Semtech garante capacidade dedicada de SiGe na Tower para interconexão de IA

Tower Semiconductor e Semtech Corporation anunciaram, em 13 de outubro de 2026, a ampliação de um acordo plurianual pelo qual a Semtech investirá para garantir capacidade dedicada de silício-germânio (SiGe) na Tower, dando continuidade à parceria de 20 anos entre as empresas para apoiar interconexões ópticas e de cobre na infraestrutura de data centers de IA.

O comunicado conjunto, datado de Migdal Haemek, Israel, e Camarillo, Califórnia, relaciona o investimento em capacidade ao que as empresas descreveram como importantes conquistas de projetos e demanda por componentes ópticos de interconexão para data centers de IA. A Tower atua como fundição de soluções analógicas de semicondutores de alto valor, enquanto a Semtech fornece semicondutores de alto desempenho para redes de data centers de IA e dispositivos conectados da Internet das Coisas.

Capacidade dedicada em três regiões

A capacidade garantida abrange as fábricas da Tower nos Estados Unidos, em Israel e no Japão. Segundo as empresas, essa presença geográfica aumenta a resiliência do fornecimento e a diversificação geográfica da estratégia de fabricação da Semtech. O acordo se baseia na produção atual e oferece à Semtech garantias adicionais de fornecimento. De acordo com o comunicado, espera-se que a demanda por seus produtos baseados em SiGe cresça em uma base cada vez mais ampla de programas de clientes e mercados finais.

As declarações prospectivas do comunicado alertam que os resultados podem diferir das projeções e citam a capacidade da Tower de instalar equipamentos e ampliar a capacidade de fabricação de SiGe em suas fábricas no prazo previsto; a possibilidade de a demanda pelos produtos da Semtech baseados em SiGe não evoluir conforme o esperado ou de a Semtech não utilizar plenamente a capacidade reservada; e o risco de os projetos conquistados não se converterem em pedidos de produção ou receita nos níveis ou prazos previstos. As declarações também mencionam o ritmo dos investimentos em data centers de IA, a velocidade de adoção das velocidades de interconexão da próxima geração e a dependência da Semtech da Tower para fabricar seus produtos baseados em SiGe, cuja fabricação está concentrada em um número limitado de instalações, inclusive em Israel.

Portfólio SiGe e roteiro de velocidades

O comunicado apresenta a energia como o próximo fator limitante da IA, com uma parcela cada vez maior sendo destinada à movimentação de dados, em vez de ao processamento. À medida que os clusters de IA se expandem por racks, fileiras e campi, o custo energético por bit da movimentação de dados determina cada vez mais quanto trabalho útil cada acelerador consegue realizar, disseram as empresas. Cada etapa do roteiro de velocidades — de 800G para 1.6T e, depois, para 3.2T — aumenta os requisitos de largura de banda, alcance e energia por bit, ampliando a importância do front-end analógico de alta velocidade que transmite e recebe o sinal.

O portfólio de integridade de sinal da Semtech, que inclui amplificadores de transimpedância (TIAs), drivers de moduladores e lasers e equalizadores lineares, é baseado na tecnologia de processo SiGe da Tower. Ele atende à óptica com retiming completo (FRO), à óptica linear conectável (LPO), à óptica linear de recepção (LRO), à óptica próxima ao encapsulamento (NPO), à óptica conectável de densidade extra (XPO), a equalizadores lineares em placas de circuito impresso (PCB) e a cabos de cobre ativos (ACC). A Semtech afirmou acreditar que esses produtos a posicionam para atender às conexões de cobre dentro dos racks e às conexões ópticas em todo o data center, à medida que o setor migra para sua próxima geração de arquiteturas.

Em 25 de agosto de 2026, a Semtech apresentou uma família de soluções de TIA linear e drivers de 224G projetadas para arquiteturas de óptica próxima ao encapsulamento (NPO) e óptica coempacotada (CPO) em clusters de inteligência artificial e aprendizado de máquina e em data centers de hiperescala: GN1838L e GN42T380, que a Semtech descreveu como os primeiros TIAs lineares octais do setor, e o driver linear octal de modulador Mach-Zehnder GN42M380, otimizado para motores ópticos de 1.6T, 3.2T, 6.4T e 12.8T. O GN1838L tem espaçamento entre canais de 500µm, e o GN42T380, de 375µm; ambos incluem um estágio de controle automático de ganho e equalização linear programável de tempo contínuo. O GN42M380, com espaçamento entre canais de 375µm, é compatível com moduladores de fotônica de silício, Mach-Zehnder de fosfeto de índio e niobato de lítio em película fina.

Em 21 de setembro de 2026, a Semtech anunciou sua adesão ao Acordo de Múltiplas Fontes para Óptica Plugável de Densidade Extra (XPO MSA), uma iniciativa do setor que define um formato de transceptor óptico de alta densidade de 12.8T para infraestrutura de IA. Nos termos do MSA, a geração atual de módulos oferece 12.8T a 200G por pista, com refrigeração líquida integrada, e uma geração futura prevê interfaces elétricas de 400G por pista.

A Semtech afirmou que seu portfólio de drivers de modulador e TIAs de 200G por pista, que inclui TIAs quádruplos e octais com espaçamentos entre canais de 750µm, 500µm e 375µm e drivers de modulador Mach-Zehnder com espaçamentos de 625µm e 375µm, foi projetado para apoiar o desenvolvimento e a implantação em volume de transceptores XPO. No mesmo comunicado, Scott Wilkinson, analista-chefe de componentes ópticos da Cignal AI, projetou que a demanda por óptica para comunicação de dados crescerá de US$ 9 bilhões em 2024 para um valor estimado de US$ 37 bilhões em 2026.

Prêmio da ECOC e declarações de executivos

A Semtech recebeu o prêmio de Inovação em Componentes Ópticos (Chip/Wafer) na Conferência Europeia de Comunicação Óptica (ECOC) de 2026, realizada de 21 a 23 de setembro de 2026, em Málaga, na Espanha, por sua família de amplificadores de transimpedância (TIA) de 224 Gbps por lane para óptica linear conectável, desenvolvida com a tecnologia SiGe da Tower. As empresas disseram que continuam trabalhando em estreita colaboração na capacidade e em um roteiro tecnológico conjunto, concebido para assegurar a liderança de produtos em interconexões de data centers de IA ao longo de várias gerações.

Hong Hou, presidente e diretor-executivo da Semtech, afirmou que os clientes da empresa estão ampliando rapidamente a largura de banda das interconexões, em escala massiva, e que atender a essa demanda exige planejamento de capacidade de longo prazo e parceiros de fabricação comprometidos. Segundo Hou, o acordo “garante capacidade dedicada de SiGe em três regiões para expandir as interconexões de cobre e ópticas, de 800G e 1,6T hoje a 3,2T e além”.

Russell Ellwanger, diretor-executivo da Tower Semiconductor, afirmou que as empresas estão desenvolvendo soluções em nível de plataforma que oferecem o que chamou de métricas de desempenho de ponta nas tecnologias da geração atual, da próxima geração e N+2, e que essas soluções estão sendo qualificadas bem antes da demanda do mercado. Ele disse que a parceria está garantindo a expansão contínua da participação de mercado que, segundo ele, as empresas já lideram na conectividade de transceptores ópticos.