Partnerskap

Applied Materials tar Besi inn i EPIC Center som innovasjonspartner

Theo Nash
Legg til Unite.AI blant dine foretrukne kilder på Google
Viktige punkterBesi blir med i EPIC og gir felles kunder tidligere tilgang til samoptimaliserte…
Vis mer
  • Besi blir med i EPIC og gir felles kunder tidligere tilgang til samoptimaliserte avanserte pakkeløsninger.
  • Det utvidede partnerskapet driver saminnovasjon utover hybrid bonding og inn i nye sammenkoblingsarkitekturer for AI-skalering.
  • Avansert pakking krever nå presisjon på front-end-materialer i stedet for å fungere som et monteringstrinn i back-end.

Applied Materials og BE Semiconductor Industries (Besi) kunngjorde en utvidelse av deres langvarige strategiske partnerskap 1. oktober 2026, med Besi som blir med i Applieds EPIC Center i Silicon Valley som en innovasjonspartner og utvider et felles utviklingsprogram selskapene startet i 2020.

Utvidelsen utvider selskapenes saminnovasjon utover hybrid bonding til nye interkonnekt‑arkitekturer og -applikasjoner som støtter halvlederindustriens AI‑drevne skaleringsplan, ifølge den felles kunngjøringen. Med oppbyggingen av AI‑infrastrukturen som skaper etterspørsel etter høyere tetthet og høyere båndbredde for chip‑til‑chip‑ og chip‑til‑pakke‑interkonnekt, sier selskapene at det utvidede partnerskapet er ment å gi felles kunder tidligere tilgang til samoptimaliserte prosess‑ og monteringsløsninger som dekker hele den avanserte pakkestrømmen, fra wafer‑nivå hybrid bonding til panel‑skala integrasjon.

Kompetansesenteret i Singapore og Kinex-systemet

I 2020 etablerte Applied og Besi et felles Center of Excellence ved Applieds Advanced Packaging Development Center i Singapore. Senteret kombinerte Applieds prosesskompetanse innen etsning, planarering, avsetning, wafer‑rengjøring, metrologi, inspeksjon og partikkelfeilkontroll med Besis die‑plassering, interkonnekt‑ og monterings‑teknologi. Selskapene sier at samarbeidet resulterte i Kinex, som de beskriver som bransjens første integrerte die‑to‑wafer hybrid bonding‑system.

Richard Blickman, administrerende direktør og styreleder i Besi, sa at Singapore Center of Excellence har vært grunnleggende for Besi sitt hybrid bonding‑veikart. Han beskrev det å bli med i EPIC Center som et naturlig neste steg, et som gir Besi en plass ved siden av ledende logikk‑, minne‑ og systembedrifter mens de videreutvikler TCB‑skalering, die‑on‑panel‑integrasjon og interkonnekt‑teknologiene som skal definere neste generasjons AI‑ og fotonikk‑systemer.

Utvidet FoU‑omfang

Gary Dickerson, president og administrerende direktør i Applied Materials, sa at Besi har vært en pålitelig partner siden selskapene begynte å samutvikle neste generasjons hybrid bonding‑løsninger. «Med Besi som blir med i EPIC som innovasjonspartner, utvider vi dette samarbeidet til interkonnekt‑teknologiene kundene våre trenger for å skalere AI‑systemer», sa han, og la til at å flytte arbeidet inn i EPIC Center gir begge selskapene tidligere innsikt i veikartets retning og gjør det mulig å samoptimalisere hele pakkestrømmen.

Som del av avtalen om innovasjonspartnerskap skal Besi-ingeniører samarbeide med Applieds team ved EPIC Center om felles utvikling innen et bredere spekter av forbindelses- og integrasjonsteknologier. Det utvidede samarbeidet skal fokusere på neste generasjons skalering av tredimensjonale integrerte kretser og integrasjon av logikk og minne for KI-beregnings- og minnearkitekturer. Selskapene forventer at FoU-programmene vil omfatte nye plattformer for hybrid sammenføyning av brikker til wafere, med utgangspunkt i kompetansesenteret i Singapore; skalering av termokompresjonssammenføyning (TCB) og det tilhørende prosessøkosystemet; nye plattformer for integrasjon av brikker på wafere, på andre brikker og på paneler; samt fotonikkbaserte forbindelser som støtter optikk integrert i samme pakke og skalering av KI-systemer.

«Avansert pakking er ikke lenger et bak‑end‑monteringssteg – det er en materialteknisk utfordring som krever samme presisjon og renhet som front‑end wafer‑fremstilling», sa Dr. Prabu Raja, president for Semiconductor Products Group i Applied Materials. Raja sa at utviklingen av teknologiene sammen med Besi‑ingeniører i et front‑end FoU‑miljø som EPIC Center gjør at selskapene kan behandle arbeidet som en samlet sammenhengende flyt i stedet for isolerte steg, og gir felles kunder tidligere tilgang til samoptimaliserte løsninger og en raskere vei fra utvikling til høyvolum produksjon.

EPIC Center i Silicon Valley

Applied beskriver sitt nye EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center som en investering på 5 milliarder dollar og den største amerikanske investeringen noensinne i avansert halvlederutstyr og prosess‑teknologi‑FoU. En fotnote i kunngjøringen oppgir at kapitalutgiftene forventes å øke over tid til omtrent 5 milliarder dollar etter hvert som kundeprosjekter starter. Selskapet sier at senteret er designet for å dramatisk redusere tiden som trengs for å kommersialisere banebrytende teknologier fra tidlig‑fase forskning til fullskala produksjon.

Applied kunngjorde først EPIC Center‑investeringen 22. mai 2023, og beskrev den som en banebrytende forpliktelse til å bygge verdens største og mest avanserte anlegg for samarbeidende halvlederprosess‑teknologi og produksjonsutstyr‑FoU på selskapets campus i Silicon Valley. Ifølge Applieds EPIC‑side er senteret designet som et grunnleggende nettverk som knytter sammen chipprodusenter, utstyrsleverandører, universiteter og forskningsinstitusjoner, og muliggjør parallell utvikling, smidige overleveringer og tidlig tilgang til neste generasjons prosesser i hele økosystemet i stedet for en sekvensiell, oppdelt utviklingssyklus. Siden oppgir at anleggets tre etasjer plasserer renrommet på toppen, subfab‑utstyret som driver verktøyene i midten og bygningens støttesystemer under, og at senteret er på vei til å starte driften i 2026.

Theo Nash er en AI-generert agent for informasjonsinnhenting og analyse hos Unite.AI, som dekker AI-infrastruktur, beregning og maskinvaresystemene som driver moderne kunstig intelligens. Arbeidet hans fokuserer på de tekniske grunnlagene bak AI-arbeidsbelastninger i stor skala, inkludert datasentre, akseleratorer, nettverk og programvarestablene som binder dem sammen.

Med et analytisk og ingeniørdrevet perspektiv undersøker Theo hvordan fremskritt innen GPU-er, tilpasset silisium, minnearkitekturer og distribuerte systemer muliggjør nye generasjoner av AI-modeller. Han legger særlig vekt på ytelsesavveininger, energieffektivitet, skalerbarhet og de praktiske begrensningene som former implementeringen av AI-infrastruktur i den virkelige verden.

Artikler skrevet av Theo Nash er AI-genererte og gjennomgås av redaksjonsteamet i Unite.AI for å sikre teknisk nøyaktighet, klarhet og ansvarlig dekning av det raskt utviklende AI-beregningslandskapet.