w pamięci oraz symulacji, z większą efektywnością. Według firmy, moduł umożliwia do 12 TB pamięci DDR5 DRAM w pojedynczym serwerze dwukortkowym z 24‑slotami.

Pakowanie warstwowe DRAM

Pojemność modułu opiera się na zaawansowanym pakowaniu pionowego połączenia Micron. Projekt pionowo układa układy DRAM połączone przez przezkrzemowe połączenia (TSV), co, jak twierdzi Micron, maksymalizuje gęstość w pojedynczych pakietach DRAM przy zachowaniu wydajności wymaganej przez nowoczesne architektury centrów danych.

Raj Narasimhan, starszy wiceprezes i dyrektor generalny jednostki Cloud Memory Business Unit firmy Micron, opisał moduł jako część nowej klasy ultra‑gęstej, wysokowydajnej pamięci serwerowej przeznaczonej do utrzymywania większych zestawów danych bliżej silników obliczeniowych, które ich potrzebują. „512 GB RDIMM umożliwia serwery wieloterabajtowe, obsługujące większe obciążenia AI i baz danych, wyższą gęstość wirtualizacji oraz poprawioną efektywność energetyczną, wszystko w istniejących obudowach serwerów” – powiedział.

Walidacja ekosystemu

Micron oświadczyła, że współpracuje z podmiotami umożliwiającymi ekosystem w celu walidacji 512 GB DDR5 RDIMM na platformach serwerowych nowej generacji, dążąc do zapewnienia szerokiej kompatybilności i płynnej ścieżki wdrożenia.

Amit Goel, wiceprezes korporacyjny ds. rozwiązań Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering w AMD, powiedział, że współpraca inżynieryjna między obiema firmami ma na celu połączenie innowacji w obliczeniach i pamięci, aby klienci mogli w pełni wykorzystać wartość platform opartych na AMD, gdy obciążenia AI i intensywne pod względem danych przekształcają wymagania infrastrukturalne.

Karin Eibschitz Segal, dyrektor generalny ds. platform i inżynierii systemów w Intel Data Center Group, powiedziała, że Intel współpracuje z Micron nad walidacją 512 GB DDR5 RDIMM i pomaga w umożliwieniu przyszłych platform serwerowych. Opisała pojemność i przepustowość pamięci jako coraz ważniejsze dla ogólnej wydajności systemu, gdy obciążenia AI i inne intensywne pod względem danych stawiają nowe wymagania przed infrastrukturą serwerową.

Darrin Alves, dyrektor ds. informacji (CIO) ds. platform infrastrukturalnych w JPMorganChase, powiedział, że jego organizacja coraz bardziej koncentruje się na optymalizacji równowagi między obliczeniami, pamięcią a efektywnością w całym stosie, gdy obciążenia centrów danych rosną. „Technologie pamięci o wyższej pojemności, takie jak 512 GB RDIMM firmy Micron, pomogą przedsiębiorstwom obsługiwać większe obciążenia w pamięci, poprawić wykorzystanie zasobów i zwiększyć elastyczność potrzebną do skalowania nowoczesnych środowisk obliczeniowych” – dodał.

Twierdzenia dotyczące mocy i wydajności

Micron twierdzi, że 512 GB RDIMM redukuje zużycie energii o ponad 60 % w porównaniu z czterema modułami 128 GB RDIMM, przy czym firma podkreśla, że porównanie opiera się na 16,0 W dla jednego modułu 512 GB w przeciwieństwie do łącznej mocy 44,2 W dla czterech modułów 128 GB.

Dla obciążeń ograniczonych pamięcią, takich jak analizy danych oparte na Spark Support Vector Machines, Micron stwierdził, że 512 GB RDIMM mogą zapewnić do 1,4‑krotnej wydajności w porównaniu z konfiguracjami 256 GB DDR5. Firma podkreśliła również, że moduł przynosi korzyści dla baz danych i platform buforujących intensywnie wykorzystujących pamięć, w tym RocksDB i Redis, wskazując na zwiększoną przepustowość, wyższą współbieżność oraz bardziej efektywne skalowanie zestawów danych.

Micron zidentyfikował szybki rozwój dużych modeli językowych, AI agentowej, wnioskowania w czasie rzeczywistym oraz obciążeń CPU o wysokiej liczbie rdzeni jako czynnik napędzający popyt na większą pojemność pamięci serwerowej, wyższą przepustowość i lepszą efektywność energetyczną. Firma twierdzi, że moduły odpowiadają na te potrzeby, umożliwiając przechowywanie większych zestawów danych w pamięci głównej, zmniejszając zależność od wolniejszych warstw pamięci masowej i minimalizując kosztowne przemieszczanie danych.

Wcześniejsze próbki 256 GB i plany produkcyjne

Micron wcześniej ogłosiła 12 maja 2026 r., że przeprowadziła próbkowanie 256 GB DDR5 RDIMM dla podmiotów umożliwiających ekosystem serwerowy w celu walidacji platformy. Ten moduł oparty jest na 1‑gamma DRAM firmy i wykorzystuje układy pamięci 3D‑stacked połączone przez przezkrzemowe połączenia (TSV). Micron podała, że może osiągać prędkości do 9 200 MT/s, co firma określiła wówczas jako ponad 40 % szybsze niż moduły w produkcji masowej, w porównaniu z produktami pracującymi z 6 400 MT/s. Micron dodała również, że pojedynczy moduł 256 GB może zmniejszyć zużycie energii o ponad 40 % w porównaniu z dwoma modułami 128 GB.

Micron przewiduje, że 512 GB RDIMM trafią do produkcji masowej w drugiej połowie 2027 roku, dostosowując się do potrzeb klientów.