파트너십

Applied Materials, Besi를 EPIC Center에 혁신 파트너로 영입

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Applied Materials와 BE Semiconductor Industries (Besi)가 오랜 전략적 파트너십을 확대했다고 발표했습니다 2026년 10월 1일, Besi는 Silicon Valley에 위치한 Applied EPIC Center에 혁신 파트너로 합류하고 2020년에 시작된 공동 개발 프로그램을 확대합니다.

이번 확대는 양사의 공동 혁신을 하이브리드 본딩을 넘어 새로운 인터커넥트 아키텍처와 반도체 산업의 AI 기반 확장 로드맵을 지원하는 애플리케이션으로 확장한다고 공동 발표했습니다. AI 인프라 구축으로 고밀도·고대역폭 칩-투-칩 및 칩-투-패키지 인터커넥트에 대한 수요가 증가함에 따라, 양사는 확대된 파트너십이 고객에게 웨이퍼 수준 하이브리드 본딩부터 패널 규모 통합에 이르는 전체 첨단 패키징 흐름을 아우르는 공동 최적화 공정 및 조립 솔루션에 더 빠르게 접근할 수 있도록 할 것이라고 밝혔습니다.

싱가포르 우수 센터와 Kinex 시스템

2020년에 Applied와 Besi는 싱가포르에 위치한 Applied의 Advanced Packaging Development Center에서 공동 우수 센터를 설립했습니다. 이 센터는 Etch, Planarization, Deposition, Wafer Cleaning, Metrology, Inspection 및 Particle Defect Control 분야의 Applied의 공정 전문성을 Besi의 다이 배치, 인터커넥트 및 조립 기술과 결합했습니다. 양사는 이 협업을 통해 Kinex를 탄생시켰으며, 이를 업계 최초의 통합 다이-투-웨이퍼 하이브리드 본딩 시스템이라고 설명했습니다.

Besi의 CEO 겸 이사회 의장인 Richard Blickman은 싱가포르 우수 센터가 Besi의 하이브리드 본딩 로드맵에 기초가 되었다고 말했습니다. 그는 EPIC Center에 합류하는 것을 자연스러운 다음 단계로 설명했으며, 이는 Besi가 선도적인 로직, 메모리 및 시스템 기업들과 함께 자리를 차지하게 하여 TCB 스케일링, 다이-온-패널 통합 및 차세대 AI와 포토닉스 시스템을 정의할 인터커넥트 기술을 발전시키는 데 기여한다고 밝혔습니다.

확대된 R&D 범위

Applied Materials의 사장 겸 CEO인 Gary Dickerson은 Besi가 차세대 하이브리드 본딩 솔루션을 공동 개발하기 시작한 이래 신뢰받는 파트너였다고 말했습니다. “Besi가 EPIC에 혁신 파트너로 합류함으로써, 우리는 고객이 AI 시스템을 확장하는 데 필요한 인터커넥트 기술 전반에 걸쳐 협업을 확대하고 있습니다,”라고 그는 말했으며, EPIC Center로 작업을 옮김으로써 양사가 로드맵 방향을 더 일찍 파악하고 전체 패키징 흐름을 공동 최적화할 수 있게 된다고 덧붙였습니다.

혁신 파트너 협약 하에, Besi 엔지니어들은 EPIC Center에서 Applied 팀과 함께 보다 광범위한 인터커넥트 및 통합 기술을 아우르는 공동 개발을 진행합니다. 확대된 협업은 차세대 3D IC 스케일링과 AI 연산 및 메모리 아키텍처를 위한 로직 및 메모리 통합에 초점을 맞출 것입니다. 양사는 R&D 프로그램에 싱가포르 우수 센터를 기반으로 한 새로운 다이-투-웨이퍼 하이브리드 본딩 플랫폼, 열압축 본딩(TCB) 및 그 주변 공정 생태계의 확대, 새로운 다이-온-웨이퍼, 다이-온-다이 및 다이-온-패널 통합 플랫폼, 그리고 공동 패키징 광학 및 AI 시스템 스케일링을 지원하는 포토닉스 기반 인터커넥트 애플리케이션을 포함할 것으로 기대합니다.

“첨단 패키징은 더 이상 후단 조립 단계가 아니라, 전단 웨이퍼 제조와 동일한 정밀도와 청정도를 요구하는 소재 공학 과제입니다,” 라고 Applied Materials의 Semiconductor Products Group 사장인 Dr. Prabu Raja가 말했습니다. Raja는 EPIC Center와 같은 전단 R&D 환경에서 Besi 엔지니어와 함께 기술을 개발함으로써, 작업을 개별 단계가 아닌 하나의 연결된 흐름으로 취급할 수 있게 되어, 양사의 고객이 공동 최적화 솔루션에 더 빠르게 접근하고 개발 단계에서 대량 생산 단계로의 전환이 빨라진다고 설명했습니다.

Silicon Valley의 EPIC Center

Applied는 새로운 EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center를 50억 달러 규모의 투자이자 첨단 반도체 장비 및 공정 기술 R&D에 대한 미국 사상 최대 투자로 설명합니다. 발표에 포함된 각주에 따르면, 고객 프로젝트가 시작됨에 따라 자본 지출이 시간이 지남에 따라 약 50억 달러까지 확대될 것으로 예상됩니다. 회사는 이 센터가 초기 연구 단계부터 대규모 제조에 이르기까지 혁신 기술을 상용화하는 데 필요한 시간을 크게 단축하도록 설계되었다고 밝혔습니다.

Applied는 2023년 5월 22일에 EPIC Center 투자를 처음 발표했습니다, 이를 세계 최대이자 가장 첨단인 협업 반도체 공정 기술 및 제조 장비 R&D 시설을 Silicon Valley 캠퍼스에 구축하기 위한 획기적인 약속이라고 설명했습니다. 회사의 EPIC 페이지에 따르면, 이 센터는 반도체 제조업체, 장비 제조업체, 대학 및 연구 기관을 연결하는 기반 네트워크로 설계되어, 병렬 개발, 민첩한 인계 및 생태계 전반에 걸친 차세대 공정에 대한 조기 접근을 가능하게 하며, 순차적이고 구획된 개발 사이클이 아니라 이러한 방식을 지원합니다. 페이지는 시설의 3층이 상단에 클린룸을, 중간에 해당 장비를 운영하는 서브팹 장비를, 하단에 건물 지원 시스템을 배치하고 있으며, 센터는 2026년에 운영을 시작할 예정이라고 명시하고 있습니다.

Theo Nash은 Unite.AI에서 AI 생성 전문가로서 AI 인프라, 컴퓨팅 및 현대 인공지능을 구동하는 하드웨어 시스템을 다룹니다. 그의 작업은 대규모 AI 워크로드의 기술적 기반에 초점을 맞추며, 데이터 센터, 가속기, 네트워킹 및 이를 연결하는 소프트웨어 스택을 포함합니다.

분석적이고 엔지니어링 중심의 관점으로 Theo는 GPU, 맞춤형 실리콘, 메모리 아키텍처 및 분산 시스템의 진보가 새로운 세대의 AI 모델을 어떻게 가능하게 하는지 검토합니다. 그는 성능 트레이드오프, 에너지 효율성, 확장성 및 AI 인프라의 실제 배포를 형성하는 실질적인 제약 조건에 특히 주목합니다.

Theo Nash가 작성한 기사들은 AI가 생성했으며, Unite.AI의 편집팀이 검토하여 빠르게 진화하는 AI 컴퓨팅 환경에 대한 기술적 정확성, 명확성 및 책임 있는 보도를 보장합니다.