Semtech si u společnosti Tower zajišťuje vyhrazenou kapacitu SiGe pro propojení v datových centrech AI

Tower Semiconductor a společnost Semtech Corporation 13. října 2026 oznámily rozšíření víceleté dohody, na jejímž základě Semtech investuje do zajištění vyhrazené kapacity pro výrobu křemíko-germaniových (SiGe) čipů u společnosti Tower. Dohoda navazuje na dvacetileté partnerství obou společností a podpoří optická i měděná propojení infrastruktury datových center AI.

Společné oznámení, datované v izraelském Migdal Haemeku a kalifornském Camarillu, spojuje investici do kapacity s tím, co společnosti označily za výrazné úspěchy při prosazování svých řešení do návrhů zákazníků a za poptávku po optických komponentech pro propojení datových center AI. Tower působí jako slévárna polovodičů zaměřená na analogová řešení s vysokou přidanou hodnotou, zatímco Semtech dodává vysoce výkonné polovodiče pro síťovou infrastrukturu datových center AI a připojená zařízení internetu věcí.

Vyhrazená kapacita ve třech regionech

Zajištěná kapacita se týká výrobních závodů společnosti Tower ve Spojených státech, Izraeli a Japonsku. Společnosti uvedly, že toto geografické rozmístění posiluje odolnost dodavatelského řetězce a geografickou diverzifikaci výrobní strategie Semtechu. Dohoda navazuje na současnou výrobu a poskytuje Semtechu další jistotu dodávek. Podle oznámení se očekává, že poptávka po jeho produktech založených na SiGe poroste napříč stále širším portfoliem zákaznických programů a koncových trhů.

Upozornění na výhledová prohlášení v tiskové zprávě varuje, že skutečné výsledky se mohou lišit od projekcí. Mezi uváděná rizika patří schopnost společnosti Tower instalovat zařízení a rozšiřovat výrobní kapacitu SiGe ve svých závodech v očekávaném časovém rámci, možnost, že se poptávka po produktech Semtechu založených na SiGe nevyvine podle očekávání nebo že Semtech plně nevyužije rezervovanou kapacitu, a riziko, že se úspěšné návrhové projekty nepromění v objednávky do výroby nebo tržby v předpokládaném objemu či termínu. Prohlášení dále upozorňují na tempo investic do datových center AI, rychlost zavádění propojení nové generace a závislost Semtechu na společnosti Tower při výrobě produktů založených na SiGe, přičemž tato výroba je soustředěna v omezeném počtu závodů, mimo jiné v Izraeli.

Portfolio SiGe a plán vývoje přenosových rychlostí

Oznámení označuje energii za další omezení rozvoje AI a uvádí, že stále větší část energie se spotřebovává na přenos dat místo jejich výpočtu. S tím, jak se clustery AI rozšiřují napříč racky, řadami racků i areály, stále více rozhoduje o tom, kolik užitečné práce může každý akcelerátor vykonat, energie potřebná na přenos jednoho bitu, uvedly společnosti. Každý krok v plánu zvyšování rychlosti, od 800G přes 1.6T až po 3.2T, zvyšuje požadavky na šířku pásma, dosah a příkon na bit, a tím i význam vysokorychlostní analogové části, která signál vysílá a přijímá.

Portfolio Semtechu pro zachování integrity signálu, které zahrnuje transimpedanční zesilovače (TIA), budiče modulátorů a laserů a lineární ekvalizéry, vychází z procesní technologie SiGe společnosti Tower. Slouží pro plně retimovanou optiku (FRO), lineární zásuvnou optiku (LPO), lineární přijímací optiku (LRO), optiku umístěnou v blízkosti pouzdra (NPO), mimořádně hustou zásuvnou optiku (XPO), lineární ekvalizéry na desce plošných spojů a aktivní měděné kabely (ACC). Semtech uvedl, že podle jeho názoru mu tyto produkty umožňují obsloužit měděná propojení uvnitř racku i optická propojení napříč datovým centrem, zatímco odvětví přechází na architektury nové generace.

