Модели и платформы ИИ
Applied Materials представляет центр EPIC для совместных НИОКР в области производства микросхем
Добавьте Unite.AI в избранные источники в Google
Applied Materials представила Центр инноваций и коммерциализации оборудования и технологических процессов (EPIC) в своем кампусе в Саннивейле, штат Калифорния, 12 октября 2026 года. Компания называет его капитальным вложением в размере 5 млрд долларов и крупнейшим в мире специализированным центром совместных исследований и разработок (НИОКР) в области технологий производства полупроводников и производственного оборудования.
В сноске к сумме инвестиций говорится, что по мере начала проектов для заказчиков капитальные затраты со временем, как ожидается, вырастут примерно до 5 млрд долларов. В центре производители микросхем, системные компании, партнеры — производители оборудования и университетские исследователи будут работать бок о бок с учеными и инженерами Applied. Президент и генеральный директор Гэри Дикерсон заявил, что масштабирование инфраструктуры ИИ усложняет дорожную карту развития производства микросхем и что отрасли необходимо перестроить подход к сотрудничеству, чтобы разрабатывать и выводить на рынок следующее поколение полупроводниковых технологий.
Модель параллельной разработки
Компания Applied создала EPIC, чтобы заменить последовательную структуру НИОКР, на которую отрасль производства микросхем опиралась десятилетиями. При традиционной модели фундаментальные исследования материалов проводятся в одной среде, разработка оборудования и технологических процессов — во второй, а интеграция процессов и опытное производство — в третьей; на каждом этапе результаты передаются дальше. Центр призван устранить эти переходы, объединив в одном здании специалистов, которые создают материалы, разрабатывают оборудование и производят микросхемы. На странице центра EPIC компании говорится, что партнеры вместе с учеными и инженерами Applied работают над технологиями, опережающими производство на три-четыре поколения, и ведут разработку параллельно, а не последовательно.
Applied рассчитывает, что такая модель работы принесет пользу обеим сторонам партнерства. Производители микросхем получат самый ранний доступ к материалам и оборудованию следующего поколения, смогут быстрее проходить циклы обучения и скорее переходить к серийному производству. Applied, в свою очередь, будет лучше понимать задачи, связанные с перспективными технологиями нескольких поколений, и сможет учитывать это при выборе направлений инвестиций в НИОКР.
День открытия начался с саммита под руководством доктора Прабу Раджи, президента подразделения Applied Semiconductor Products Group. Руководители НИОКР из компаний, занимающихся проектированием полупроводников, производством и оборудованием, обсудили проблемы, стоящие перед мировой отраслью производства микросхем. «EPIC — единственное место, где материалы, технологические процессы и оборудование будут разрабатываться параллельно, что повышает вероятность успеха новых материалов и технологий», — сказал Раджа.
Масштабы строительства и экологичность
Согласно пресс-релизу, здание площадью 600 000 квадратных футов включает почти четыре акра современных чистых помещений, а на его строительство потребовалось более шести миллионов человеко-часов. В пресс-релизе EPIC назван одним из самых сложных в мире проектов строительства объектов для НИОКР. В фундаменте использовано столько бетона, сколько потребовалось бы для заполнения 34 бассейнов олимпийского размера; в стальном каркасе — столько стали, сколько нужно для строительства двух Эйфелевых башен. Чистые помещения перекрывают 34 стропильные фермы крыши: каждая имеет длину почти 300 футов и весит столько же, сколько 12 школьных автобусов.
На странице EPIC компания также описывает экологические особенности здания: полностью электрическая центральная установка для удаления летучих органических соединений и электрифицированное оборудование центральных инженерных систем позволяют исключить выбросы категории Scope 1, связанные со сжиганием топлива в стационарных установках центральных котельных. Проект здания предусматривает переработку и повторное использование примерно 40 процентов воды.
Партнеры-основатели и инновационные партнеры
Центр начинает работу с партнерами-основателями TSMC, Intel, Samsung Electronics, Micron и SK hynix; к ним присоединились инновационные партнеры Broadcom, Advantest, SCREEN, KIOXIA и Besi, а также исследовательские партнеры Arizona State University, Rensselaer Polytechnic Institute, Stanford University, UC Berkeley и инженерная школа Samueli при UCLA. Каждый партнер привносит в центр собственные задачи, связанные с дорожной картой развития технологий, и своих инженеров; они работают вместе с командами Applied в защищенных циклах обучения. Ранее Applied сообщала о сотрудничестве в рамках EPIC с Intel и Besi; обе компании упомянуты в разделе новостей на странице EPIC.
На церемонии открытия присутствовали руководители многих компаний-партнеров, которые впервые осмотрели центр. Председатель совета директоров и генеральный директор TSMC доктор C.C. Вэй отметил, что за последние 30 лет передовой технологический узел производства прошел путь от 350 нанометров до нынешних 2 нанометров. По его словам, сотрудничество с Applied при разработке технологий за пределами этого узла дает TSMC ранний доступ к оборудованию для энергоэффективных архитектур ИИ. Генеральный директор Intel Лип-Бу Тан заявил, что Intel видит возможность разместить более одного триллиона транзисторов в одном корпусе к 2030 году и что EPIC позволит инженерам компании бок о бок с Applied работать над инновациями в области материалов и технологических процессов.
Председатель совета директоров и генеральный директор Micron Санджай Мехротра заявил, что Micron будет сотрудничать с Applied, чтобы вывести технологии памяти следующего поколения из исследовательской стадии в массовое производство в промышленных масштабах. Технический директор подразделения Device Solutions компании Samsung Джэхёк Сон заявил, что партнёры будут разрабатывать, совершенствовать и внедрять технологии в области логики, памяти и передовых технологий корпусирования, а президент и генеральный директор SK hynix Ноджон Квак сообщил, что компании займутся ключевыми технологическими переходами в сегментах HBM, DRAM и NAND. Президент Semiconductor Solutions Group компании Broadcom Чарли Кавас отметил, что компания начала работать с фундаментальными технологиями Applied раньше других, а президент и генеральный директор Besi Ричард Бликман рассказал о совместной работе над развитием гибридного соединения для будущих трёхмерных интегральных устройств. Applied рассчитывает, что со временем к экосистеме EPIC присоединятся новые компании и организации.
