Applied Materials、半導体の共同研究開発に向けたEPIC Centerを披露

Applied Materialsは2026年10月12日、カリフォルニア州サニーベールのキャンパスで、装置・プロセスの革新と商用化（EPIC）センターを披露した。同社によると、この施設は50億ドルを投じたもので、半導体プロセス技術と製造装置の共同研究開発に特化した施設として世界最大となる。

投資額に関する脚注では、顧客プロジェクトの開始に伴い、設備投資額は時間の経過とともに約50億ドルまで拡大する見込みだとしている。センター内では、半導体メーカー、システム企業、装置パートナー、大学の研究者がAppliedの科学者やエンジニアと協力して取り組む。社長兼CEOのGary Dickerson氏は、AIインフラの拡大によって半導体製造のロードマップ全体で複雑さが新たな段階に達しており、次世代半導体技術の開発と商用化に向けて、業界は協業のあり方を再構築しなければならないと述べた。

並行開発モデル

Appliedは、半導体業界が数十年にわたって頼ってきた逐次型の研究開発体制に代わるものとして、EPICを建設した。従来のモデルでは、基礎的な材料研究をある環境で行い、別の環境で装置とプロセスを開発し、さらに第三の環境でプロセス統合とパイロット生産を進めるため、各段階で引き継ぎが発生する。同センターは、材料を発明する人、装置を構築する人、半導体を製造する人を一つの施設に集め、こうした引き継ぎをなくすことを目指している。同社のEPIC Centerのページによると、パートナーはAppliedの科学者やエンジニアとともに、生産開始の3～4世代先を見据えた技術に取り組み、順次ではなく並行して開発を進める。

Appliedは、この運営モデルがパートナーシップの双方に利益をもたらすと見込んでいる。半導体メーカーは、次世代の材料や装置にいち早くアクセスできるほか、学習サイクルの短縮と量産への迅速な移行が可能になる。一方、Appliedは、複数世代にわたる新たな技術課題を見通せるようになり、研究開発投資の配分先を判断するうえで役立てられる。

披露当日は、Appliedの半導体製品グループ社長であるDr. Prabu Raja氏が主催するサミットで幕を開けた。半導体設計、製造、装置各社の研究開発責任者が、世界の半導体業界が直面する課題について議論した。「EPICは、材料、プロセス技術、装置を並行して革新できる唯一の場所です。それによって、新たな材料や技術の成功率が高まります」とRaja氏は述べた。

建設規模と持続可能性

発表資料によると、延床面積60万平方フィートの建物には、約4エーカーの先端クリーンルームが設けられており、完成までに600万時間を超える建設作業を要した。発表資料は、EPICを世界で最も複雑な研究開発施設の建設プロジェクトの一つとしている。基礎にはオリンピックサイズのプール34個分を満たす量のコンクリートが使われ、鉄骨補強構造にはエッフェル塔2基分を建設できる量の鉄鋼が用いられた。また、クリーンルームを覆う屋根トラスは34基あり、それぞれの長さは約300フィート、重さはスクールバス12台分に相当する。

同社のEPICページでは、建物の持続可能性に関する特徴も紹介されている。中央の揮発性有機化合物除去装置を全電化し、中央施設の設備を電動化することで、中央ボイラーに関連する定置燃焼由来のスコープ1排出量をなくす。また、施設では水の約40％をリサイクルして再利用する設計となっている。

創設パートナーとイノベーションパートナー

同センターは、創設パートナーのTSMC、Intel、Samsung Electronics、Micron、SK hynixに加え、イノベーションパートナーのBroadcom、Advantest、SCREEN、KIOXIA、Besi、さらに研究パートナーのArizona State University、Rensselaer Polytechnic Institute、Stanford University、UC Berkeley、UCLA Samueli School of Engineeringとともに始動する。各パートナーは、それぞれのロードマップ上の課題とエンジニアを施設に持ち込み、Appliedのチームとともに、機密性を保った学習サイクルの中で取り組む。Appliedはこれまでに、EPICに焦点を当てたIntelおよびBesiとの協業を発表しており、いずれも同センターのEPICページに掲載されたニュースで紹介されている。

多くのパートナー企業の幹部が披露イベントに出席し、施設内を初めて見学した。TSMCの会長兼CEOであるDr. C.C. Wei氏は、最先端の製造ノードが30年前の350ナノメートルから現在の2ナノメートルへと進化したと述べた。また、Appliedとそのノードを超えて協業することで、エネルギー効率に優れたAIアーキテクチャを目指す装置技術に早期アクセスできると語った。IntelのCEOであるLip-Bu Tan氏は、Intelは2030年までに1つのパッケージに1兆個を超えるトランジスタを搭載できる道筋が見えていると述べ、EPICによって同社のエンジニアがAppliedと並んで材料やプロセスの革新に取り組めると語った。

Micronの会長兼CEO、Sanjay Mehrotra氏は、Appliedと協力し、次世代メモリー技術を研究段階から大規模な量産へとつなげていくと述べた。Samsung Device SolutionsのCTO、Jaihyuk Song氏は、パートナー各社がロジック、メモリー、先端パッケージングの各分野で技術の開発、改良、導入を進めると述べた。また、SK hynixの会長兼CEO、Nohjung Kwak氏は、各社がHBM、DRAM、NANDの各分野における大きな転換点に取り組むと述べた。Broadcom Semiconductor Solutions Groupの社長、Charlie Kawwas氏は、Appliedの基盤技術に早い段階から関わってきたことに言及し、Besiの社長兼CEO、Richard Blickman氏は、将来の3D集積デバイスに向けたハイブリッドボンディングの進化を目指す共同の取り組みを挙げた。Appliedは、今後、さらに多くの企業や組織がEPICエコシステムに加わると見込んでいる。