Semtech säkrar dedikerad SiGe-kapacitet hos Tower för AI-sammankoppling

Tower Semiconductor och Semtech Corporation tillkännagav den 13 oktober 2026 ett utökat flerårigt avtal där Semtech ska investera i att säkra dedikerad kapacitet för kiselgermanium (SiGe) hos Tower. Avtalet bygger vidare på företagens 20-åriga partnerskap för att stödja optiska sammankopplingar och sammankopplingar via koppar för AI-datacenterinfrastruktur.

Det gemensamma tillkännagivandet, daterat i Migdal Haemek i Israel och Camarillo i Kalifornien, kopplar kapacitetsinvesteringen till vad företagen beskriver som starka designvinster och efterfrågan på komponenter för optiska sammankopplingar i AI-datacenter. Tower är kontraktstillverkare av analoga halvledarlösningar med högt värde, medan Semtech levererar högpresterande halvledare för nätverk i AI-datacenter och uppkopplade IoT-enheter.

Dedikerad kapacitet i tre regioner

Den säkrade kapaciteten finns vid Towers fabriker i USA, Israel och Japan. Företagen uppgav att denna geografiska spridning gör Semtechs tillverkningsstrategi mer motståndskraftig mot leveransstörningar och mer geografiskt diversifierad. Avtalet bygger vidare på den nuvarande produktionen och ger Semtech ytterligare leveranssäkerhet. Enligt tillkännagivandet väntas efterfrågan på företagets SiGe-baserade produkter öka i takt med att antalet kundprogram och slutmarknader växer.

I pressmeddelandets framåtblickande uttalanden framhålls att resultaten kan avvika från prognoserna. Som risker nämns Towers förmåga att installera utrustning och utöka tillverkningskapaciteten för SiGe vid sina fabriker enligt den förväntade tidsplanen, möjligheten att efterfrågan på Semtechs SiGe-baserade produkter inte utvecklas som väntat eller att Semtech inte utnyttjar hela sin reserverade kapacitet samt risken för att designvinster inte leder till produktionsorder eller intäkter på de nivåer eller vid de tidpunkter som förväntas. Uttalandena nämner också takten i investeringarna i AI-datacenter, hur snabbt nästa generations sammankopplingshastigheter införs samt Semtechs beroende av Tower för tillverkningen av företagets SiGe-baserade produkter, vilken är koncentrerad till ett begränsat antal anläggningar, däribland i Israel.

SiGe-portföljen och hastighetsplanen

I tillkännagivandet beskrivs energi som AI:s nästa begränsande faktor, eftersom en allt större andel av energin går åt till att flytta data i stället för att bearbeta den. När AI-kluster växer över flera rack, rader och campusområden avgör energikostnaden per bit för dataöverföring i allt högre grad hur mycket nyttigt arbete varje accelerator kan utföra, uppgav företagen. Varje steg i hastighetsplanen – från 800G till 1.6T och vidare till 3.2T – ökar kraven på bandbredd, räckvidd och effekt per bit, vilket gör den höghastighetsanaloga frontänden som sänder och tar emot signalen allt viktigare.

Semtechs portfölj för signalintegritet, som omfattar transimpedansförstärkare (TIA:er), drivkretsar för modulatorer och lasrar samt linjära utjämnare, bygger på Towers SiGe-processteknik. Den används för helt retimad optik (FRO), linjär insticksbar optik (LPO), linjär mottagaroptik (LRO), optik nära kapseln (NPO), extra tät insticksbar optik (XPO), linjära utjämnare på kretskort (PCB) och aktiva kopparkablar (ACC). Semtech uppgav att företaget anser att produkterna gör det möjligt att betjäna kopparlänkar inom racket och optiska länkar i hela datacentret när branschen går över till nästa generations arkitekturer.

Den 25 augusti 2026 introducerade Semtech en produktfamilj med linjära TIA:er och drivkretslösningar för 224G, utformad för NPO- och samkapslad optik (CPO) i AI- och maskininlärningskluster samt hyperskaliga datacenter: GN1838L och GN42T380, som Semtech beskrev som branschens första linjära TIA:er med åtta kanaler, samt den linjära åttakanaliga Mach-Zehnder-modulatordrivaren GN42M380, optimerad för optiska motorer på 1.6T, 3.2T, 6.4T och 12.8T. GN1838L har ett kanalavstånd på 500 µm och GN42T380 ett kanalavstånd på 375 µm; båda har automatisk förstärkningsreglering och programmerbar linjär utjämning med kontinuerlig tid. GN42M380, med ett kanalavstånd på 375 µm, stöder kisel fotonik, Mach-Zehnder-modulatorer av indiumfosfid och tunnfilmsmodulatorer av litiumniobat.

Den 21 september 2026 meddelade Semtech att företaget anslutit sig till flerpartsavtalet för extra tät insticksbar optik (XPO MSA), ett branschinitiativ som definierar ett optiskt transceiverformat med hög densitet på 12.8T för AI-infrastruktur. Enligt avtalet levererar den nuvarande modulgenerationen 12.8T vid 200G per bana med integrerad vätskekylning, och en framtida generation planeras för elektriska gränssnitt på 400G per bana.

Semtech uppgav att företagets portfölj med modulatordrivare och TIA:er för 200G per bana, som omfattar fyrkanaliga och åttakanaliga TIA:er med kanalavstånden 750 µm, 500 µm och 375 µm samt Mach-Zehnder-modulatordrivare med kanalavstånden 625 µm och 375 µm, är utformad för att stödja utveckling och storskalig utrullning av XPO-transceivrar. I samma pressmeddelande förutspådde Scott Wilkinson, huvudanalytiker för optiska komponenter vid Cignal AI, att efterfrågan på optik för datakommunikation skulle öka från 9 miljarder dollar 2024 till uppskattningsvis 37 miljarder dollar 2026.

ECOC-pris och uttalanden från ledningen

Semtech fick priset för innovation inom optiska komponenter (chip/wafer) vid European Conference on Optical Communication (ECOC) 2026, som hölls den 21–23 september 2026 i Málaga i Spanien. Priset tilldelades företaget för dess TIA-familj med 224 Gbit/s per kanal för linjära pluggable optiska moduler, baserad på Towers SiGe-teknik. Företagen uppgav att de fortsätter att arbeta nära tillsammans kring kapacitet och en gemensam teknikplan, som beskrivs som utformad för att säkra produktledarskap inom sammankopplingar för AI-datacenter över flera generationer.

Hong Hou, Semtechs koncernchef och vd, sade att Semtechs kunder snabbt och i mycket stor skala ökar sin bandbredd för sammankopplingar, och att det krävs långsiktig kapacitetsplanering och engagerade tillverkningspartner för att möta den efterfrågan. Avtalet, sade Hou, ”säkrar dedikerad SiGe-kapacitet i tre regioner för att möjliggöra tillväxt inom sammankopplingar via både koppar och optik, från dagens 800G och 1,6T till 3,2T och högre hastigheter.”

Russell Ellwanger, vd för Tower Semiconductor, sade att företagen driver plattformslösningar som levererar vad han kallade branschledande prestandamått inom dagens, nästa generations och N+2-teknik, och att lösningarna kvalificeras långt innan marknaden behöver dem. Han sade att partnerskapet säkerställer en fortsatt ökning av företagens redan ledande marknadsandel inom optisk transceiveranslutning.