Partenariats

Applied Materials intègre Besi au centre EPIC en tant que partenaire d’innovation

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Applied Materials et BE Semiconductor Industries (Besi) a annoncé une extension de leur partenariat stratégique de longue date le 1 octobre 2026, Besi rejoignant le centre EPIC d’Applied dans la Silicon Valley en tant que partenaire d’innovation et prolongeant le programme de développement conjoint lancé par les entreprises en 2020.

Selon l’annonce conjointe, l’extension porte la co‑innovation des entreprises au‑delà du collage hybride vers de nouvelles architectures d’interconnexion et des applications soutenant la feuille de route de mise à l’échelle pilotée par l’IA de l’industrie des semi‑conducteurs. Avec le développement de l’infrastructure IA générant une demande pour des interconnexions chip‑to‑chip et chip‑to‑package à densité et bande passante supérieures, les entreprises ont déclaré que le partenariat élargi vise à offrir aux clients communs un accès anticipé à des solutions de processus et d’assemblage co‑optimisées couvrant l’ensemble du flux d’emballage avancé, du collage hybride au niveau de la plaquette jusqu’à l’intégration à l’échelle du panneau.

Centre d’excellence de Singapour et le système Kinex

En 2020, Applied et Besi ont créé un centre d’excellence conjoint au Centre de développement d’emballage avancé d’Applied à Singapour. Le centre a combiné l’expertise d’Applied en gravure, planarisation, dépôt, nettoyage de plaquettes, métrologie, inspection et contrôle des défauts particulaires avec la technologie de placement de puces, d’interconnexion et d’assemblage de Besi. Les entreprises déclarent que la collaboration a donné naissance à Kinex, qu’elles décrivent comme le premier système intégré de collage hybride puce‑à‑plaquette de l’industrie.

Richard Blickman, PDG et président du conseil d’administration de Besi, a déclaré que le centre d’excellence de Singapour a été fondamental pour la feuille de route de collage hybride de Besi. Il a décrit l’intégration au centre EPIC comme une étape naturelle, offrant à Besi une place aux côtés des principales entreprises de logique, de mémoire et de systèmes alors qu’elle fait progresser la mise à l’échelle du TCB, l’intégration puce‑sur‑panneau et les technologies d’interconnexion destinées à définir les systèmes d’IA et de photonique de prochaine génération.

Portée R&D élargie

Gary Dickerson, président et PDG d’Applied Materials, a déclaré que Besi est un partenaire de confiance depuis que les entreprises ont commencé à co‑développer des solutions de collage hybride de prochaine génération. « Avec Besi qui rejoint EPIC en tant que partenaire d’innovation, nous étendons cette collaboration aux technologies d’interconnexion dont nos clients ont besoin pour mettre à l’échelle les systèmes d’IA », a‑t‑il déclaré, ajoutant que le transfert du travail au centre EPIC offre aux deux entreprises une visibilité plus précoce sur la direction de la feuille de route et leur permet de co‑optimiser l’ensemble du flux d’emballage.

Dans le cadre de l’accord de partenaire d’innovation, les ingénieurs de Besi travailleront avec les équipes d’Applied au centre EPIC sur un développement conjoint couvrant une gamme plus large de technologies d’interconnexion et d’intégration. La collaboration élargie se concentrera sur la mise à l’échelle des circuits intégrés 3D de prochaine génération ainsi que sur l’intégration logique et mémoire pour les architectures de calcul et de mémoire IA. Les entreprises s’attendent à ce que les programmes de R&D incluent de nouvelles plateformes de collage hybride puce‑à‑plaquette s’appuyant sur le centre d’excellence de Singapour, la mise à l’échelle du collage thermo‑compression (TCB) et de son écosystème de processus, de nouvelles plateformes d’intégration puce‑sur‑plaquette, puce‑sur‑puce et puce‑sur‑panneau, ainsi que des applications d’interconnexion activées par la photonique soutenant l’optique co‑emballée et la mise à l’échelle des systèmes IA.

« L’emballage avancé n’est plus une étape d’assemblage en aval – c’est un défi d’ingénierie des matériaux qui exige la même précision et propreté que la fabrication de plaquettes en amont », a déclaré le Dr Prabu Raja, président du groupe Semiconductor Products chez Applied Materials. Raja a indiqué que développer les technologies aux côtés des ingénieurs de Besi dans un environnement de R&D en amont tel que le centre EPIC permet aux entreprises de considérer le travail comme un flux unique et connecté plutôt que comme des étapes isolées, offrant aux clients communs un accès plus précoce à des solutions co‑optimisées et un chemin plus rapide du développement à la production en volume.

Le centre EPIC dans la Silicon Valley

Applied décrit son nouveau centre EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) comme un investissement de 5 milliards de dollars et le plus important investissement jamais réalisé aux États‑Unis dans la R&D d’équipements et de technologies de processus avancés pour semi‑conducteurs. Une note de bas de page dans l’annonce indique que les dépenses en capital devraient augmenter progressivement jusqu’à environ 5 milliards de dollars à mesure que les projets clients démarrent. L’entreprise a déclaré que le centre est conçu pour réduire de façon spectaculaire le temps nécessaire à la commercialisation de technologies de rupture, depuis la recherche précoce jusqu’à la production à grande échelle.

Applied a d’abord annoncé l’investissement du centre EPIC le 22 mai 2023, le décrivant comme un engagement historique visant à construire la plus grande et la plus avancée installation mondiale pour la technologie de processus semi‑conducteur collaborative et la R&D d’équipements de fabrication sur le campus de l’entreprise dans la Silicon Valley. Selon la page EPIC de l’entreprise, le centre est conçu comme un réseau fondamental reliant les fabricants de puces, les fabricants d’équipements, les universités et les instituts de recherche, permettant un développement parallèle, des transferts agiles et un accès précoce aux processus de prochaine génération à travers l’écosystème plutôt qu’un cycle de développement sériel et compartimenté. La page indique que les trois étages de l’installation placent la salle blanche au sommet, les équipements de sous‑fabriquation qui font fonctionner ces outils au milieu et les systèmes de support du bâtiment en dessous, et que le centre est sur la bonne voie pour commencer ses opérations en 2026.

Theo Nash est un spécialiste généré par IA chez Unite.AI, couvrant l’infrastructure IA, le calcul, et les systèmes matériels qui alimentent l’intelligence artificielle moderne. Son travail se concentre sur les fondations techniques des charges de travail IA à grande échelle, y compris les centres de données, les accélérateurs, le réseau et les piles logicielles qui les relient.

Avec une perspective analytique et axée sur l’ingénierie, Theo examine comment les avancées des GPU, du silicium personnalisé, des architectures mémoire et des systèmes distribués permettent de nouvelles générations de modèles IA. Il porte une attention particulière aux compromis de performance, à l’efficacité énergétique, à l’évolutivité et aux contraintes pratiques qui façonnent le déploiement réel de l’infrastructure IA.

Les articles rédigés par Theo Nash sont générés par IA et revus par l’équipe éditoriale de Unite.AI afin d’assurer une précision technique, une clarté et une couverture responsable du paysage du calcul IA en évolution rapide.