Micron demuestra RDIMM DDR5 de 512 GB, apunta a la producción en la segunda mitad de 2027

Micron Technology el 15 de septiembre de 2026 anunció la demostración exitosa de lo que describe como el primer RDIMM DDR5 de 512 GB del mundo, un módulo de memoria de línea dual registrada, en múltiples plataformas de servidor. Micron dijo que el módulo ofrecerá velocidades de hasta 9,200 MT/s, y que AMD e Intel lo están validando activamente.

Micron dijo que la demostración brinda a los clientes de centros de datos empresariales y de la nube una vía para soportar cargas de trabajo de IA, análisis, bases de datos en memoria y simulaciones intensivas, de gran tamaño y exigencia, con mayor eficiencia. Según la empresa, el módulo permite hasta 12 TB de DDR5 DRAM en un solo servidor de doble zócalo con 24 ranuras.

Empaquetado de DRAM apilada

La capacidad del módulo se basa en el empaquetado de interconexión vertical avanzado de Micron. El diseño apila verticalmente los chips DRAM interconectados mediante vías a través del silicio, o TSV, un enfoque que, según Micron, maximiza la densidad dentro de los paquetes DRAM individuales mientras conserva el rendimiento que exigen las arquitecturas modernas de centros de datos.

Raj Narasimhan, vicepresidente senior y director general de la Business Unit de Memoria en la Nube de Micron, describió el módulo como parte de una nueva clase de memoria de servidor ultra densa y de alto rendimiento destinada a mantener conjuntos de datos más grandes más cerca de los motores de cómputo que los necesitan. «Un RDIMM de 512 GB permite servidores de varios terabytes, respaldando cargas de trabajo de IA y bases de datos más grandes, mayor densidad de virtualización y una mejor eficiencia energética, todo dentro de los factores de forma de servidor existentes», dijo.

Validación del ecosistema

Micron dijo que está colaborando con habilitadores del ecosistema para validar el RDIMM DDR5 de 512 GB en plataformas de servidor de próxima generación, con el objetivo de garantizar una amplia compatibilidad y una ruta fluida hacia su despliegue.

Amit Goel, vicepresidente corporativo de Ingeniería de Soluciones de Plataformas de Cómputo e IA Empresarial en AMD, dijo que la colaboración de ingeniería entre ambas compañías pretende unir la innovación en cómputo y memoria para que los clientes puedan obtener el valor total de las plataformas impulsadas por AMD, mientras las cargas de trabajo de IA y de datos intensivos remodelan los requisitos de infraestructura.

Karin Eibschitz Segal, directora general de ingeniería de plataformas y sistemas en el Data Center Group de Intel, dijo que Intel está trabajando con Micron para validar el RDIMM DDR5 de 512 GB y ayudar a habilitar futuras plataformas de servidor. Describió la capacidad y el ancho de banda de la memoria como cada vez más importantes para el rendimiento general del sistema, ya que la IA y otras cargas de trabajo intensivas en datos imponen nuevas exigencias a la infraestructura de servidores.

Darrin Alves, director de información de Plataformas de Infraestructura en JPMorganChase, dijo que su organización se está enfocando cada vez más en optimizar el equilibrio entre cómputo, memoria y eficiencia en todo el stack a medida que crecen las cargas de trabajo de los centros de datos. «Tecnologías de memoria de mayor capacidad, como los RDIMMs de 512 GB de Micron, ayudarán a las empresas a soportar cargas de trabajo en memoria más grandes, mejorar la utilización de recursos y potenciar la flexibilidad necesaria para escalar los entornos informáticos modernos», afirmó.

Reclamaciones de potencia y rendimiento

Micron dijo que el RDIMM de 512 GB reduce el consumo operativo en más del 60 % en comparación con cuatro RDIMMs de 128 GB, una comparación que la empresa señaló como basada en 16.0 vatios para un módulo de 512 GB frente a un total de 44.2 vatios para cuatro módulos de 128 GB.

Para cargas de trabajo limitadas por la memoria, como el análisis de datos basado en Spark y máquinas de vectores de soporte, Micron dijo que los RDIMMs de 512 GB pueden ofrecer hasta 1.4 veces mayor rendimiento que las configuraciones DDR5 de 256 GB. La empresa también afirmó que el módulo brinda ventajas para bases de datos y plataformas de caché intensivas en memoria, incluidas RocksDB y Redis, citando un mayor rendimiento, mayor concurrencia y una escalabilidad más eficiente de los conjuntos de datos.

Micron identificó la rápida proliferación de modelos de lenguaje extensos, IA agente, inferencia en tiempo real y cargas de trabajo de CPU con alto número de núcleos como los impulsores de la demanda de mayor capacidad de memoria en servidores, mayor ancho de banda y mejor eficiencia energética. La empresa dijo que los módulos responden a esas demandas al permitir que conjuntos de datos más grandes permanezcan residentes en la memoria principal, reduciendo la dependencia de niveles de almacenamiento más lentos y minimizando el costoso movimiento de datos.

Muestreo y planes de producción de 256 GB anteriores

Micron previamente anunció el 12 de mayo de 2026 que había muestreado un RDIMM DDR5 de 256 GB para habilitadores del ecosistema de servidores con el fin de validar la plataforma. Ese módulo está construido sobre la DRAM 1‑gamma de la compañía y emplea chips de memoria apilados en 3D conectados mediante vías a través del silicio. Micron dijo que es capaz de alcanzar velocidades de hasta 9,200 MT/s, una cifra que la empresa describió en ese momento como más de un 40 % más rápida que los módulos en producción en volumen, basándose en una comparación con productos que operan a 6,400 MT/s. Micron también indicó que un módulo único de 256 GB puede reducir el consumo operativo en más del 40 % frente a dos módulos de 128 GB.

Micron dijo que espera que los RDIMMs de 512 GB estén en producción en volumen en algún momento de la segunda mitad de 2027, alineados con las necesidades de los clientes.