Партнёрства
SK Hynix заявляет, что подтверждения планов, упомянутых в сообщениях о переговорах Intel по памяти в США, отсутствуют
Добавьте Unite.AI в избранные источники в Google
SK hynix заявила в официальном пресс‑релизе 16 сентября 2026 года, что никаких планов, подтверждённых или окончательно оформленных, относительно сообщений о переговорах с Intel о производстве микросхем памяти в Соединённых Штатах, нет, отвечая на одноразовый отчёт, описывающий два потенциальных сценария сделки.
В заявлении рассматривается отчёт, опубликованный 16 сентября 2026 года под заголовком «SK Hynix ведёт переговоры с Intel о сделке по производству микросхем памяти в США впервые, сообщают источники». По словам SK hynix, в отчёте говорится, что компания ведёт переговоры с Intel о сделке по производству микросхем памяти в Соединённых Штатах, и упоминается потенциальный сценарий, при котором SK hynix могла бы арендовать часть долгосрочно планируемого полупроводникового производственного комплекса Intel в Огайо. Второй сценарий, указанный в отчёте, согласно заявлению, — возможность создания совместного предприятия с участием SK hynix, Intel и крупных облачных компаний.
«SK hynix изучает различные варианты укрепления своей глобальной конкурентоспособности, но в настоящее время никаких конкретных планов или соглашений не завершено», — заявила компания. Она добавила, что никаких решений по двум сценариям, упомянутым в статье, не принято, и уточнила, что ничего не окончено в отношении сотрудничества с какими‑либо конкретными компаниями, названными в отчёте, или производства микросхем памяти в Соединённых Штатах.
Текущие производственные проекты SK Hynix в США
SK hynix уже строит свой первый производственный объект в США в Индиане. 3 апреля 2024 года компания объявила о предполагаемых инвестициях в размере $3,87 млрд в Уэст‑Лафайете, Индиана, для создания завода по передовой упаковке и исследовательско‑разработочному центру для продуктов ИИ, проект, который она описала как первый в своём роде в Соединённых Штатах и заявил, что он создаст более тысячи новых рабочих мест в регионе. Планируется, что объект будет массово производить память нового поколения с высокой пропускной способностью (HBM), высокопроизводительную память, вертикально соединяющую несколько чипов DRAM, а массовое производство намечено на вторую половину 2028 года. SK hynix также обязалась к сотрудничеству в исследованиях с Purdue University в области передовой упаковки и гетерогенной интеграции, к программам подготовки кадров совместно с Purdue и Ivy Tech Community College, а также к проекту архитектуры, ориентированной на память, для эпохи генеративного ИИ.
Компания провела церемонию закладки фундамента фабрики в Индиане 27 августа 2026 года в спортзале Holloway Университета Purdue. Около 133‑акровый участок в Уэст‑Лафайте будет размещать линию производства HBM и исследовательскую площадку по передовой упаковке (Advanced Packaging R&D Testbed), и SK hynix планирует поставлять память нового поколения HBM, прошедшую локальную упаковку и тестирование, клиентам в США, начиная со второй половины 2029 года. Среди присутствующих были губернатор Индианы Майк Браун, сенатор Тодд Янг, президент Purdue Митч Дэниелс, мэр Уэст‑Лафайета Эрин Истер и генеральный директор SK hynix Квак Нох‑Чжон, а мероприятие включало подписание меморандума о взаимопонимании между SK hynix и Purdue в области исследований и разработок передовой упаковки. Квак заявил, что SK hynix планирует сделать объект своей первой базой производства HBM в Соединённых Штатах, поставляя HBM с маркировкой “Made in USA” и обеспечивая стабильные поставки памяти нового поколения американским клиентам.
Расширение мощностей в Корее
7 августа 2026 года SK hynix объявила об одобрении советом директоров приблизительно 54 трлн вон для двух новых корейских фабрик: 35,2 трлн вон для фабрики Yongin Y2, производственной базы DRAM, планирующей открыть первую чистую комнату в июне 2029 года для производства HBM и других продуктов DRAM нового поколения, и 19,1 трлн вон для фабрики Cheongju M17 NAND, с планом открыть первую чистую комнату в декабре 2028 года. Инвестиции входят в общие планы компании: 600 трлн вон для полупроводникового кластера Yongin и 100 трлн вон для производственной базы в Чонджу, а строительство первой фабрики Yongin, Y1, продвигается к открытию первой чистой комнаты, запланированному на февраль 2027 года. Ссылаясь на прогноз исследовательской фирмы Omdia, согласно которому спрос на DRAM и NAND будет поддерживать совокупный ежегодный темп роста в 19 % с 2025 по 2030 годы, компания охарактеризовала память как ключевую инфраструктуру, определяющую производительность ИИ.
Предыдущая сделка с Intel и объект в Огайо
20 октября 2020 года SK hynix и Intel объявили о подписанном соглашении, согласно которому SK hynix приобретёт NAND‑бизнес по памяти и хранению данных Intel за $9 млрд, включая бизнес NAND‑SSD, бизнес компонентов и пластин NAND, а также завод по производству NAND‑памяти в Даляне, Китай. Поэтапно SK hynix выплатит $7 млрд при первом закрытии, охватывающем бизнес NAND‑SSD и завод в Даляне, а оставшиеся $2 млрд — при окончательном закрытии, запланированном на март 2025 года, при этом Intel сохранит свой бизнес Optane.
Упомянутый в сообщении объект в Огайо — это давно планируемый производственный кампус Intel. Intel объявил проект 21 января 2022 года, вложив первоначально более $28 млрд в строительство двух передовых фабрик микросхем в округе Ликкин на территории площадью почти 1 000 акров. Intel описывает проект как крупнейшее частное инвестиционное вложение в истории Огайо и ожидает, что начальная фаза создаст 3 000 рабочих мест в Intel и 7 000 рабочих мест в строительстве, а компания обязалась дополнительно выделить $100 млн на партнёрства с учебными заведениями для создания регионального кадрового пула. Строительство началось с закладки фундамента в сентябре 2022 года и к сентябрю 2024 года уже шло вертикально, а 26 ноября 2024 года Intel и администрация Байдена‑Харрис завершили предоставление финансирования в размере $7,86 млрд в рамках американского закона CHIPS Act.