Dne 25. srpna 2026 Semtech představil řadu lineárních řešení TIA a budičů 224G určených pro architektury NPO a optiky v jednom pouzdře (CPO) v clusterech pro AI a strojové učení a v hyperskalárních datových centrech: GN1838L a GN42T380, které Semtech označil za první lineární osmikanálové TIA v oboru, a lineární osmikanálový budič Machova-Zehnderova modulátoru GN42M380 optimalizovaný pro optické jednotky 1.6T, 3.2T, 6.4T a 12.8T. GN1838L má rozteč kanálů 500 µm a GN42T380 rozteč 375 µm; oba obsahují stupeň automatického řízení zesílení a programovatelnou lineární ekvalizaci v kontinuálním čase. GN42M380 s roztečí kanálů 375 µm podporuje křemíkovou fotoniku, Machovy-Zehnderovy modulátory z fosfidu india a modulátory z niobičitanu lithného v tenké vrstvě.

Dne 21. září 2026 Semtech oznámil své členství v iniciativě eXtra-dense Pluggable Optics Multi-Source Agreement (XPO MSA), což je oborová iniciativa definující formát optických transceiverů s vysokou hustotou a kapacitou 12.8T pro infrastrukturu AI. Současná generace modulů podle dohody MSA přenáší 12.8T rychlostí 200G na kanál a využívá integrované kapalinové chlazení; pro budoucí generaci se počítá s elektrickými rozhraními 400G na kanál.

Semtech uvedl, že jeho portfolio budičů modulátorů a TIA pro 200G na kanál, které zahrnuje čtyřkanálová a osmikanálová TIA s roztečemi kanálů 750 µm, 500 µm a 375 µm a budiče Machových-Zehnderových modulátorů s roztečemi 625 µm a 375 µm, je navrženo tak, aby podpořilo vývoj transceiverů XPO i jejich sériové nasazení. Ve stejné tiskové zprávě Scott Wilkinson, hlavní analytik pro optické komponenty ve společnosti Cignal AI, předpověděl, že poptávka po optice pro datové komunikace vzroste z 9 miliard dolarů v roce 2024 na odhadovaných 37 miliard dolarů v roce 2026.

Ocenění ECOC a vyjádření vedení

Semtech získala ocenění za inovaci optických komponent (čip/wafer) na Evropské konferenci optické komunikace (ECOC) 2026, která se konala 21.–23. září 2026 ve španělské Málaze, a to za svou řadu TIA pro lineární zásuvnou optiku s rychlostí 224 Gb/s na linku, založenou na technologii SiGe společnosti Tower. Společnosti uvedly, že nadále úzce spolupracují na kapacitách a společném technologickém plánu, jehož cílem je podle nich zajistit vedoucí postavení produktů v oblasti propojení datových center pro AI napříč několika generacemi.

Hong Hou, prezident a generální ředitel společnosti Semtech, uvedl, že zákazníci Semtech rychle a ve velkém rozsahu rozšiřují šířku pásma propojení a že uspokojení této poptávky vyžaduje dlouhodobé plánování kapacit a výrobní partnery, kteří se k této spolupráci zavázali. Dohoda podle Houa „zajišťuje vyhrazenou kapacitu SiGe ve třech regionech, která umožní růst v oblasti měděných i optických propojení, od dnešních 800G a 1,6T až po 3,2T a dál.“

Russell Ellwanger, generální ředitel společnosti Tower Semiconductor, uvedl, že firmy vyvíjejí řešení na úrovni platforem, která podle něj přinášejí špičkové hodnoty klíčových parametrů u technologií současné i příští generace a generace N+2 a která procházejí kvalifikací s dostatečným předstihem před tím, než je bude trh potřebovat. Dodal, že partnerství zajišťuje další růst toho, co označil za již nyní vedoucí tržní podíl společností v oblasti konektivity optických transceiverů.