एआई इंटरकनेक्ट के लिए Semtech ने Tower में समर्पित SiGe क्षमता सुरक्षित की

Tower Semiconductor और Semtech Corporation ने 13 अक्टूबर 2026 को कई वर्षों का विस्तारित समझौता घोषित किया। इसके तहत Semtech, Tower में सिलिकॉन जर्मेनियम (SiGe) की समर्पित क्षमता सुरक्षित करने में निवेश करेगी। यह समझौता एआई डेटा सेंटर अवसंरचना के लिए प्रकाशीय और तांबे के इंटरकनेक्ट को समर्थन देने वाली दोनों कंपनियों की 20 साल की साझेदारी को आगे बढ़ाता है।

संयुक्त घोषणा में, जिसका dateline इज़राइल के Migdal Haemek और कैलिफ़ोर्निया के Camarillo का है, क्षमता निवेश को उन मजबूत डिज़ाइन जीतों और एआई डेटा सेंटर के प्रकाशीय इंटरकनेक्ट घटकों की मांग से जोड़ा गया है, जिन्हें कंपनियों ने रेखांकित किया। Tower उच्च-मूल्य वाले एनालॉग सेमीकंडक्टर समाधानों की फाउंड्री के रूप में काम करती है, जबकि Semtech एआई डेटा सेंटर नेटवर्किंग और इंटरनेट ऑफ़ थिंग्स से जुड़े उपकरणों के लिए उच्च-प्रदर्शन वाले सेमीकंडक्टर उपलब्ध कराती है।

तीन क्षेत्रों में समर्पित क्षमता

सुरक्षित की गई क्षमता Tower की अमेरिका, इज़राइल और जापान स्थित फैब में फैली है। कंपनियों ने कहा कि इस भौगोलिक विस्तार से Semtech की विनिर्माण रणनीति को आपूर्ति की अतिरिक्त मज़बूती और भौगोलिक विविधता मिलती है। घोषणा के अनुसार, यह समझौता मौजूदा उत्पादन को आगे बढ़ाता है और Semtech को आपूर्ति का अतिरिक्त आश्वासन देता है। कंपनी के SiGe-आधारित उत्पादों की मांग ग्राहकों के बढ़ते कार्यक्रमों और अंतिम बाज़ारों में बढ़ने की उम्मीद है।

रिलीज़ में दिए गए भविष्य-संबंधी बयान आगाह करते हैं कि वास्तविक नतीजे अनुमानों से अलग हो सकते हैं। इनमें बताए गए जोखिमों में शामिल हैं: Tower की अपनी फैब में उपकरण लगाने और अनुमानित समय-सीमा के भीतर SiGe विनिर्माण क्षमता बढ़ाने की क्षमता; यह संभावना कि Semtech के SiGe-आधारित उत्पादों की मांग अनुमान के मुताबिक विकसित न हो या Semtech अपनी आरक्षित क्षमता का पूरा उपयोग न करे; और यह जोखिम कि डिज़ाइन जीतें अनुमानित स्तर या समय-सीमा के अनुसार उत्पादन ऑर्डर या राजस्व में न बदलें। इन बयानों में एआई डेटा सेंटर निवेश की गति, अगली पीढ़ी की इंटरकनेक्ट गति को अपनाने की दर और अपने SiGe-आधारित उत्पादों के विनिर्माण के लिए Tower पर Semtech की निर्भरता का भी उल्लेख है। यह विनिर्माण कुछ ही सुविधाओं में केंद्रित है, जिनमें इज़राइल की सुविधाएँ भी शामिल हैं।

SiGe पोर्टफ़ोलियो और गति का रोडमैप

घोषणा में ऊर्जा को एआई की अगली बड़ी बाधा बताया गया है: ऊर्जा का बढ़ता हिस्सा गणना करने के बजाय डेटा को एक जगह से दूसरी जगह भेजने में खर्च हो रहा है। कंपनियों के अनुसार, जैसे-जैसे एआई क्लस्टर रैक, पंक्तियों और परिसरों में बड़े होते हैं, प्रति बिट डेटा भेजने की ऊर्जा लागत यह तय करने लगती है कि प्रत्येक एक्सेलेरेटर कितना उपयोगी काम कर सकता है। गति के रोडमैप में 800G से 1.6T और फिर 3.2T तक का हर अगला चरण बैंडविड्थ, दूरी और प्रति बिट ऊर्जा की ज़रूरतें बढ़ाता है। इससे उस उच्च-गति वाले एनालॉग फ्रंट एंड का महत्व बढ़ जाता है, जो सिग्नल भेजता और प्राप्त करता है।

Semtech का सिग्नल अखंडता पोर्टफ़ोलियो Tower की SiGe प्रक्रिया प्रौद्योगिकी पर आधारित है। इसमें ट्रांसइम्पीडेंस एम्प्लिफ़ायर (TIA), मॉड्यूलेटर और लेज़र ड्राइवर तथा रैखिक इक्वलाइज़र शामिल हैं। यह पूरी तरह रीटाइम किए गए ऑप्टिक्स (FRO), रैखिक प्लगेबल ऑप्टिक्स (LPO), रैखिक रिसीव ऑप्टिक्स (LRO), नियर-पैकेज्ड ऑप्टिक्स (NPO), अतिरिक्त-घनत्व वाले प्लगेबल ऑप्टिक्स (XPO), PCB पर रैखिक इक्वलाइज़र और सक्रिय तांबे केबल (ACC) के लिए उपयोगी है। Semtech ने कहा कि उसका मानना है कि ये उत्पाद उद्योग के अगली पीढ़ी की आर्किटेक्चर की ओर बढ़ने के साथ, उसे रैक के भीतर तांबे के लिंक और पूरे डेटा सेंटर में प्रकाशीय लिंक की ज़रूरतें पूरी करने की स्थिति में रखते हैं।

