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SK Hynix diz que não há planos confirmados sobre as negociações de memória nos EUA reportadas com a Intel
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SK hynix disse em um comunicado oficial à imprensa em 16 de setembro de 2026 que nenhum plano foi confirmado ou finalizado em relação às negociações reportadas com a Intel sobre a fabricação de chips de memória nos Estados Unidos, respondendo a um relatório publicado no mesmo dia que descrevia dois cenários de negócio potenciais.
O comunicado abordou um relatório publicado em 16 de setembro de 2026, intitulado “SK Hynix em negociações com a Intel sobre acordo para fabricar chips de memória nos EUA pela primeira vez, dizem fontes”. Segundo o comunicado da SK hynix, o relatório afirmava que a empresa está em negociações com a Intel sobre um acordo para fabricar chips de memória nos Estados Unidos, e mencionava um cenário potencial em que a SK hynix poderia arrendar parte da instalação de fabricação de semicondutores da Intel, planejada há muito tempo, em Ohio. Um segundo cenário mencionado no relatório, de acordo com o comunicado, é a possibilidade de estabelecer uma joint venture envolvendo a SK hynix, a Intel e grandes empresas de nuvem.
“A SK hynix está explorando várias opções para fortalecer sua competitividade global, mas nenhum plano ou acordo específico foi finalizado neste momento”, disse a empresa. A empresa acrescentou que nenhuma decisão foi tomada em relação aos dois cenários mencionados no artigo, e esclareceu que nada foi finalizado quanto à cooperação com quaisquer empresas específicas citadas no relatório ou à produção de chips de memória nos Estados Unidos.
Expansão de Manufatura dos EUA da SK Hynix
A SK hynix já está construindo seu primeiro site de produção nos EUA, em Indiana. Em 3 de abril de 2024, a empresa anunciou um investimento estimado em US$ 3,87 bilhão em West Lafayette, Indiana, para construir uma instalação de fabricação avançada de embalagem e P&D para produtos de IA, um projeto que descreveu como o primeiro desse tipo nos Estados Unidos e afirmou que geraria mais de mil novos empregos na região. A instalação está planejada para produzir em massa memória de alta largura de banda de próxima geração, ou HBM, uma memória de alto desempenho que interconecta verticalmente múltiplos chips DRAM, com produção em massa prevista para o segundo semestre de 2028. A SK hynix também se comprometeu com colaboração de pesquisa com a Purdue University em embalagem avançada e integração heterogênea, programas de treinamento de força de trabalho com a Purdue e o Ivy Tech Community College, e um projeto sobre arquitetura centrada em memória para a era da IA generativa.
A empresa realizou uma cerimônia de inauguração para a fábrica de Indiana em 27 de agosto de 2026, no Holloway Gymnasium da Purdue University. O local de aproximadamente 133 acres em West Lafayette abrigará uma linha de produção de HBM e um Testbed de P&D de Embalagem Avançada, e a SK hynix planeja fornecer HBM de próxima geração que passou por embalagem e teste no local para clientes dos EUA a partir do segundo semestre de 2029. Entre os presentes estavam o governador de Indiana Mike Braun, o senador Todd Young, o presidente da Purdue University Mitch Daniels, a prefeita de West Lafayette Erin Easter e o CEO da SK hynix Kwak Noh-Jung, e o evento incluiu a assinatura de um memorando de entendimento entre a SK hynix e a Purdue para pesquisa e desenvolvimento de embalagem avançada. Kwak afirmou que a SK hynix pretende estabelecer a instalação como sua primeira base de produção de HBM nos Estados Unidos, fornecendo HBM “Made in USA” e garantindo um fornecimento estável de memória de próxima geração aos clientes dos EUA.
Expansão de Capacidade na Coreia
Em 7 de agosto de 2026, a SK hynix anunciou a aprovação do conselho de aproximadamente 54 trilhões de won para duas novas fábricas coreanas: 35,2 trilhões de won para a fábrica Yongin Y2, uma base de produção de DRAM com objetivo de ter a primeira sala limpa em junho de 2029 para produzir HBM e outros produtos de DRAM de próxima geração, e 19,1 trilhões de won para a fábrica Cheongju M17 NAND, com meta de primeira sala limpa em dezembro de 2028. Os investimentos estão inseridos nos planos mestre da empresa de 600 trilhões de won para o Cluster de Semicondutores de Yongin e 100 trilhões de won para sua base de produção em Cheongju, e a construção da primeira fábrica Yongin, Y1, avança rumo à abertura inicial da sala limpa prevista para fevereiro de 2027. Citando a projeção da empresa de pesquisa de mercado Omdia de que a demanda por DRAM e NAND manterá uma taxa de crescimento anual composta de 19 % de 2025 a 2030, a empresa descreveu a memória como infraestrutura central que determina o desempenho da IA.
Transação Anterior com a Intel e o Site de Ohio
Em 20 de outubro de 2020, a SK hynix e a Intel anunciaram um acordo assinado pelo qual a SK hynix adquiriria o negócio de memória e armazenamento NAND da Intel por US$ 9 bilhões, incluindo o negócio de SSDs NAND, o negócio de componentes e wafers NAND, e a instalação de fabricação de memória NAND em Dalian, na China. Conforme a estrutura em etapas, a SK hynix pagaria US$ 7 bilhões no primeiro fechamento, cobrindo o negócio de SSDs NAND e a instalação de Dalian, e os US$ 2 bilhões restantes no fechamento final, previsto para março de 2025, enquanto a Intel manteria seu negócio Optane.
A instalação de Ohio referida no cenário relatado é o campus de fabricação de longo prazo da Intel. A Intel anunciou o projeto em 21 de janeiro de 2022, com um investimento inicial de mais de $28 billion para construir duas fábricas de chips de última geração no condado de Licking, em um campus de quase 1.000 acres. A Intel descreve o projeto como o maior investimento privado único na história de Ohio e espera que a fase inicial crie 3.000 empregos na Intel e 7.000 empregos na construção, e a empresa prometeu $100 million adicionais para parcerias com instituições educacionais para criar um fluxo regional de talentos. A construção começou com a cerimônia de inauguração em setembro de 2022 e avançou verticalmente até setembro de 2024, e em 26 de novembro de 2024, a Intel e a administração Biden-Harris finalizaram uma concessão de financiamento de $7.86 billion sob o US CHIPS Act.
