Semtech, AI 인터커넥트를 위해 Tower에서 전용 SiGe 생산능력 확보

Tower Semiconductor와 Semtech Corporation은 2026년 10월 13일, Semtech가 Tower의 실리콘 게르마늄(SiGe) 생산능력을 전용으로 확보하는 데 투자하기로 하는 다년 계약을 확대했다고 발표했다. 이번 계약은 AI 데이터센터 인프라의 광 및 구리 인터커넥트를 지원하기 위해 이어 온 양사의 20년 파트너십을 바탕으로 한다.

공동 발표는 이스라엘 미그달하에멕과 캘리포니아주 카마릴로에서 배포됐으며, 양사가 강력한 설계 채택 실적과 AI 데이터센터 광 인터커넥트 부품 수요로 설명한 상황과 생산능력 투자를 연결했다. Tower는 고부가가치 아날로그 반도체 솔루션을 생산하는 파운드리로 운영되고, Semtech는 AI 데이터센터 네트워킹과 사물인터넷 연결 기기를 위한 고성능 반도체를 공급한다.

세 지역에 걸친 전용 생산능력

확보한 생산능력은 미국, 이스라엘, 일본에 있는 Tower의 팹에 걸쳐 있으며, 양사는 이러한 생산 거점이 Semtech의 제조 전략에 공급망 회복력과 지리적 다변화를 더해 준다고 밝혔다. 이번 계약은 현재 생산을 기반으로 하며 Semtech에 추가적인 공급 확실성을 제공한다. 발표에 따르면, 고객 프로그램과 최종 시장 기반이 확대됨에 따라 SiGe 기반 제품에 대한 수요도 증가할 것으로 예상된다.

보도자료의 미래예측진술은 실적이 전망과 달라질 수 있다고 경고했다. 여기에는 Tower가 예상 일정에 맞춰 팹에 장비를 설치하고 SiGe 제조 역량을 확대할 수 있는지 여부, Semtech의 SiGe 기반 제품 수요가 예상대로 형성되지 않거나 Semtech가 예약한 생산능력을 충분히 활용하지 못할 가능성, 설계 채택이 예상한 수준이나 시기에 생산 주문 또는 매출로 이어지지 않을 위험이 포함된다. 또한 AI 데이터센터 투자 속도, 차세대 인터커넥트 속도의 도입률, 그리고 SiGe 기반 제품 제조를 Tower에 의존하고 제조가 이스라엘을 포함한 제한된 수의 시설에 집중되어 있다는 점도 위험 요인으로 언급했다.

SiGe 제품군과 속도 로드맵

이번 발표는 전력을 AI의 다음 제약 요인으로 꼽으며, 전력의 더 많은 부분이 데이터를 계산하는 대신 데이터를 이동하는 데 쓰이고 있다고 설명했다. 양사는 AI 클러스터가 랙과 열, 캠퍼스 전반으로 확장되면서 데이터 이동에 드는 비트당 에너지 비용이 각 가속기가 제공할 수 있는 유용한 연산량을 점점 더 크게 좌우한다고 밝혔다. 속도 로드맵이 800G에서 1.6T를 거쳐 3.2T로 나아갈 때마다 대역폭, 전송 거리, 비트당 전력 요건이 높아져 신호를 구동하고 수신하는 고속 아날로그 프런트엔드의 중요성이 커진다.

트랜스임피던스 증폭기(TIA), 변조기 및 레이저 드라이버, 선형 이퀄라이저를 포함하는 Semtech의 신호 무결성 제품군은 Tower의 SiGe 공정 기술을 기반으로 한다. 이 제품군은 완전 재타이밍 광학(FRO), 선형 플러그형 광학(LPO), 선형 수신 광학(LRO), 근접 패키지 광학(NPO), 초고밀도 플러그형 광학(XPO), PCB 기반 선형 이퀄라이저, 능동 구리 케이블(ACC)을 지원한다. Semtech는 업계가 차세대 아키텍처로 전환하는 가운데 이 제품들이 랙 내부의 구리 링크와 데이터센터 전반의 광 링크에 대응할 수 있도록 해 준다고 밝혔다.

