SK Hynix mówi, że nie potwierdzono planów dotyczących doniesień o rozmowach Intel w USA w sprawie produkcji pamięci

SK hynix powiedział w oficjalnym oświadczeniu prasowym 16 września 2026 r., że nie potwierdzono ani nie sfinalizowano żadnych planów dotyczących doniesień o rozmowach z Intel w sprawie produkcji chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych, odpowiadając na raport opublikowany tego samego dnia, który opisał dwa potencjalne scenariusze transakcji.

Oświadczenie odnosiło się do raportu opublikowanego 16 września 2026 r., zatytułowanego „SK Hynix w rozmowach z Intel w sprawie transakcji na produkcję chipów pamięciowych w USA po raz pierwszy, podają źródła”. Według oświadczenia SK hynix, w raporcie stwierdzono, że firma prowadzi rozmowy z Intel w sprawie transakcji na produkcję chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych, oraz wspomniano o potencjalnym scenariuszu, w którym SK hynix mogłoby wynająć część długo planowanego zakładu produkcji półprzewodników Intela w Ohio. Drugi scenariusz wymieniony w raporcie, według oświadczenia, to możliwość utworzenia joint venture z udziałem SK hynix, Intela i dużych firm chmurowych.

„SK hynix rozważa różne opcje, aby wzmocnić swoją globalną konkurencyjność, ale w tej chwili nie sfinalizowano żadnych konkretnych planów ani ustaleń” – powiedziała firma. Dodała, że nie podjęto żadnych decyzji w sprawie dwóch scenariuszy wymienionych w artykule oraz wyjaśniła, że nic nie zostało sfinalizowane w zakresie współpracy z jakimikolwiek konkretnymi firmami wymienionymi w raporcie ani w zakresie produkcji chipów pamięciowych w Stanach Zjednoczonych.

Obecna rozbudowa produkcji SK Hynix w USA

SK hynix już buduje swoją pierwszą amerykańską lokalizację produkcyjną w stanie Indiana. 3 kwietnia 2024 r. firma ogłosiła szacowaną inwestycję w wysokości 3,87 mld USD w West Lafayette, Indiana, aby zbudować zaawansowaną fabrykę opakowań oraz ośrodek B+R dla produktów AI, projekt, który opisała jako pierwszy tego rodzaju w Stanach Zjednoczonych i który ma stworzyć ponad tysiąc nowych miejsc pracy w regionie. Zakład ma produkować masowo nowej generacji pamięć o wysokiej przepustowości (HBM), wysokowydajną pamięć, która pionowo łączy wiele chipów DRAM, a masowa produkcja planowana jest na drugą połowę 2028 r. SK hynix zobowiązała się także do współpracy badawczej z Purdue University w zakresie zaawansowanego pakowania i integracji heterogenicznej, programów szkoleniowych dla pracowników we współpracy z Purdue i Ivy Tech Community College oraz projektu architektury skoncentrowanej na pamięci dla ery generatywnej sztucznej inteligencji.

Firma zorganizowała ceremonię wbijania pierwszego kamienia dla fabryki w Indiana 27 sierpnia 2026 r. w Holloway Gymnasium Uniwersytetu Purdue. Około 133-akrowa lokalizacja w West Lafayette będzie mieścić linię produkcyjną HBM oraz zaawansowane centrum B+R opakowań, a SK hynix planuje dostarczać nowej generacji HBM, które przeszło pakowanie i testy na miejscu, amerykańskim klientom od drugiej połowy 2029 r. Wśród gości znaleźli się gubernator Indiany Mike Braun, senator Todd Young, prezydent Purdue University Mitch Daniels, burmistrz West Lafayette Erin Easter oraz dyrektor generalny SK hynix Kwak Noh-Jung; wydarzenie obejmowało podpisanie memorandum of understanding pomiędzy SK hynix a Purdue w sprawie badań i rozwoju zaawansowanego pakowania. Kwak powiedział, że SK hynix zamierza uczynić zakład swoją pierwszą bazą produkcji HBM w Stanach Zjednoczonych, dostarczając HBM “Made in USA” i zapewniając stabilną podaż pamięci nowej generacji dla amerykańskich klientów.

Rozbudowa zdolności w Korei

7 sierpnia 2026 r. SK hynix ogłosił zatwierdzenie przez radę nadzoru inwestycji w wysokości około 54 bln won na dwie nowe fabryki w Korei: 35,2 bln won na fabrykę Yongin Y2, bazę produkcji DRAM, której pierwsza czysta sala ma zostać uruchomiona w czerwcu 2029 r. w celu produkcji HBM i innych produktów DRAM nowej generacji, oraz 19,1 bln won na fabrykę NAND M17 w Cheongju, z planowanym otwarciem pierwszej czystej sali w grudniu 2028 r. Inwestycje te mieszczą się w planach strategicznych firmy, obejmujących 600 bln won na klaster półprzewodników w Yongin oraz 100 bln won na bazę produkcyjną w Cheongju, a budowa pierwszej fabryki Yongin, Y1, postępuje w kierunku otwarcia pierwszej czystej sali planowanego na luty 2027 r. Cytując prognozę firmy badawczej Omdia, że popyt na DRAM i NAND utrzyma roczną skumulowaną stopę wzrostu na poziomie 19 % w latach 2025‑2030, firma określiła pamięć jako kluczową infrastrukturę determinującą wydajność AI.

Poprzednia transakcja z Intelem i lokalizacja w Ohio

20 października 2020 r. SK hynix i Intel ogłosili podpisanie umowy, na mocy której SK hynix przejmie działalność Intela w zakresie pamięci NAND i przechowywania za 9 mld USD, w tym biznes SSD NAND, segment komponentów i wafli NAND oraz zakład produkcyjny pamięci NAND w Dalian w Chinach. W ramach etapowej struktury SK hynix zapłaci 7 mld USD przy pierwszym zamknięciu, obejmującym biznes SSD NAND i zakład w Dalian, a pozostałe 2 mld USD przy ostatecznym zamknięciu, planowanym na marzec 2025 r., przy czym Intel zachowa swoją działalność Optane.

Obiekt w Ohio, o którym mowa w zgłoszonym scenariuszu, to długo planowany kampus produkcyjny Intela. Intel ogłosił projekt 21 stycznia 2022 r., z początkową inwestycją przekraczającą $28 miliardów na budowę dwóch fabryk najnowocześniejszych chipów w hrabstwie Licking na terenie kampusu o powierzchni prawie 1 000 akrów. Intel opisuje projekt jako największą prywatną inwestycję w historii Ohio i przewiduje, że początkowa faza stworzy 3 000 miejsc pracy w Intel oraz 7 000 miejsc w budownictwie, a firma zobowiązała się dodatkowo przeznaczyć $100 milionów na partnerstwa z instytucjami edukacyjnymi w celu budowy regionalnego kanału talentów. Budowa rozpoczęła się od ceremonii wstrząsania ziemi we wrześniu 2022 roku i osiągnęła wysokość w wrześniu 2024, a 26 listopada 2024 roku Intel i administracja Biden‑Harris sfinalizowały przyznanie finansowania w wysokości $7,86 miliarda w ramach ustawy US CHIPS Act.