SK Hynix uvádí, že nebyly potvrzeny žádné plány ohledně údajně probíhajících jednání s Intel o paměťových čipech v USA

SK hynix řekl v oficiálním prohlášení pro tiskové oddělení dne 16. září 2026, že nebyly potvrzeny ani finalizovány žádné plány týkající se údajně probíhajících jednání s Intel o výrobě paměťových čipů ve Spojených státech, a reagoval na zprávu téhož dne, která popisovala dva možné scénáře dohody.

Prohlášení reagovalo na zprávu publikovanou 16. září 2026 s názvem „SK Hynix jedná s Intel o dohodě na výrobu paměťových čipů v USA poprvé, uvádějí zdroje.“ Podle prohlášení SK hynix zpráva uvádí, že společnost jedná s Intel o dohodě na výrobu paměťových čipů ve Spojených státech, a zmiňuje potenciální scénář, ve kterém by SK hynix mohla pronajmout část dlouhodobě plánovaného zařízení Intel pro výrobu polovodičů v Ohiu. Druhý scénář zmíněný ve zprávě, podle prohlášení, je možnost založení společného podniku zahrnujícího SK hynix, Intel a velké cloudové společnosti.

„SK hynix zkoumá různé možnosti, jak posílit svou globální konkurenceschopnost, ale v současné době nebyly finalizovány žádné konkrétní plány ani dohody,“ uvedla společnost. Dále doplnila, že nebyla učiněna žádná rozhodnutí ohledně dvou scénářů zmíněných v článku, a upřesnila, že nebylo finalizováno nic ohledně spolupráce s jakoukoli konkrétní společností uvedenou ve zprávě ani výroby paměťových čipů ve Spojených státech.

Existující rozšíření výroby SK Hynix v USA

SK hynix již buduje své první výrobní zařízení v USA v Indianě. Dne 3. dubna 2024 společnost oznámila odhadovanou investici ve výši 3,87 miliardy dolarů ve West Lafayette, Indiana, na výstavbu zařízení pro pokročilé balení a výzkum a vývoj AI produktů, projekt, který popisuje jako první svého druhu ve Spojených státech a uvedl, že přinese do regionu více než tisíc nových pracovních míst. Zařízení má být určeno k sériové výrobě další generace vysoce šířkových pamětí (HBM), vysoce výkonné paměti, které vertikálně propojují několik čipů DRAM, s masovou výrobou plánovanou na druhou polovinu roku 2028. SK hynix se také zavázala k výzkumné spolupráci s Purdue University v oblasti pokročilého balení a heterogenní integrace, k programům školení pracovních sil s Purdue a Ivy Tech Community College a k projektu zaměřenému na architekturu středící se na paměť pro éru generativní AI.

Společnost uskutečnila slavnostní zahájení výstavby zařízení v Indianě 27. srpna 2026 v hale Holloway Gymnasium na Purdue University. Přibližně 133 akrový areál ve West Lafayette bude hostit výrobní linku HBM a testovací zařízení pro výzkum a vývoj pokročilého balení, a SK hynix plánuje dodávat další generaci HBM, která podstoupí balení a testování na místě, americkým zákazníkům od druhé poloviny roku 2029. Mezi účastníky byli guvernér Indiany Mike Braun, senátor Todd Young, prezident Purdue University Mitch Daniels, starosta West Lafayette Erin Easter a generální ředitel SK hynix Kwak Noh-Jung; událost zahrnovala podpis memoranda o porozumění mezi SK hynix a Purdue ohledně výzkumu a vývoje pokročilého balení. Kwak uvedl, že SK hynix plánuje zřídit zařízení jako svou první výrobní základnu HBM ve Spojených státech, dodávat “Made in USA” HBM a zajistit stabilní dodávky další generace pamětí americkým zákazníkům.

Rozšíření kapacity v Koreji

Dne 7. srpna 2026 SK hynix oznámil schválení představenstvem přibližně 54 bilionů won pro dva nové korejské závody: 35,2 bilionu won pro závod Yongin Y2, výrobní základnu DRAM s cílem první čisté místnosti v červnu 2029 pro výrobu HBM a dalších produktů DRAM nové generace, a 19,1 bilionu won pro závod Cheongju M17 NAND, s cílem první čisté místnosti v prosinci 2028. Investice spadají do hlavních plánů společnosti, které zahrnují 600 bilionů won pro semikondenzátorový klastr Yongin a 100 bilionů won pro výrobní základnu v Cheongju, a výstavba prvního závodu Yongin, Y1, postupuje k otevření první čisté místnosti plánovanému na únor 2027. S odkazem na prognózu výzkumné firmy Omdia, že poptávka po DRAM a NAND bude udržovat složený roční růst 19 % v letech 2025 až 2030, společnost popisuje paměť jako klíčovou infrastrukturu určující výkon AI.

Předchozí transakce s Intel a lokalita v Ohiu

Dne 20. října 2020 SK hynix a Intel oznámili podepsanou dohodu, podle níž by SK hynix získala NAND paměťový a úložný podnik Intel za 9 miliard dolarů, včetně podnikání s NAND SSD, komponentami a waferovým podnikem NAND a výrobního závodu Dalian NAND v Číně. V rámci etapové struktury by SK hynix zaplatila 7 miliard dolarů při první uzávěrce, která zahrnuje podnikání s NAND SSD a zařízení v Dalianu, a zbývajících 2 miliardy při závěrečné uzávěrce, očekávané v březnu 2025, přičemž Intel si ponechá svůj podnik Optane.

Zařízení v Ohiu, na které se v uvedeném scénáři odkazuje, je dlouho plánovaný výrobní areál společnosti Intel. Intel oznámil projekt 21. ledna 2022, s počáteční investicí ve výši více než 20 mld. USD na výstavbu dvou špičkových čipových továren v okrese Licking na areálu o rozloze téměř 1 000 akrů. Intel popisuje projekt jako největší jednorázovou investici soukromého sektoru v historii Ohiu a očekává, že počáteční fáze vytvoří 3 000 pracovních míst u Intel a 7 000 pracovních míst ve stavebnictví, a společnost slíbila dalších 100 mil. USD na partnerství s vzdělávacími institucemi za účelem vybudování regionálního talentového kanálu. Stavba začala v září 2022 výkopem a do září 2024 se rozšířila do výšky, a 26. listopadu 2024 Intel a administrativa Biden‑Harris finalizovaly grant ve výši 7,86 mld. USD v rámci zákona US CHIPS Act.