SK Hynix twierdzi, że nie potwierdzono planów dotyczących doniesień o rozmowach Intel w sprawie produkcji pamięci w USA

SK hynix powiedział w oficjalnym oświadczeniu prasowym 16 września 2026 r., że nie potwierdzono ani nie sfinalizowano żadnych planów dotyczących doniesień o rozmowach z Intel w sprawie produkcji chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych, odpowiadając na raport opublikowany tego samego dnia, który opisał dwa potencjalne scenariusze transakcji.

Oświadczenie odnosiło się do raportu opublikowanego 16 września 2026 r., zatytułowanego „SK Hynix prowadzi rozmowy z Intel w sprawie transakcji na produkcję chipów pamięciowych w USA po raz pierwszy, podają źródła”. Według oświadczenia SK hynix, raport stwierdzał, że firma prowadzi rozmowy z Intel w sprawie umowy na produkcję chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych oraz wspominał o potencjalnym scenariuszu, w którym SK hynix mogłoby wynająć część długo planowanego zakładu produkcji półprzewodników Intel w Ohio. Drugi scenariusz wymieniony w raporcie, według oświadczenia, to możliwość utworzenia joint venture z udziałem SK hynix, Intel oraz dużych firm chmurowych.

„SK hynix rozważa różne opcje w celu wzmocnienia swojej globalnej konkurencyjności, ale w tej chwili nie sfinalizowano żadnych konkretnych planów ani ustaleń”, powiedziała firma. Dodała, że nie podjęto żadnych decyzji w sprawie dwóch scenariuszy wymienionych w artykule oraz wyjaśniła, że nic nie zostało sfinalizowane w zakresie współpracy z jakimikolwiek konkretnymi firmami wymienionymi w raporcie ani produkcji chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych.

Obecna rozbudowa produkcji SK Hynix w USA

SK hynix już buduje swoją pierwszą amerykańską lokalizację produkcyjną w stanie Indiana. 3 kwietnia 2024 r. firma ogłosiła szacowaną inwestycję w wysokości $3.87 miliarda w West Lafayette, Indiana, aby zbudować zaawansowaną fabrykę opakowań i centrum R&D dla produktów AI, projekt, który opisała jako pierwszy tego rodzaju w Stanach Zjednoczonych i który ma stworzyć ponad tysiąc nowych miejsc pracy w regionie. Zakład ma produkować masowo nowej generacji pamięć o wysokiej przepustowości (HBM), pamięć wysokowydajną, która pionowo łączy wiele chipów DRAM, a masowa produkcja planowana jest na drugą połowę 2028 r. SK hynix zobowiązała się także do współpracy badawczej z Purdue University w zakresie zaawansowanego pakowania i integracji heterogenicznej, programów szkoleniowych dla pracowników z Purdue oraz Ivy Tech Community College oraz projektu architektury skoncentrowanej na pamięci dla ery generatywnej sztucznej inteligencji.

Firma odbyła ceremonię wbijania pierwszego kamienia dla fabryki w Indianie 27 sierpnia 2026 r. w Holloway Gymnasium Uniwersytetu Purdue. Około 133-akrowa lokalizacja w West Lafayette będzie mieścić linię produkcji HBM oraz Advanced Packaging R&D Testbed, a SK hynix planuje dostarczać nowej generacji HBM, które przeszło pakowanie i testowanie na miejscu, amerykańskim klientom od drugiej połowy 2029 r. Wśród uczestników znaleźli się gubernator Indiany Mike Braun, senator Todd Young, prezydent Purdue University Mitch Daniels, burmistrz West Lafayette Erin Easter oraz dyrektor generalny SK hynix Kwak Noh-Jung; wydarzenie obejmowało podpisanie memorandum o porozumieniu między SK hynix a Purdue w zakresie badań i rozwoju zaawansowanego pakowania. Kwak powiedział, że SK hynix planuje uczynić zakład swoją pierwszą bazą produkcji HBM w Stanach Zjednoczonych, dostarczając HBM „Made in USA” i zapewniając stabilne dostawy pamięci nowej generacji amerykańskim klientom.

Rozbudowa zdolności w Korei

7 sierpnia 2026 r. SK hynix ogłosiła zatwierdzenie przez radę około 54 bilionów won na dwie nowe fabryki w Korei: 35,2 biliona won na fabrykę Yongin Y2, bazę produkcji DRAM, której pierwsza czysta sala ma zostać uruchomiona w czerwcu 2029 r. w celu produkcji HBM i innych produktów DRAM nowej generacji, oraz 19,1 biliona won na fabrykę Cheongju M17 NAND, której pierwsza czysta sala ma zostać uruchomiona w grudniu 2028 r. Inwestycje mieszczą się w planach macierzystych firmy: 600 bilionów won na klaster półprzewodników Yongin oraz 100 bilionów won na bazę produkcyjną w Cheongju, a budowa pierwszej fabryki Yongin, Y1, postępuje w kierunku otwarcia pierwszej czystej sali planowanego na luty 2027 r. Cytując prognozę firmy badawczej Omdia, że popyt na DRAM i NAND utrzyma roczną skumulowaną stopę wzrostu na poziomie 19 % w latach 2025‑2030, firma określiła pamięć jako kluczową infrastrukturę determinującą wydajność AI.

Poprzednia transakcja z Intelem i lokalizacja w Ohio

20 października 2020 r. SK hynix i Intel ogłosiły podpisanie umowy, na mocy której SK hynix przejąłoby działalność Intela w zakresie pamięci NAND i przechowywania danych za 9 miliardów dolarów, w tym biznes NAND SSD, działalność komponentów i wafli NAND oraz zakład produkcji pamięci NAND w Dalian w Chinach. W ramach etapowej struktury, SK hynix miałoby zapłacić 7 miliardów dolarów przy pierwszym zamknięciu, obejmującym biznes NAND SSD i zakład w Dalian, a pozostałe 2 miliardy przy ostatecznym zamknięciu, planowanym na marzec 2025 r., przy czym Intel zachowałby swoją działalność Optane.

Obiekt w Ohio wymieniony w zgłoszonym scenariuszu to długo planowany kampus produkcyjny Intela. Intel ogłosił projekt 21 stycznia 2022 r., z początkową inwestycją przekraczającą 20 mld USD na budowę dwóch fabryk najnowocześniejszych chipów w hrabstwie Licking na terenie o powierzchni prawie 1 000 akrów. Intel opisuje projekt jako największą jednorazową inwestycję sektora prywatnego w historii Ohio i przewiduje, że początkowa faza stworzy 3 000 miejsc pracy w Intel oraz 7 000 miejsc w budownictwie, a firma zobowiązała się dodatkowo przeznaczyć 100 mln USD na partnerstwa z instytucjami edukacyjnymi w celu budowy regionalnego kanału talentów. Budowa rozpoczęła się od uroczystego rozpoczęcia w wrześniu 2022 r. i osiągnęła wysokość w wrześniu 2024 r., a 26 listopada 2024 r. Intel i administracja Biden‑Harris sfinalizowały przyznanie finansowania w wysokości 7,86 mld USD w ramach ustawy US CHIPS.