Parteneriate

Applied Materials aduce Besi în Centrul EPIC ca partener de inovație

mm
Adaugă Unite.AI la sursele tale preferate pe Google

Applied Materials și BE Semiconductor Industries (Besi) au anunțat o extindere a parteneriatului lor strategic de lungă durată pe 1 octombrie 2026, cu Besi care se alătură Centrului EPIC al Applied în Silicon Valley ca partener de inovație și extinde un program comun de dezvoltare lansat de companii în 2020.

Extinderea amplifică co-inovația companiilor dincolo de legarea hibridă, către noi arhitecturi de interconectare și aplicații care susțin foaia de parcurs a industriei semiconductoarelor pentru scalarea condusă de AI, conform anunțului comun. Odată cu dezvoltarea infrastructurii AI care generează cerere pentru interconectări chip-la-chip și chip-la-pachet cu densitate și lățime de bandă mai mari, companiile au declarat că parteneriatul extins are scopul de a oferi clienților comuni acces anticipat la soluții de proces și asamblare co-optimizate, acoperind întregul flux de ambalare avansată, de la legarea hibridă la nivel de wafer până la integrarea la scară de panou.

Centru de Excelență din Singapore și Sistemul Kinex

În 2020, Applied și Besi au înființat un Centru de Excelență comun la Centrul de Dezvoltare a Ambalării Avansate al Applied din Singapore. Centrul a combinat expertiza proceselor Applied în gravare, planarizare, depunere, curățare de wafer, metrologie, inspecție și control al defectelor de particule cu tehnologia de plasare a cipurilor, interconectare și asamblare a Besi. Companiile afirmă că colaborarea a dus la Kinex, pe care îl descriu ca fiind primul sistem integrat de legare hibridă die-to-wafer din industrie.

Richard Blickman, CEO și Președinte al Consiliului de Administrație al Besi, a declarat că centrul de excelență din Singapore a fost fundamental pentru foaia de parcurs a legării hibride a Besi. El a descris aderarea la Centrul EPIC ca pe un pas natural următor, care oferă Besi un loc alături de companiile de vârf în domeniul logicii, memoriei și sistemelor, pe măsură ce avansează scalarea TCB, integrarea die-on-panel și tehnologiile de interconectare care vor defini sistemele AI și fotonice de generație următoare.

Domeniu extins de cercetare și dezvoltare

Gary Dickerson, Președinte și CEO al Applied Materials, a declarat că Besi a fost un partener de încredere de când companiile au început să co-dezvolte soluții de legare hibridă de generație următoare. „Cu Besi care se alătură EPIC ca partener de inovație, extindem acea colaborare la tehnologiile de interconectare de care clienții noștri au nevoie pentru a scala sistemele AI”, a spus el, adăugând că aducerea activității în Centrul EPIC oferă ambelor companii o vizibilitate anticipată asupra direcției foii de parcurs și le permite să co-optimizeze întregul flux de ambalare.

În cadrul aranjamentului de Partener de Inovație, inginerii Besi vor colabora cu echipele Applied la Centrul EPIC în dezvoltarea comună ce acoperă o gamă mai largă de tehnologii de interconectare și integrare. Colaborarea extinsă se va concentra pe scalarea IC-urilor 3D de generație următoare și pe integrarea logică și de memorie pentru arhitecturile de calcul și memorie AI. Companiile anticipează că programele de cercetare și dezvoltare vor include noi platforme pentru legarea hibridă die-to-wafer, bazate pe Centrul de Excelență din Singapore, scalarea legării termo-compresie (TCB) și a ecosistemului său de procese înconjurător, noi platforme de integrare die-on-wafer, die-on-die și die-on-panel, precum și aplicații de interconectare cu fotonică care susțin optica co-pachetată și scalarea sistemelor AI.

„Ambalarea avansată nu mai este un pas de asamblare din spate – este o provocare de inginerie a materialelor care necesită aceeași precizie și curățenie ca fabricația de wafer din front‑end”, a declarat Dr. Prabu Raja, Președinte al Grupului de Produse pentru Semiconductori la Applied Materials. Raja a spus că dezvoltarea tehnologiilor alături de inginerii Besi într-un mediu de cercetare și dezvoltare din front‑end, cum este Centrul EPIC, permite companiilor să trateze activitatea ca un flux unic și conectat în loc de etape izolate, oferind clienților comuni acces anticipat la soluții co-optimizate și un traseu mai rapid de la dezvoltare la producție în volum mare.

Centrul EPIC în Silicon Valley

Applied descrie noul său Centru EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) ca pe o investiție de 5 miliarde de dolari și cea mai mare investiție vreodată din Statele Unite în echipamente avansate pentru semiconductori și cercetare și dezvoltare în tehnologia proceselor. O notă de subsol din anunț precizează că cheltuielile de capital se așteaptă să crească în timp până la aproximativ 5 miliarde de dolari pe măsură ce proiectele clienților încep. Compania a declarat că centrul este conceput pentru a reduce dramatic timpul necesar pentru a comercializa tehnologii revoluționare, de la cercetarea timpurie până la producția la scară completă.

Applied a anunțat pentru prima dată investiția în Centrul EPIC pe 22 mai 2023, descriind-o ca pe un angajament de referință pentru a construi cea mai mare și cea mai avansată facilitate din lume pentru tehnologia de procesare a semiconductorilor și cercetarea și dezvoltarea echipamentelor de fabricație în campusul companiei din Silicon Valley. Conform paginii EPIC a companiei, centrul este conceput ca o rețea fundamentală care conectează producătorii de cipuri, producătorii de echipamente, universitățile și instituțiile de cercetare, permițând dezvoltarea paralelă, transferuri agile și acces anticipat la procese de generație următoare în întregul ecosistem, în loc de un ciclu de dezvoltare serial și compartimentat. Pagina precizează că cele trei etaje ale facilității plasează sala curată în vârf, echipamentele subfab care operează acele unelte în mijloc și sistemele de suport ale clădirii dedesubt, și că centrul este pe drumul cel bun pentru a începe operațiunile în 2026.

Theo Nash este un specialist generat de AI la Unite.AI, care acoperă infrastructura AI, calculul și sistemele hardware care alimentează inteligența artificială modernă. Munca sa se concentrează pe fundamentele tehnice din spatele sarcinilor de lucru AI la scară largă, inclusiv centrele de date, acceleratoarele, rețelele și stivele software care le leagă.

Dintr‑o perspectivă analitică și orientată spre inginerie, Theo examinează modul în care progresele în GPU‑uri, silicon personalizat, arhitecturi de memorie și sisteme distribuite permit noi generații de modele AI. El acordă o atenție deosebită compromisurilor de performanță, eficienței energetice, scalabilității și constrângerilor practice care modelează implementarea în lumea reală a infrastructurii AI.

Articolele scrise de Theo Nash sunt generate de AI și revizuite de echipa editorială a Unite.AI pentru a asigura acuratețea tehnică, claritatea și o acoperire responsabilă a peisajului în rapidă evoluție al calculului AI.