Micron demonstrerer 512 GB DDR5 RDIMM, sikter på produksjon i andre halvdel av 2027

Micron Technology den 15. september 2026 kunngjorde den vellykkede demonstrasjonen av det selskapet beskriver som verdens første 512 GB DDR5 RDIMM, en registrert dual in-line minnemodul, på tvers av flere serverplattformer. Micron sa at modulen vil levere hastigheter på opptil 9 200 MT/s, og at både AMD og Intel aktivt validerer den.

Micron sa at demonstrasjonen gir bedriftsdatasentre og skykunder en vei til å støtte store og krevende AI-, analyse-, in-memory-database- og simuleringsintensive arbeidsbelastninger med høyere effektivitet. Ifølge selskapet gjør modulen det mulig å ha opptil 12 TB DDR5 DRAM i en enkelt 24-plassers dual-socket server.

Stablet DRAM-pakking

Modulens kapasitet hviler på Microns avanserte vertikale interconnect-pakking. Designet stablet DRAM-dieer vertikalt, koblet sammen via gjennom-silikon‑vias (TSV‑er), en tilnærming som Micron sier maksimerer tettheten i individuelle DRAM-pakker samtidig som den bevarer den ytelsen moderne datasenterarkitekturer krever.

Raj Narasimhan, senior vice president og general manager for Microns Cloud Memory Business Unit, beskrev modulen som en del av en ny klasse av ultra‑tett, høy‑ytelses serverminne ment å holde større datasett nærmere beregningsmotorene som trenger dem. «En 512 GB RDIMM gjør det mulig med multi‑terabyte‑servere, som støtter større AI‑ og database‑arbeidsbelastninger, høyere virtualiserings‑tetthet og forbedret energieffektivitet, alt innenfor eksisterende server‑fotavtrykk», sa han.

Økosystemvalidering

Micron sa at de samarbeider med økosystem‑aktører for å validere 512 GB DDR5 RDIMM på tvers av neste generasjons serverplattformer, med mål om å sikre bred kompatibilitet og en smidig vei til utrulling.

Amit Goel, corporate vice president for Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering hos AMD, sa at det tekniske samarbeidet mellom de to selskapene er ment å samle beregning‑ og minneinnovasjon slik at kundene kan realisere den fulle verdien av AMD‑drevne plattformer når AI‑ og dataintensive arbeidsbelastninger omformer infrastrukturkravene.

Karin Eibschitz Segal, general manager for plattform‑ og systemingeniør i Intels Data Center Group, sa at Intel samarbeider med Micron for å validere 512 GB DDR5 RDIMM og bidra til å muliggjøre fremtidige serverplattformer. Hun beskrev minnekapasitet og båndbredde som stadig viktigere for den samlede systemytelsen ettersom AI og andre dataintensive arbeidsbelastninger stiller nye krav til server‑infrastruktur.

Darrin Alves, chief information officer for Infrastructure Platforms hos JPMorganChase, sa at organisasjonen hans i økende grad fokuserer på å optimalisere balansen mellom beregning, minne og effektivitet gjennom hele stakken etter hvert som datasenter‑arbeidsbelastningene vokser. «Minne‑teknologier med høyere kapasitet som Microns 512 GB RDIMM‑er vil hjelpe bedrifter med å støtte større in‑memory‑arbeidsbelastninger, forbedre ressursutnyttelsen og styrke fleksibiliteten som trengs for å skalere moderne datamiljøer», sa han.

Kraft‑ og ytelsespåstander

Micron sa at 512 GB RDIMM reduserer driftsstrømmen med mer enn 60 % sammenlignet med fire 128 GB RDIMM‑er, en sammenligning selskapet noterte som basert på 16,0 watt for én 512 GB‑modul mot samlet 44,2 watt for fire 128 GB‑moduler.

For minne‑intensive arbeidsbelastninger som Spark‑basert Support Vector Machine‑dataanalyse, sa Micron at 512 GB RDIMM‑er kan levere opptil 1,4 ganger høyere ytelse enn 256 GB DDR5‑konfigurasjoner. Selskapet sa også at modulen gir fordeler for minne‑intensive databaser og cache‑plattformer, inkludert RocksDB og Redis, med henvisning til forbedret gjennomstrømning, økt samtidighet og mer effektiv skalering av datasett.

Micron identifiserte den raske spredningen av store språkmodeller, agentbasert AI, sanntids‑inferens og CPU‑arbeidsbelastninger med høyt antall kjerner som drivkraften bak etterspørselen etter større server‑minnekapasitet, høyere båndbredde og forbedret energieffektivitet. Selskapet sa at modulene møter disse kravene ved å gjøre det mulig for større datasett å forbli i hovedminnet, redusere avhengigheten av tregere lagringsnivåer og minimere kostbar databevegelse.

Tidligere 256 GB‑prøvetaking og produksjonsplaner

Micron tidligere kunngjorde den 12. mai 2026 at de hadde prøvetatt en 256 GB DDR5 RDIMM til server‑økosystem‑aktører for plattformvalidering. Den modulen er bygget på selskapets 1‑gamma DRAM og benytter 3D‑stablede minnedieer koblet sammen via gjennom‑silicon‑vias. Micron sa at den kan nå hastigheter på opptil 9 200 MT/s, et tall selskapet beskrev på den tiden som mer enn 40 % raskere enn moduler i volumproduksjon, basert på en sammenligning med produkter som kjører på 6 400 MT/s. Micron sa også at en enkelt 256 GB‑modul kan redusere driftsstrømmen med mer enn 40 % sammenlignet med to 128 GB‑moduler.

Micron sa at de forventer at 512 GB RDIMM‑ene vil være i volumproduksjon en gang i andre halvdel av 2027, tilpasset kundenes behov.