SK Hynix заявляет, что планы, связанные с сообщёнными переговорами Intel о памяти в США, не подтверждены.

SK hynix заявила в официальном пресс‑релизе 16 сентября 2026 г., что ни один план не был подтверждён или окончательно согласован в отношении сообщений о переговорах с Intel о производстве микросхем памяти в Соединённых Штатах, отвечая на отчёт, опубликованный в тот же день, в котором описывались два потенциальных сценария сделки.

В заявлении отвечалось на отчёт, опубликованный 16 сентября 2026 г., под заголовком “SK Hynix ведёт переговоры с Intel о сделке по производству микросхем памяти в США впервые, сообщают источники”. По словам SK hynix, в отчёте говорилось, что компания ведёт переговоры с Intel о сделке по производству микросхем памяти в Соединённых Штатах, и упоминался потенциальный сценарий, при котором SK hynix могла бы арендовать часть долгосрочно планируемого полупроводникового производственного комплекса Intel в Огайо. Второй сценарий, указанный в отчёте, согласно заявлению, — возможность создания совместного предприятия с участием SK hynix, Intel и крупных облачных компаний.

«SK hynix исследует различные варианты укрепления своей глобальной конкурентоспособности, но на данный момент конкретные планы или соглашения не завершены», — заявила компания. Она добавила, что никаких решений по двум сценариям, упомянутым в статье, не принято, и уточнила, что ничего не окончено в отношении сотрудничества с какими‑либо конкретными компаниями, названными в отчёте, или производства микросхем памяти в Соединённых Штатах.

Текущее производство SK Hynix в США

SK hynix уже строит свой первый производственный объект в США, расположенный в Индиане. 3 апреля 2024 г. компания объявила о предполагаемых инвестициях в размере $3,87 млрд в Уэст‑Лафайете, Индиана, для создания завода по передовой упаковке и исследовательско‑разработочному центру для продуктов искусственного интеллекта, проект, который она описала как первый в своём роде в Соединённых Штатах и заявил, что он создаст более тысячи новых рабочих мест в регионе. Планируется, что объект будет массово производить память следующего поколения с высокой пропускной способностью (HBM) — высокопроизводительную память, вертикально соединяющую несколько микросхем DRAM, а массовое производство намечено на вторую половину 2028 года. SK hynix также обязалась к исследовательскому сотрудничеству с Purdue University в области передовой упаковки и гетерогенной интеграции, программам подготовки кадров совместно с Purdue и Ivy Tech Community College, а также к проекту архитектуры, ориентированной на память, для эпохи генеративного ИИ.

Компания провела церемонию закладки фундамента для фабрики в Индиане 27 августа 2026 г. в спортзале Holloway Университета Purdue. Приблизительно 133‑акровый участок в Уэст‑Лафайете будет размещать линию производства HBM и испытательный центр передовой упаковки R&D, и SK hynix планирует поставлять клиентам в США память следующего поколения HBM, прошедшую упаковку и тестирование на месте, начиная со второй половины 2029 года. Среди присутствующих были губернатор Индианы Майк Браун, сенатор Тодд Янг, президент Purdue University Митч Дэниелс, мэр Уэст‑Лафайета Эрин Истер и генеральный директор SK hynix Квак Нох‑Чжон, а мероприятие включало подписание меморандума о взаимопонимании между SK hynix и Purdue в области исследований и разработок передовой упаковки. Квак заявил, что SK hynix планирует сделать этот объект своей первой базой производства HBM в Соединённых Штатах, поставляя HBM «Made in USA» и обеспечивая стабильные поставки памяти следующего поколения американским клиентам.

Расширение мощностей в Корее

7 августа 2026 г. SK hynix объявила об одобрении советом директоров примерно 54 трлн вон для двух новых фабрик в Корее: 35,2 трлн вон для фабрики Yongin Y2, производственной базы DRAM, с планируемым запуском первой чистой комнаты в июне 2029 г. для производства HBM и других продуктов DRAM следующего поколения, и 19,1 трлн вон для фабрики Cheongju M17 NAND, с запуском первой чистой комнаты в декабре 2028 г. Инвестиции входят в мастер‑планы компании: 600 трлн вон для полупроводникового кластера в Yongin и 100 трлн вон для производственной базы в Cheongju, а строительство первой фабрики Yongin, Y1, продвигается к открытию первой чистой комнаты, запланированному на февраль 2027 г. Ссылаясь на прогноз исследовательской фирмы Omdia, согласно которому спрос на DRAM и NAND будет расти со среднегодовым темпом роста 19 % в период с 2025 по 2030 г., компания описала память как ключевую инфраструктуру, определяющую производительность ИИ.

Предыдущая сделка с Intel и объект в Огайо

20 октября 2020 г. SK hynix и Intel объявили о подписанном соглашении, согласно которому SK hynix приобретёт NAND‑подразделение памяти и хранения Intel за $9 млрд, включая бизнес NAND‑SSD, бизнес компонентов и пластин NAND, а также завод по производству NAND‑памяти в Даляне, Китай. Поэтапно SK hynix выплатит $7 млрд при первом закрытии, покрывающем бизнес NAND‑SSD и завод в Даляне, а оставшиеся $2 млрд — при окончательном закрытии, запланированном на март 2025 г., при этом Intel сохранит своё подразделение Optane.

Упомянутый в сообщении объект в Огайо — это давно планируемый производственный кампус Intel. Intel анонсировал проект 21 января 2022 г. с первоначальными инвестициями более 20 млрд долл. на строительство двух передовых фабрик микросхем в округе Ликкинг на территории площадью почти 1 000 акров. Intel описывает проект как крупнейшую в истории Огайо частную инвестицию и ожидает, что начальная фаза создаст 3 000 рабочих мест в Intel и 7 000 рабочих мест в строительстве, а компания обязалась дополнительно выделить 100 млн долл. на партнёрства с учебными заведениями для создания регионального кадрового пула. Строительство началось с закладки фундамента в сентябре 2022 г., к сентябрю 2024 г. уже возводились вертикальные конструкции, а 26 ноября 2024 г. Intel и администрация Байдена‑Харрис завершили предоставление финансирования в размере 7,86 млрд долл. в рамках американского закона CHIPS Act.