SK Hynix sanoo, ettei raportoituja Intelin Yhdysvaltain muistikeskusteluja koskevia suunnitelmia ole vahvistettu

SK hynix sanoi virallisessa tiedotuslehdistötiedotteessa 16. syyskuuta 2026, että suunnitelmia ei ole vahvistettu tai viimeistelty koskien raportoituja neuvotteluja Intelin kanssa muistikomponenttien valmistamisesta Yhdysvalloissa, vastaten samapäiväiseen raporttiin, jossa kuvattiin kaksi mahdollista kauppaskenaariota.

Tämä lausunto käsitteli 16. syyskuuta 2026 julkaistua raporttia, jonka otsikko oli “SK Hynix neuvottelee Intelin kanssa sopimuksesta muistikomponenttien valmistamisesta Yhdysvalloissa ensimmäistä kertaa, lähteiden mukaan.” SK hynixin lausunnon mukaan raportissa kerrottiin, että yhtiö neuvottelee Intelin kanssa sopimuksesta muistikomponenttien valmistamisesta Yhdysvalloissa, ja siinä mainittiin mahdollinen skenaario, jossa SK hynix voisi vuokrata osan Intelin pitkään suunnitellusta puolijohteiden valmistuslaitoksesta Ohiossa. Raportissa mainittiin toisena skenaariona mahdollisuus perustaa yhteisyritys, johon osallistuvat SK hynix, Intel ja merkittävät pilvipalveluyritykset.

“SK hynix tutkii erilaisia vaihtoehtoja vahvistaakseen globaalia kilpailukykyään, mutta mitään erityisiä suunnitelmia tai järjestelyjä ei ole tällä hetkellä viimeistelty”, yhtiö kertoi. Se lisäsi, että kahteen artikkelissa mainittuun skenaarioon ei ole tehty päätöksiä, ja tarkensi, että mitään yhteistyötä raportissa mainittujen tiettyjen yritysten kanssa tai muistikomponenttien tuotantoa Yhdysvalloissa ei ole vahvistettu.

SK Hynixin nykyinen Yhdysvaltain valmistuskapasiteetti

SK hynix on jo rakentamassa ensimmäistä Yhdysvaltain tuotantolaitostaan Indianassa. 3. huhtikuuta 2024 yhtiö ilmoitti arviolta 3,87 miljardia dollaria investoinnin West Lafayetteen, Indianaan, edistyneen pakkausvalmistuksen ja T&K-laitoksen perustamiseksi tekoälytuotteille, projektina, jonka se kuvailee Yhdysvaltojen ensimmäiseksi tällaiseen, ja jonka odotetaan luovan yli tuhat uutta työpaikkaa alueelle. Laitos on suunniteltu massatuottamaan seuraavan sukupolven korkean kaistanleveyden muisti (HBM), korkean suorituskyvyn muisti, joka yhdistää pystysuunnassa useita DRAM-siruja, ja massatuotanto on kohdistettu toisen puoliskon 2028 alkaen. SK hynix on myös sitoutunut tutkimusyhteistyöhön Purdue Universityn kanssa edistyneessä pakkaamisessa ja heterogeenisessa integraatiossa, työvoiman koulutusohjelmiin Purdue’n ja Ivy Tech Community Collegein kanssa sekä projektiin muisti-keskeisestä arkkitehtuurista generatiivisen tekoälyn aikakaudelle.

Yhtiö järjesti Indiana-fabriikan perustamistilaisuuden 27. elokuuta 2026 Purdue Universityn Holloway Gymnasiumissa. Noin 133 hehtaarin West Lafayette -alueella tullaan sijoittamaan HBM-tuotantolinja ja edistyneen pakkaamisen T&K-testialusta, ja SK hynix aikoo toimittaa seuraavan sukupolven HBM:n, joka on läpikäynyt paikallisen pakkaamisen ja testauksen, Yhdysvaltain asiakkaille alkaen toisen puoliskon 2029. Läsnäolijoina olivat Indiana‑kuvernööri Mike Braun, senaattori Todd Young, Purdue Universityn presidentti Mitch Daniels, West Lafayette -kaupunginjohtaja Erin Easter ja SK hynixin toimitusjohtaja Kwak Noh‑Jung, ja tilaisuudessa allekirjoitettiin yhteisymmärryssopimus SK hynixin ja Purdue’n välillä edistyneen pakkaamisen tutkimus‑ ja kehitystyön osalta. Kwak totesi, että SK hynix aikoo vakiinnuttaa laitoksen ensimmäiseksi HBM‑tuotantokeskuksekseen Yhdysvalloissa, toimittaen “Made in USA” HBM:ää ja varmistaen vakaat toimitukset seuraavan sukupolven muisteille Yhdysvaltain asiakkaille.