25 अगस्त 2026 को Semtech ने एआई और मशीन लर्निंग क्लस्टर तथा हाइपरस्केल डेटा सेंटर में NPO और को-पैकेज्ड ऑप्टिक्स (CPO) आर्किटेक्चर के लिए डिज़ाइन किए गए 224G रैखिक TIA और ड्राइवर समाधानों का एक परिवार पेश किया: GN1838L और GN42T380, जिन्हें Semtech ने उद्योग के पहले रैखिक ऑक्टल TIA बताया, और GN42M380 रैखिक ऑक्टल Mach-Zehnder मॉड्यूलेटर ड्राइवर, जिसे 1.6T, 3.2T, 6.4T और 12.8T प्रकाशीय इंजन के लिए अनुकूलित किया गया है। GN1838L का चैनल पिच 500µm और GN42T380 का 375µm है; दोनों में ऑटोमैटिक गेन कंट्रोल चरण और प्रोग्राम करने योग्य सतत-समय रैखिक इक्वलाइज़ेशन शामिल हैं। 375µm चैनल पिच वाला GN42M380, सिलिकॉन फोटोनिक्स, इंडियम फ़ॉस्फ़ाइड Mach-Zehnder और पतली फ़िल्म लिथियम नायोबेट मॉड्यूलेटर को समर्थन देता है।

21 सितंबर 2026 को Semtech ने eXtra-dense Pluggable Optics Multi-Source Agreement की सदस्यता लेने की घोषणा की (XPO MSA)। यह एक उद्योग पहल है, जो एआई अवसंरचना के लिए 12.8T उच्च-घनत्व वाले प्रकाशीय ट्रांसीवर का फ़ॉर्म फ़ैक्टर निर्धारित करती है। MSA के तहत, मौजूदा मॉड्यूल पीढ़ी एकीकृत तरल शीतलन के साथ 200G प्रति लेन पर 12.8T की गति देती है, जबकि अगली पीढ़ी के लिए 400G-प्रति-लेन वाले विद्युत इंटरफ़ेस की योजना है।

Semtech ने कहा कि उसका 200G-प्रति-लेन मॉड्यूलेटर ड्राइवर और TIA पोर्टफ़ोलियो XPO ट्रांसीवर के विकास और बड़े पैमाने पर तैनाती को समर्थन देने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें 750µm, 500µm और 375µm चैनल पिच वाले क्वाड और ऑक्टल TIA तथा 625µm और 375µm पिच वाले Mach-Zehnder मॉड्यूलेटर ड्राइवर शामिल हैं। इसी रिलीज़ में, Cignal AI में प्रकाशीय घटकों के प्रमुख विश्लेषक Scott Wilkinson ने अनुमान जताया कि डेटा-संचार ऑप्टिक्स की मांग 2024 के 9 अरब डॉलर से बढ़कर 2026 में अनुमानित 37 अरब डॉलर हो जाएगी।

ECOC पुरस्कार और अधिकारियों के बयान

Semtech को 21–23 सितंबर 2026 को स्पेन के मालागा में आयोजित European Conference on Optical Communication (ECOC) 2026 में ऑप्टिकल घटक नवाचार (चिप/वेफर) पुरस्कार मिला। यह पुरस्कार linear pluggable optics के लिए उसके 224 Gbps प्रति लेन वाले TIA परिवार के वास्ते दिया गया, जो Tower की SiGe तकनीक पर आधारित है। कंपनियों ने कहा कि वे क्षमता और एक साझा प्रौद्योगिकी रोडमैप पर मिलकर करीबी सहयोग जारी रखे हुए हैं। इस रोडमैप को कई पीढ़ियों के AI डेटा सेंटर इंटरकनेक्ट में उत्पाद नेतृत्व सुनिश्चित करने के उद्देश्य से तैयार किया गया है।

Semtech के अध्यक्ष और मुख्य कार्यकारी अधिकारी Hong Hou ने कहा कि Semtech के ग्राहक इंटरकनेक्ट बैंडविड्थ को तेज़ी से और बड़े पैमाने पर बढ़ा रहे हैं, और इस मांग को पूरा करने के लिए दीर्घकालीन क्षमता नियोजन तथा प्रतिबद्ध विनिर्माण साझेदारों की आवश्यकता है। Hou ने कहा कि यह समझौता “तीन क्षेत्रों में समर्पित SiGe क्षमता सुनिश्चित करता है, ताकि तांबे और ऑप्टिकल इंटरकनेक्ट में विस्तार किया जा सके—आज के 800G और 1.6T से लेकर 3.2T और उससे आगे तक।”

Tower Semiconductor के मुख्य कार्यकारी अधिकारी Russell Ellwanger ने कहा कि दोनों कंपनियाँ ऐसे प्लेटफ़ॉर्म-स्तरीय समाधान विकसित कर रही हैं जो मौजूदा पीढ़ी, अगली पीढ़ी और N+2 तकनीकों में उनके शब्दों में अपनी श्रेणी के सर्वश्रेष्ठ प्रदर्शन सूचकांक देते हैं। उन्होंने कहा कि इन समाधानों को बाज़ार की ज़रूरत से काफी पहले ही योग्यताप्राप्त किया जा रहा है। उन्होंने कहा कि यह साझेदारी ऑप्टिकल ट्रांसीवर कनेक्टिविटी में कंपनियों की पहले से ही अग्रणी बाज़ार हिस्सेदारी का निरंतर विस्तार सुनिश्चित कर रही है।