Semtech bảo đảm năng lực SiGe chuyên biệt tại Tower cho kết nối liên thông AI

Tower Semiconductor và Semtech Corporation thông báo ngày 13 tháng 10 năm 2026 về một thỏa thuận mở rộng kéo dài nhiều năm, theo đó Semtech sẽ đầu tư để bảo đảm năng lực sản xuất silicon germanium (SiGe) chuyên biệt tại Tower, tiếp nối quan hệ hợp tác 20 năm giữa hai công ty nhằm hỗ trợ các kết nối quang học và kết nối đồng cho hạ tầng trung tâm dữ liệu AI.

Thông báo chung, đề ngày tại Migdal Haemek, Israel, và Camarillo, California, gắn khoản đầu tư vào năng lực sản xuất với những đơn hàng thiết kế thành công và nhu cầu đối với linh kiện kết nối quang học cho trung tâm dữ liệu AI mà hai công ty mô tả là mạnh mẽ. Tower hoạt động với vai trò xưởng đúc các giải pháp bán dẫn tương tự có giá trị cao, trong khi Semtech cung cấp các sản phẩm bán dẫn hiệu năng cao cho mạng trung tâm dữ liệu AI và các thiết bị Internet vạn vật kết nối.

Năng lực sản xuất chuyên biệt tại ba khu vực

Năng lực sản xuất được bảo đảm trải rộng tại các nhà máy của Tower ở Hoa Kỳ, Israel và Nhật Bản. Hai công ty cho biết phạm vi hoạt động này giúp chiến lược sản xuất của Semtech tăng cường khả năng chống chịu trước gián đoạn nguồn cung và đa dạng hóa địa lý. Theo thông báo, thỏa thuận dựa trên hoạt động sản xuất hiện tại và giúp Semtech bảo đảm nguồn cung bổ sung, trong bối cảnh nhu cầu đối với các sản phẩm dựa trên SiGe của công ty được dự báo sẽ tăng trên phạm vi ngày càng rộng các chương trình khách hàng và thị trường đầu ra.

Các tuyên bố hướng tới tương lai trong thông cáo cảnh báo rằng kết quả thực tế có thể khác với dự báo, đồng thời nêu ra một số yếu tố: khả năng Tower lắp đặt thiết bị và mở rộng năng lực sản xuất SiGe tại các nhà máy theo tiến độ dự kiến; khả năng nhu cầu đối với các sản phẩm dựa trên SiGe của Semtech không phát triển như dự kiến hoặc Semtech không sử dụng hết năng lực sản xuất đã dành riêng; và rủi ro các đơn hàng thiết kế thành công không chuyển thành đơn đặt hàng sản xuất hoặc doanh thu ở mức hay vào thời điểm dự kiến. Các tuyên bố cũng đề cập đến tốc độ đầu tư vào trung tâm dữ liệu AI, tốc độ ứng dụng các thế hệ tốc độ kết nối liên thông tiếp theo, cũng như việc Semtech phụ thuộc vào Tower để sản xuất các sản phẩm dựa trên SiGe, trong khi hoạt động sản xuất này tập trung tại một số ít cơ sở, trong đó có các cơ sở ở Israel.

Danh mục SiGe và lộ trình tốc độ

Thông báo mô tả năng lượng là giới hạn tiếp theo của AI, khi ngày càng nhiều năng lượng được dành cho việc truyền dữ liệu thay vì xử lý dữ liệu. Hai công ty cho biết khi các cụm AI mở rộng qua nhiều tủ máy, dãy tủ và khuôn viên trung tâm dữ liệu, năng lượng tiêu hao trên mỗi bit dữ liệu truyền đi ngày càng quyết định khối lượng công việc hữu ích mà mỗi bộ tăng tốc có thể xử lý. Mỗi bước trong lộ trình tốc độ, từ 800G lên 1.6T rồi đến 3.2T, đều làm tăng yêu cầu về băng thông, khoảng cách truyền và mức tiêu thụ năng lượng trên mỗi bit, qua đó nâng cao vai trò của tầng mạch tương tự tốc độ cao ở đầu cuối, nơi phát và nhận tín hiệu.

Danh mục sản phẩm bảo đảm toàn vẹn tín hiệu của Semtech, gồm bộ khuếch đại chuyển đổi trở kháng (TIA), bộ điều khiển bộ điều biến và laser, cùng bộ cân bằng tuyến tính, được phát triển trên nền công nghệ quy trình SiGe của Tower. Danh mục này phục vụ các giải pháp quang học tái định thời hoàn toàn (FRO), quang học cắm nóng tuyến tính (LPO), quang học thu tuyến tính (LRO), quang học đóng gói gần (NPO), quang học cắm nóng mật độ cực cao (XPO), bộ cân bằng tuyến tính trên bảng mạch in (PCB) và cáp đồng chủ động (ACC). Semtech cho biết họ tin rằng các sản phẩm này giúp công ty đáp ứng nhu cầu về các kết nối đồng bên trong tủ máy và kết nối quang học trên toàn trung tâm dữ liệu khi ngành chuyển sang thế hệ kiến trúc tiếp theo.