Korealainen kapasiteetin laajennus

7. elokuuta 2026 SK hynix ilmoitti hallituksen hyväksynnän noin 54 triljoonaa wonia kahdelle uudelle korean fabriikalle: 35,2 triljoonaa wonia Yongin Y2 -tehtaalle, DRAM-tuotantokohteelle, jonka ensimmäinen puhdastila on suunniteltu kesäkuuhun 2029, tarkoituksena valmistaa HBM:ia ja muita seuraavan sukupolven DRAM-tuotteita, sekä 19,1 triljoonaa wonia Cheongju M17 NAND -tehtaalle, jonka ensimmäinen puhdastila on suunniteltu joulukuuhun 2028. Investoinnit sisältyvät yhtiön 600 triljoonan wonin Yongin Semiconductor -klusterin ja 100 triljoonan wonin Cheongju‑tuotantokohteen pääsuunnitelmiin, ja ensimmäisen Yongin‑tehtaan, Y1:n, rakentaminen etenee kohti alkupuhdistilan avaamista helmikuussa 2027. Viitaten markkinatutkimusyritys Omdian ennusteeseen, jonka mukaan DRAM- ja NAND-kysyntä säilyy 19 prosentin yhdistevuosikasvuna vuosina 2025–2030, yhtiö kuvailee muistia AI‑suorituskykyä määrittävänä keskeisenä infrastruktuurina.

Aikaisempi Intel‑transaktio ja Ohio‑sijainti

20. lokakuuta 2020 SK hynix ja Intel ilmoitti allekirjoitetun sopimuksen, jonka mukaan SK hynix hankkisi Intelin NAND-muisti- ja tallennusliiketoiminnan 9 miljardia dollaria vastaan, mukaan lukien NAND‑SSD‑liiketoiminta, NAND‑komponentti‑ ja wafer‑liiketoiminta sekä Dalianin NAND‑muistitehdas Kiinassa. Vaiheittaisessa rakenteessa SK hynix maksaisi 7 miljardia dollaria ensimmäisessä sulkemisessa, kattaen NAND‑SSD‑liiketoiminnan ja Dalian‑laitoksen, ja jäljelle jäävät 2 miljardia dollaria viimeisessä sulkemisessa, jonka odotettiin tapahtuvan maaliskuussa 2025, ja Intel säilyttäisi Optane‑liiketoimintansa.

Ohiossa mainittu laitoksena on Intelin pitkään suunniteltu tuotantokampus. Intel julisti projektin 21. tammikuuta 2022, aloitusinvestoinnin ollessa yli $20 billion kahden huipputason sirutehtaan rakentamiseksi Licking Countyssa lähes 1 000 hehtaarin kampukselle. Intel kuvaa hankkeen olevan suurin yksityissektorin investointi Ohion historiassa ja odottaa alkuvaiheen luovan 3 000 Intel‑työtä ja 7 000 rakennustyötä, ja yritys lupasi lisäksi $100 million yhteistyöhön oppilaitosten kanssa alueellisen osaamisputken rakentamiseksi. Rakentaminen alkoi syyskuussa 2022 perustustapahtumalla ja nousi pystysuoraan syyskuussa 2024, ja 26. marraskuuta 2024 Intel ja Biden‑Harris‑hallinto viimeistivät $7.86 billion rahoitusmyönnytyksen Yhdysvaltain CHIPS‑lainsäädännön alla.