2026년 8월 25일, Semtech는 AI 및 머신러닝 클러스터와 하이퍼스케일 데이터센터의 NPO 및 공동 패키지 광학(CPO) 아키텍처를 겨냥한 224G 선형 TIA 및 드라이버 솔루션 제품군을 선보였다. 제품군에는 Semtech가 업계 최초의 선형 8채널 TIA라고 설명한 GN1838L과 GN42T380, 그리고 1.6T, 3.2T, 6.4T, 12.8T 광 엔진에 최적화된 GN42M380 선형 8채널 Mach-Zehnder 변조기 드라이버가 포함된다. GN1838L의 채널 피치는 500µm이고 GN42T380의 채널 피치는 375µm이며, 두 제품 모두 자동 이득 제어 단계와 프로그래밍 가능한 연속시간 선형 이퀄라이제이션 기능을 갖췄다. 채널 피치가 375µm인 GN42M380은 실리콘 포토닉스, 인화인듐 Mach-Zehnder, 박막 리튬 나이오베이트 변조기를 지원한다.

2026년 9월 21일, Semtech는 AI 인프라용 12.8T 고밀도 광 트랜시버 폼팩터를 정의하는 업계 이니셔티브인 eXtra-dense Pluggable Optics Multi-Source Agreement 가입을 발표했다(XPO MSA). MSA에 따르면 현재 모듈 세대는 통합 액체 냉각 기능을 갖추고 레인당 200G로 12.8T를 제공하며, 차세대 모듈은 레인당 400G 전기 인터페이스를 채택할 계획이다.

Semtech는 750µm, 500µm, 375µm 채널 피치의 쿼드 및 8채널 TIA와 625µm 및 375µm 피치의 Mach-Zehnder 변조기 드라이버를 포함하는 레인당 200G 변조기 드라이버 및 TIA 제품군이 XPO 트랜시버 개발과 대량 공급을 지원하도록 설계됐다고 밝혔다. 같은 보도자료에서 Cignal AI의 광 부품 담당 수석 애널리스트 Scott Wilkinson은 데이터 통신용 광학 부품 수요가 2024년 90억 달러에서 2026년에는 예상치인 370억 달러로 늘어날 것으로 전망했다.

ECOC 수상 및 경영진 발언

Semtech는 2026년 9월 21일부터 23일까지 스페인 말라가에서 열린 유럽 광통신 콘퍼런스(ECOC 2026)에서 광 부품 혁신(칩/웨이퍼)상을 수상했다. Tower의 SiGe 기술을 기반으로 선형 플러그형 광통신 장치용 레인당 224Gbps TIA 제품군을 개발한 공로를 인정받았다. 양사는 다세대 AI 데이터센터 상호 연결 분야에서 제품 경쟁력을 확보하도록 설계된 공동 기술 로드맵과 생산 능력 확대를 위해 긴밀한 협력을 이어가고 있다고 밝혔다.

Semtech의 사장 겸 최고경영자인 Hong Hou는 Semtech 고객들이 상호 연결 대역폭을 빠르고 대규모로 확대하고 있으며, 이러한 수요에 대응하려면 장기적인 생산 능력 계획과 제조 파트너의 확고한 협력이 필요하다고 말했다. Hou는 이번 계약이 “3개 지역에 걸쳐 전용 SiGe 생산 능력을 확보해 구리 및 광 상호 연결 분야를 확대하고, 현재의 800G와 1.6T부터 3.2T 및 그 이상까지 지원한다”고 밝혔다.

Tower Semiconductor의 최고경영자인 Russell Ellwanger는 양사가 현재 세대와 차세대, N+2 기술 전반에서 자신이 업계 최고 수준이라고 평가한 성능 지표를 제공하는 플랫폼 차원의 솔루션을 개발하고 있으며, 시장 수요가 발생하기 훨씬 전에 해당 솔루션의 인증을 진행하고 있다고 말했다. 또한 이번 파트너십을 통해 광 트랜시버 연결 분야에서 이미 선도적인 양사의 시장 점유율을 지속적으로 확대하고 있다고 밝혔다.