Applied Materials lleva a Besi al EPIC Center como socio de innovación

Applied Materials y BE Semiconductor Industries (Besi) anunció una ampliación de su asociación estratégica de larga data el 1 de octubre de 2026, con Besi uniéndose al EPIC Center de Applied en Silicon Valley como socio de innovación y ampliando un programa de desarrollo conjunto que las compañías lanzaron en 2020.

La ampliación extiende la coinnovación de las compañías más allá del enlace híbrido hacia nuevas arquitecturas de interconexión y aplicaciones que respaldan la hoja de ruta de escalado impulsada por IA de la industria de semiconductores, según el anuncio conjunto. Con la expansión de la infraestructura de IA generando demanda de interconexiones chip‑a‑chip y chip‑a‑paquete de mayor densidad y mayor ancho de banda, las compañías dijeron que la asociación ampliada está destinada a ofrecer a los clientes mutuos un acceso más temprano a soluciones de proceso y ensamblaje co‑optimizado que abarcan todo el flujo de empaquetado avanzado, desde el enlace híbrido a nivel de oblea hasta la integración a escala de panel.

Centro de Excelencia de Singapur y el Sistema Kinex

En 2020, Applied y Besi establecieron un Centro de Excelencia conjunto en el Advanced Packaging Development Center de Applied en Singapur. El centro combinó la experiencia de proceso de Applied en grabado, planarización, deposición, limpieza de obleas, metrología, inspección y control de defectos de partículas con la tecnología de colocación de chips, interconexión y ensamblaje de Besi. Las compañías afirman que la colaboración dio lugar a Kinex, que describen como el primer sistema integrado de enlace híbrido die‑to‑wafer de la industria.

Richard Blickman, CEO y Presidente del Consejo de Administración de Besi, dijo que el centro de excelencia de Singapur ha sido fundamental para la hoja de ruta de enlace híbrido de Besi. Describió la incorporación al EPIC Center como el siguiente paso natural, uno que brinda a Besi un lugar junto a las principales compañías de lógica, memoria y sistemas mientras avanza el escalado TCB, la integración die‑on‑panel y las tecnologías de interconexión que definirán los sistemas de IA y fotónica de próxima generación.

Alcance ampliado de I+D

Gary Dickerson, Presidente y CEO de Applied Materials, dijo que Besi ha sido un socio de confianza desde que las compañías comenzaron a co‑desarrollar soluciones de enlace híbrido de próxima generación. “Con Besi uniéndose al EPIC como socio de innovación, estamos ampliando esa colaboración a lo largo de las tecnologías de interconexión que nuestros clientes necesitan para escalar sistemas de IA”, afirmó, y añadió que trasladar el trabajo al EPIC Center brinda a ambas compañías una visibilidad más temprana de la dirección de la hoja de ruta y les permite co‑optimizar todo el flujo de empaquetado.

Bajo el acuerdo de socio de innovación, los ingenieros de Besi trabajarán con los equipos de Applied en el EPIC Center en un desarrollo conjunto que abarque una gama más amplia de tecnologías de interconexión e integración. La colaboración ampliada se centrará en el escalado de IC 3D de próxima generación y la integración de lógica y memoria para arquitecturas de cómputo y memoria de IA. Las compañías esperan que los programas de I+D incluyan nuevas plataformas para el enlace híbrido die‑to‑wafer que se basen en el Centro de Excelencia de Singapur, el escalado del enlace de termocompresión (TCB) y su ecosistema de procesos circundante, nuevas plataformas de integración die‑on‑wafer, die‑on‑die y die‑on‑panel, y aplicaciones de interconexión habilitadas por fotónica que soporten óptica co‑empaquetada y el escalado de sistemas de IA.

“El empaquetado avanzado ya no es una etapa de ensamblaje de back‑end, sino un desafío de ingeniería de materiales que exige la misma precisión y limpieza que la fabricación de obleas de front‑end”, dijo el Dr. Prabu Raja, Presidente del Grupo de Productos de Semiconductores en Applied Materials. Raja afirmó que desarrollar las tecnologías junto a los ingenieros de Besi en un entorno de I+D de front‑end como el EPIC Center permite a las compañías tratar el trabajo como un flujo conectado único en lugar de pasos aislados, ofreciendo a los clientes mutuos un acceso más temprano a soluciones co‑optimizadas y una ruta más rápida del desarrollo a la fabricación a gran escala.

El EPIC Center en Silicon Valley

Applied describe su nuevo EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center como una inversión de 5 mil millones de dólares y la mayor inversión jamás realizada en EE. UU. en equipamiento avanzado de semiconductores y I+D de tecnología de procesos. Una nota al pie en el anuncio indica que se espera que el gasto de capital se incremente con el tiempo hasta aproximadamente 5 mil millones de dólares a medida que los proyectos de clientes comiencen. La compañía afirmó que el centro está diseñado para reducir drásticamente el tiempo necesario para comercializar tecnologías revolucionarias, desde la investigación en etapas tempranas hasta la fabricación a gran escala.

Applied anunció por primera vez la inversión del EPIC Center el 22 de mayo de 2023, describiéndola como un compromiso histórico para construir la instalación más grande y avanzada del mundo para la tecnología de procesos de semiconductores colaborativa y la I+D de equipos de fabricación en el campus de la compañía en Silicon Valley. Según la página EPIC de la compañía, el centro está diseñado como una red fundamental que conecta a fabricantes de chips, fabricantes de equipos, universidades e instituciones de investigación, permitiendo el desarrollo paralelo, transferencias ágiles y acceso temprano a procesos de próxima generación en todo el ecosistema, en lugar de un ciclo de desarrollo serial y compartimentado. La página indica que los tres pisos de la instalación ubican la sala limpia en la parte superior, el equipo subfab que opera esas herramientas en el medio y los sistemas de soporte del edificio debajo, y que el centro está en camino de iniciar operaciones en 2026.