Applied Materials porta Besi nel EPIC Center come Partner di Innovazione

Applied Materials e BE Semiconductor Industries (Besi) ha annunciato un’espansione della loro partnership strategica di lunga data il 1 ottobre 2026, con Besi che si unisce all’EPIC Center di Applied nella Silicon Valley come Partner di Innovazione e che estende il programma di sviluppo congiunto lanciato dalle aziende nel 2020.

L’espansione estende la co-innovazione delle aziende oltre il bonding ibrido verso nuove architetture di interconnessione e applicazioni a supporto della roadmap di scaling guidata dall’IA dell’industria dei semiconduttori, secondo l’annuncio congiunto. Con lo sviluppo dell’infrastruttura IA che genera una domanda di interconnessioni chip‑to‑chip e chip‑to‑package a più alta densità e larghezza di banda, le aziende hanno dichiarato che la partnership ampliata intende offrire ai clienti comuni un accesso anticipato a soluzioni di processo e assemblaggio co‑ottimizzate che coprono l’intero flusso di packaging avanzato, dal bonding ibrido a livello di wafer fino all’integrazione su scala di pannello.

Centro di Eccellenza di Singapore e il Sistema Kinex

Nel 2020, Applied e Besi hanno istituito un Centro di Eccellenza congiunto presso l’Advanced Packaging Development Center di Applied a Singapore. Il centro ha combinato l’expertise di Applied nei processi di incisione, planarizzazione, deposizione, pulizia dei wafer, metrologia, ispezione e controllo dei difetti di particelle con la tecnologia di posizionamento dei die, interconnessione e assemblaggio di Besi. Le aziende affermano che la collaborazione ha portato a Kinex, che descrivono come il primo sistema ibrido die‑to‑wafer integrato dell’industria.

Richard Blickman, CEO e Presidente del Consiglio di Amministrazione di Besi, ha dichiarato che il Centro di Eccellenza di Singapore è stato fondamentale per la roadmap del bonding ibrido di Besi. Ha descritto l’ingresso nell’EPIC Center come il passo successivo naturale, che offre a Besi un posto accanto alle principali aziende di logica, memoria e sistemi mentre avanza la scalatura TCB, l’integrazione die‑on‑panel e le tecnologie di interconnessione destinate a definire i sistemi di IA e fotonica di nuova generazione.

Ambito R&D Espanso

Gary Dickerson, Presidente e CEO di Applied Materials, ha affermato che Besi è stato un partner fidato sin dal momento in cui le aziende hanno iniziato a co‑sviluppare soluzioni di bonding ibrido di nuova generazione. “Con Besi che si unisce all’EPIC come Partner di Innovazione, stiamo estendendo quella collaborazione alle tecnologie di interconnessione di cui i nostri clienti hanno bisogno per scalare i sistemi IA”, ha detto, aggiungendo che portare il lavoro nell’EPIC Center offre a entrambe le aziende una visibilità più precoce sulla direzione della roadmap e consente loro di co‑ottimizzare l’intero flusso di packaging.

Secondo l’accordo di Innovation Partner, gli ingegneri di Besi collaboreranno con i team di Applied presso l’EPIC Center nello sviluppo congiunto di un più ampio spettro di tecnologie di interconnessione e integrazione. La collaborazione ampliata si concentrerà sulla scalatura dei circuiti integrati 3D di nuova generazione e sull’integrazione di logica e memoria per le architetture di calcolo e memoria IA. Le aziende prevedono che i programmi di R&D includeranno nuove piattaforme per il bonding ibrido die‑to‑wafer basate sul Centro di Eccellenza di Singapore, la scalatura del bonding termo‑compressione (TCB) e del relativo ecosistema di processo, nuove piattaforme di integrazione die‑on‑wafer, die‑on‑die e die‑on‑panel, e applicazioni di interconnessione abilitate dalla fotonica a supporto dell’ottica co‑pacchettizzata e della scalatura dei sistemi IA.

«Il packaging avanzato non è più una fase di assemblaggio back‑end – è una sfida di ingegneria dei materiali che richiede la stessa precisione e pulizia della fabbricazione front‑end dei wafer», ha dichiarato il dott. Prabu Raja, Presidente del Semiconductor Products Group di Applied Materials. Raja ha affermato che sviluppare le tecnologie insieme agli ingegneri di Besi in un contesto di R&D front‑end come l’EPIC Center consente alle aziende di trattare il lavoro come un flusso unico e connesso anziché come passaggi isolati, offrendo ai clienti comuni un accesso anticipato a soluzioni co‑ottimizzate e un percorso più rapido dallo sviluppo alla produzione ad alto volume.

L’EPIC Center nella Silicon Valley

Applied descrive il suo nuovo EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center come un investimento da 5 miliardi di dollari e il più grande investimento mai effettuato negli Stati Uniti in attrezzature avanzate per semiconduttori e ricerca e sviluppo di tecnologia di processo. Una nota a piè di pagina nell’annuncio indica che la spesa in conto capitale dovrebbe aumentare nel tempo fino a circa 5 miliardi di dollari con l’avvio dei progetti dei clienti. L’azienda ha affermato che il centro è progettato per ridurre drasticamente il tempo necessario a commercializzare tecnologie rivoluzionarie, dalla ricerca iniziale alla produzione su larga scala.

Applied ha annunciato per la prima volta l’investimento nell’EPIC Center il 22 maggio 2023, descrivendolo come un impegno storico per costruire la più grande e avanzata struttura al mondo per la tecnologia di processo dei semiconduttori collaborativa e la ricerca e sviluppo di attrezzature di produzione presso il campus di Silicon Valley dell’azienda. Secondo la pagina EPIC dell’azienda, il centro è progettato come una rete fondamentale che collega i produttori di chip, i produttori di attrezzature, le università e le istituzioni di ricerca, consentendo sviluppo parallelo, trasferimenti agili e accesso anticipato a processi di nuova generazione nell’intero ecosistema anziché un ciclo di sviluppo seriale e compartimentato. La pagina afferma che i tre piani della struttura collocano la cleanroom in cima, le attrezzature subfab che gestiscono quegli strumenti al centro e i sistemi di supporto dell’edificio al di sotto, e che il centro è in linea per avviare le operazioni nel 2026.