Ngày 25 tháng 8 năm 2026, Semtech giới thiệu dòng giải pháp TIA tuyến tính và bộ điều khiển 224G được thiết kế cho các kiến trúc NPO và quang học đồng đóng gói (CPO) trong các cụm trí tuệ nhân tạo và học máy cũng như trung tâm dữ liệu siêu quy mô: GN1838L và GN42T380, mà Semtech mô tả là các TIA tuyến tính tám kênh đầu tiên trong ngành, cùng bộ điều khiển bộ điều biến Mach-Zehnder tuyến tính tám kênh GN42M380, được tối ưu hóa cho các động cơ quang học 1.6T, 3.2T, 6.4T và 12.8T. GN1838L có bước kênh 500µm, còn GN42T380 có bước kênh 375µm; cả hai đều tích hợp tầng điều khiển độ lợi tự động và chức năng cân bằng tuyến tính thời gian liên tục có thể lập trình. GN42M380, với bước kênh 375µm, hỗ trợ công nghệ quang tử silicon, bộ điều biến Mach-Zehnder bằng indium phosphide và bộ điều biến lithium niobate màng mỏng.

Ngày 21 tháng 9 năm 2026, Semtech thông báo gia nhập Thỏa thuận đa nguồn về quang học cắm nóng mật độ cực cao (XPO MSA), một sáng kiến của ngành nhằm xác định kiểu dáng bộ thu phát quang học mật độ cao 12.8T cho hạ tầng AI. Theo MSA, thế hệ mô-đun hiện tại cung cấp tốc độ 12.8T ở mức 200G mỗi làn, với hệ thống làm mát bằng chất lỏng tích hợp; thế hệ tương lai được định hướng sử dụng các giao diện điện 400G mỗi làn.

Semtech cho biết danh mục bộ điều khiển bộ điều biến và TIA 200G mỗi làn của công ty, gồm TIA bốn kênh và tám kênh với bước kênh 750µm, 500µm và 375µm, cùng bộ điều khiển bộ điều biến Mach-Zehnder có bước kênh 625µm và 375µm, được thiết kế để hỗ trợ phát triển bộ thu phát XPO và triển khai sản xuất hàng loạt. Cũng trong thông cáo đó, Scott Wilkinson, chuyên gia phân tích trưởng về linh kiện quang học tại Cignal AI, dự báo nhu cầu đối với thiết bị quang học truyền dữ liệu sẽ tăng từ 9 tỷ USD vào năm 2024 lên mức ước tính 37 tỷ USD vào năm 2026.

Giải thưởng ECOC và phát biểu của lãnh đạo

Semtech đã nhận giải thưởng Đổi mới Linh kiện Quang học (Chip/Wafer) tại Hội nghị Châu Âu về Truyền thông Quang học (ECOC) 2026, diễn ra từ ngày 21 đến 23 tháng 9 năm 2026 tại Málaga, Tây Ban Nha, nhờ dòng TIA 224 Gbps mỗi làn dành cho các mô-đun quang cắm nóng tuyến tính, được phát triển trên công nghệ SiGe của Tower. Hai công ty cho biết họ tiếp tục hợp tác chặt chẽ về năng lực sản xuất và lộ trình công nghệ chung, được mô tả là nhằm bảo đảm vị thế dẫn đầu sản phẩm trong các thế hệ liên tiếp của giải pháp kết nối trung tâm dữ liệu AI.

Hong Hou, chủ tịch kiêm giám đốc điều hành của Semtech, cho biết khách hàng của Semtech đang nhanh chóng mở rộng băng thông kết nối với quy mô rất lớn, và đáp ứng nhu cầu đó đòi hỏi phải hoạch định năng lực sản xuất dài hạn cũng như có các đối tác sản xuất cam kết đồng hành. Ông Hou cho biết thỏa thuận này “bảo đảm năng lực SiGe riêng tại ba khu vực, phục vụ việc mở rộng kết nối đồng và kết nối quang, từ 800G và 1.6T hiện nay lên 3.2T và cao hơn nữa”.

Russell Ellwanger, giám đốc điều hành của Tower Semiconductor, cho biết hai công ty đang phát triển các giải pháp ở cấp nền tảng, mang lại những chỉ số hiệu năng hàng đầu trong ngành cho các công nghệ thế hệ hiện tại, thế hệ tiếp theo và N+2; các giải pháp này đang được thẩm định từ rất lâu trước khi thị trường cần đến. Ông cho biết quan hệ đối tác đang bảo đảm thị phần vốn đã dẫn đầu của hai công ty trong lĩnh vực kết nối bộ thu phát quang tiếp tục tăng trưởng.