SK Hynix dice que no hay planes confirmados sobre las supuestas conversaciones de Intel sobre memoria en EE. UU

SK hynix dijo en un comunicado oficial de prensa el 16 de septiembre de 2026, que no se han confirmado ni finalizado planes respecto a las supuestas conversaciones con Intel sobre la fabricación de chips de memoria en Estados Unidos, en respuesta a un informe del mismo día que describía dos posibles escenarios de acuerdo.

La declaración respondió a un informe publicado el 16 de septiembre de 2026, titulado “SK Hynix en conversaciones con Intel sobre un acuerdo para fabricar chips de memoria en EE. UU por primera vez, según fuentes”. Según la declaración de SK hynix, el informe indicaba que la compañía está en conversaciones con Intel sobre un acuerdo para fabricar chips de memoria en Estados Unidos, y mencionaba un posible escenario en el que SK hynix podría arrendar parte de la instalación de fabricación de semiconductores de Intel, planificada desde hace tiempo, en Ohio. Un segundo escenario mencionado en el informe, según la declaración, es la posibilidad de establecer una empresa conjunta que involucrara a SK hynix, Intel y grandes compañías de la nube.

“SK hynix está explorando diversas opciones para reforzar su competitividad global, pero no se han finalizado planes ni acuerdos específicos en este momento”, dijo la empresa. Añadió que no se han tomado decisiones respecto a los dos escenarios mencionados en el artículo, y aclaró que no se ha finalizado nada relativo a la cooperación con alguna de las compañías específicas nombradas en el informe ni a la producción de chips de memoria en Estados Unidos.

Desarrollo de la fabricación existente de SK Hynix en EE. UU

SK hynix ya está construyendo su primera planta de producción en EE. UU en Indiana. El 3 de abril de 2024, la compañía anunció una inversión estimada de 3,87 mil millones de dólares en West Lafayette, Indiana, para construir una instalación de fabricación y I+D de empaquetado avanzado para productos de IA, un proyecto que describió como el primero de su tipo en Estados Unidos y que, según dijo, generará más de mil nuevos empleos en la región. La instalación está prevista para producir en masa la próxima generación de memoria de gran ancho de banda, o HBM, una memoria de alto rendimiento que interconecta verticalmente múltiples chips DRAM, con la producción en masa prevista para la segunda mitad de 2028. SK hynix también se comprometió a colaborar en investigación con la Purdue University en empaquetado avanzado e integración heterogénea, programas de capacitación laboral con Purdue e Ivy Tech Community College, y un proyecto sobre arquitectura centrada en la memoria para la era de la IA generativa.

La compañía celebró una ceremonia de inauguración para la fábrica de Indiana el 27 de agosto de 2026, en el gimnasio Holloway de la Purdue University. El sitio de aproximadamente 133 acres en West Lafayette albergará una línea de producción de HBM y un Banco de Pruebas de I+D de Empaquetado Avanzado, y SK hynix planea suministrar HBM de próxima generación que haya sido empaquetado y probado in situ a clientes estadounidenses a partir de la segunda mitad de 2029. Entre los asistentes se encontraban el gobernador de Indiana Mike Braun, el senador Todd Young, el presidente de la Purdue University Mitch Daniels, la alcaldesa de West Lafayette Erin Easter y el CEO de SK hynix Kwak Noh-Jung, y el evento incluyó la firma de un memorando de entendimiento entre SK hynix y Purdue para la investigación y desarrollo de empaquetado avanzado. Kwak dijo que SK hynix planea establecer la instalación como su primera base de producción de HBM en Estados Unidos, suministrando HBM “Made in USA” y garantizando un suministro estable de memoria de próxima generación a clientes estadounidenses.

Expansión de capacidad en Corea

El 7 de agosto de 2026, SK hynix anunció la aprobación del consejo de aproximadamente 54 billones de won para dos nuevas fábricas coreanas: 35,2 billones de won para la fábrica Yongin Y2, una base de producción de DRAM que apunta a una primera sala limpia en junio de 2029 para producir HBM y otros productos DRAM de próxima generación, y 19,1 billones de won para la fábrica Cheongju M17 NAND, con objetivo de una primera sala limpia en diciembre de 2028. Las inversiones forman parte de los planes maestros de la compañía de 600 billones de won para el Clúster Semiconductor Yongin y 100 billones de won para su base de producción en Cheongju, y la construcción de la primera fábrica Yongin, Y1, avanza hacia una apertura inicial de sala limpia prevista para febrero de 2027. Citando la proyección de la firma de investigación de mercado Omdia de que la demanda de DRAM y NAND mantendría una tasa de crecimiento anual compuesta del 19 por ciento de 2025 a 2030, la empresa describió la memoria como infraestructura esencial que determina el rendimiento de la IA.

Transacción previa con Intel y el sitio de Ohio

El 20 de octubre de 2020, SK hynix e Intel anunciaron un acuerdo firmado bajo el cual SK hynix adquiriría el negocio de memoria y almacenamiento NAND de Intel por 9 mil millones de dólares, incluyendo el negocio de SSD NAND, el negocio de componentes y obleas NAND, y la instalación de fabricación de memoria NAND Dalian en China. Según la estructura escalonada, SK hynix pagaría 7 mil millones de dólares en el primer cierre, cubriendo el negocio de SSD NAND y la instalación de Dalian, y los 2 mil millones restantes en un cierre final previsto para marzo de 2025, mientras Intel conservaría su negocio Optane.

La instalación de Ohio mencionada en el escenario reportado es el campus de fabricación de Intel, planeado desde hace tiempo. Intel anunció el proyecto el 21 de enero de 2022, con una inversión inicial de más de $28 mil millones para construir dos fábricas de chips de última generación en el condado de Licking, en un campus de casi 1,000 acres. Intel describe el proyecto como la mayor inversión del sector privado en la historia de Ohio y espera que la fase inicial genere 3,000 empleos en Intel y 7,000 empleos de construcción, y la compañía prometió $100 millones adicionales para asociaciones con instituciones educativas para crear una cadena de talento regional. La construcción comenzó con una ceremonia de inicio en septiembre de 2022 y se elevó verticalmente en septiembre de 2024, y el 26 de noviembre de 2024, Intel y la administración Biden-Harris finalizaron una adjudicación de fondos de $7,86 mil millones bajo la US CHIPS Act.