SK Hynix sier ingen planer er bekreftet om rapporterte Intel‑samtaler om minne i USA

SK hynix sa i en offisiell pressemelding den 16. september 2026, at ingen planer er bekreftet eller ferdigstilt angående rapporterte samtaler med Intel om produksjon av minnebrikker i USA, som svar på en rapport samme dag som beskrev to potensielle avtalescenarier.

Uttalelsen svarte på en rapport publisert 16. september 2026 med tittelen «SK Hynix i samtaler med Intel om avtale for å lage minnebrikker i USA for første gang, sier kilder». Ifølge SK hynix sin uttalelse oppga rapporten at selskapet er i samtaler med Intel om en avtale om å produsere minnebrikker i USA, og den nevnte et potensielt scenario der SK hynix kunne leie en del av Intels lenge planlagte halvlederproduksjonsanlegg i Ohio. Et annet scenario som ble nevnt i rapporten, ifølge uttalelsen, er muligheten for å etablere et joint venture som involverer SK hynix, Intel og store skytjenesteselskaper.

«SK hynix utforsker ulike muligheter for å styrke sin globale konkurranseevne, men ingen konkrete planer eller avtaler er ferdigstilt på nåværende tidspunkt», sa selskapet. Det ble også lagt til at ingen beslutninger er tatt angående de to scenarioene som ble nevnt i artikkelen, og at ingenting er endelig avtalt med noen av de spesifikke selskapene som er nevnt i rapporten eller om produksjon av minnebrikker i USA.

SK Hynix sin eksisterende produksjonsutvidelse i USA

SK hynix bygger allerede sin første amerikanske produksjonsplass i Indiana. Den 3. april 2024 kunngjorde en estimert investering på $3,87 milliarder i West Lafayette, Indiana, for å bygge en avansert pakkeproduksjons- og FoU‑anlegg for AI‑produkter, et prosjekt som ble beskrevet som det første i sitt slag i USA og som skal skape mer enn tusen nye jobber i regionen. Anlegget er planlagt å masseprodusere neste generasjons høybåndbredde‑minne (HBM), et høyytelsesminne som vertikalt kobler sammen flere DRAM‑brikker, med masseproduksjon satt til andre halvdel av 2028. SK hynix har også forpliktet seg til forskningssamarbeid med Purdue University innen avansert pakking og heterogen integrasjon, opplæringsprogrammer for arbeidsstyrken med Purdue og Ivy Tech Community College, samt et prosjekt om minne‑sentral arkitektur for den generative AI‑æraen.

Selskapet holdt en grunnsteinsseremoni for Indiana‑fabrikken 27. august 2026 på Purdue Universitys Holloway Gymnasium. Det omtrent 133 målstore området i West Lafayette vil huse en HBM‑produksjonslinje og et avansert pakke‑FoU‑testmiljø, og SK hynix planlegger å levere neste generasjons HBM som har gjennomgått pakking og testing på stedet til amerikanske kunder fra andre halvdel av 2029. Deltakere inkluderte Indiana‑guvernør Mike Braun, senator Todd Young, Purdue Universitys president Mitch Daniels, ordfører i West Lafayette Erin Easter, og SK hynix‑administrerende direktør Kwak Noh‑Jung, og arrangementet inkluderte signeringen av en intensjonsavtale mellom SK hynix og Purdue om forskning og utvikling innen avansert pakking. Kwak sa at SK hynix planlegger å etablere anlegget som sin første HBM‑produksjonsbase i USA, levere «Made in USA» HBM og sikre en stabil forsyning av neste generasjons minne til amerikanske kunder.

Koreas kapasitetsutvidelse

Den 7. august 2026 kunngjorde styrets godkjenning av omtrent 54 billioner won for to nye koreanske fabrikker: 35,2 billioner won for Yongin Y2‑fabrikken, en DRAM‑produksjonsbase som har som mål å ha første renrom i juni 2029 for å produsere HBM og andre neste generasjons DRAM‑produkter, og 19,1 billioner won for Cheongju M17 NAND‑fabrikken, med mål om første renrom i desember 2028. Investeringene inngår i selskapets masterplaner på 600 billioner won for Yongin Semiconductor Cluster og 100 billioner won for Cheongju‑produksjonsbasen, og byggingen av den første Yongin‑fabrikken, Y1, går frem mot en innledende renromsåpning planlagt til februar 2027. Med henvisning til markedsundersøkelsesfirmaet Omdia sin prognose om at etterspørselen etter DRAM og NAND vil holde en sammensatt årlig vekst på 19 % fra 2025 til 2030, beskrev selskapet minne som kjerneinfrastruktur som bestemmer AI‑ytelse.

Tidligere Intel‑transaksjon og Ohio‑anlegget

Den 20. oktober 2020 kunngjorde en signert avtale mellom SK hynix og Intel, der SK hynix skulle overta Intels NAND‑minne‑ og lagringsvirksomhet for $9 milliarder, inkludert NAND‑SSD‑virksomheten, NAND‑komponent‑ og wafer‑virksomheten, samt Dalian‑NAND‑minneproduksjonsanlegget i Kina. I den trinnvise strukturen skulle SK hynix betale $7 milliarder ved første avslutning, som dekket NAND‑SSD‑virksomheten og Dalian‑anlegget, og de resterende $2 milliarder ved en sluttavslutning som forventes i mars 2025, mens Intel skulle beholde sin Optane‑virksomhet.

Ohio-fasiliteten som refereres til i det rapporterte scenariet er Intels lenge planlagte produksjonscampus. Intel kunngjorde prosjektet 21. januar 2022, med en første investering på mer enn $20 billion for å bygge to ledende chip‑fabrikker i Licking County på en campus på nesten 1 000 mål. Intel beskriver prosjektet som den største enkeltprivate sektorinvesteringen i Ohio‑historien og forventer at første fase vil skape 3 000 Intel‑jobber og 7 000 bygge‑jobber, og selskapet lovet ytterligere $100 million mot partnerskap med utdanningsinstitusjoner for å bygge en regional talentpipeline. Byggingen startet med en grunnsteinsseremoni i september 2022 og ble vertikal i september 2024, og 26. november 2024 fullførte Intel og Biden‑Harris‑administrasjonen en finansieringstildeling på $7.86 billion under US CHIPS‑loven.