Micron demonstrerer 512 GB DDR5 RDIMM, sigter mod produktion i anden halvdel af 2027

Micron Technology den 15. september 2026 annoncerede den vellykkede demonstration af, hvad de beskriver som verdens første 512 GB DDR5 RDIMM, en registreret dual in-line memory module, på tværs af flere serverplatforme. Micron sagde, at modulet vil levere hastigheder på op til 9.200 MT/s, og at både AMD og Intel aktivt validerer det.

Micron sagde, at demonstrationen giver enterprise-datacenter- og cloud‑kunder en vej til at understøtte store og krævende AI‑, analyse‑, in‑memory‑database‑ og simulationsintensive arbejdsbelastninger med større effektivitet. Ifølge virksomheden muliggør modulet op til 12 TB DDR5 DRAM i en enkelt 24‑slot dual‑socket‑server.

Stablet DRAM‑pakning

Modulets kapacitet hviler på Microns avancerede vertikale interconnect‑pakning. Designet stablet DRAM‑die‑lag vertikalt, forbundet via gennem‑silicium‑vias, eller TSV‑er, en tilgang som Micron siger maksimerer tæthed inden for enkelte DRAM‑pakker, samtidig med at den bevarer den ydeevne, moderne datacenter‑arkitekturer kræver.

Raj Narasimhan, senior vice president og general manager for Microns Cloud Memory Business Unit, beskrev modulet som en del af en ny klasse af ultra‑tæt, høj‑ydeevne server‑hukommelse, der er beregnet til at holde større datasæt tættere på de beregningsmotorer, der har brug for dem. »En 512 GB RDIMM muliggør multi‑terabyte‑servere, som understøtter større AI‑ og database‑arbejdsbelastninger, større virtualiserings‑tæthed og forbedret energieffektivitet, alt inden for eksisterende server‑fodaftryk,« sagde han.

Økosystemvalidering

Micron sagde, at de samarbejder med økosystem‑aktører for at validere 512 GB DDR5 RDIMM på tværs af næste generations serverplatforme, med målet at sikre bred kompatibilitet og en gnidningsfri vej til implementering.

Amit Goel, corporate vice president for Compute and Enterprise AI Platform Solutions Engineering hos AMD, sagde, at det tekniske samarbejde mellem de to virksomheder er beregnet på at samle beregning‑ og hukommelsesinnovation, så kunderne kan realisere den fulde værdi af AMD‑drevne platforme, mens AI‑ og datatunge arbejdsbelastninger omformer infrastrukturkravene.

Karin Eibschitz Segal, general manager for platform‑ og systemengineering i Intels Data Center Group, sagde, at Intel arbejder sammen med Micron om at validere 512 GB DDR5 RDIMM og hjælpe med at muliggøre fremtidige serverplatforme. Hun beskrev hukommelseskapacitet og båndbredde som stadigt vigtigere for den samlede system‑ydeevne, efterhånden som AI og andre datatunge arbejdsbelastninger stiller nye krav til server‑infrastrukturen.

Darrin Alves, chief information officer for Infrastructure Platforms hos JPMorganChase, sagde, at hans organisation i stigende grad fokuserer på at optimere balancen mellem beregning, hukommelse og effektivitet på tværs af stacken, efterhånden som datacenter‑arbejdsbelastninger vokser. »Hukommelsesteknologier med højere kapacitet som Microns 512 GB RDIMMs vil hjælpe virksomheder med at understøtte større in‑memory‑arbejdsbelastninger, forbedre ressourceudnyttelsen og øge den fleksibilitet, der er nødvendig for at skalere moderne computer‑miljøer,« sagde han.

Strøm‑ og ydeevne‑påstande

Micron sagde, at 512 GB RDIMM reducerer driftsstrømmen med mere end 60 % sammenlignet med fire 128 GB RDIMMs, en sammenligning som virksomheden noterede som baseret på 16,0 watt for ét 512 GB‑modul versus samlet 44,2 watt for fire 128 GB‑moduler.

For hukommelses‑tunge arbejdsbelastninger såsom Spark Support Vector Machines‑baseret dataanalyse, sagde Micron, at 512 GB RDIMMs kan levere op til 1,4 gange højere ydeevne end 256 GB DDR5‑konfigurationer. Virksomheden sagde også, at modulet giver fordele for hukommelsesintensive databaser og cache‑platforme, herunder RocksDB og Redis, med henvisning til forbedret gennemløb, øget samtidighed og mere effektiv skalering af datasæt.

Micron identificerede den hurtige udbredelse af store sprogmodeller, agentisk AI, real‑time inferens og CPU‑arbejdsbelastninger med mange kerner som drivkraften bag efterspørgslen efter større server‑hukommelseskapacitet, højere båndbredde og forbedret energieffektivitet. Virksomheden sagde, at modulerne imødekommer disse krav ved at gøre det muligt for større datasæt at forblive i hovedhukommelsen, reducere afhængigheden af langsommere lagringslag og minimere omkostningsfuld datatransport.

Tidligere 256 GB‑prøvetagning og produktionsplaner

Micron tidligere annoncerede den 12. maj 2026, at de havde prøvet en 256 GB DDR5 RDIMM til server‑økosystem‑aktører for platform‑validering. Det modul er bygget på virksomhedens 1‑gamma DRAM og anvender 3D‑stablede hukommelses‑die, forbundet via gennem‑silicium‑vias. Micron sagde, at det kan nå hastigheder på op til 9.200 MT/s, et tal som virksomheden på det tidspunkt beskrev som mere end 40 % hurtigere end moduler i masseproduktion, baseret på en sammenligning med produkter, der kører ved 6.400 MT/s. Micron sagde også, at et enkelt 256 GB‑modul kan reducere driftsstrømmen med mere end 40 % i forhold til to 128 GB‑moduler.

Micron sagde, at de forventer, at 512 GB RDIMMs vil være i masseproduktion på et tidspunkt i anden halvdel af 2027, tilpasset kundernes behov.