SK Hynix sanoo, ettei vahvistettuja suunnitelmia ole raportoitu Intelin Yhdysvaltain muistikomponenttineuvotteluista

SK hynix lausui virallisessa lehdistötiedotteessa 16. syyskuuta 2026, ettei raportoituja neuvotteluja Intelin kanssa Yhdysvalloissa muistikomponenttien valmistamisesta koskevia suunnitelmia ole vahvistettu tai viimeistelty, vastaten samana päivänä julkaistuun raporttiin, jossa kuvattiin kaksi mahdollista kauppaskenaariota.

Tässä lausunnossa viitattiin 16. syyskuuta 2026 julkaistuun raporttiin, jonka otsikko oli “SK Hynix neuvottelee Intelin kanssa sopimuksesta, jonka mukaan muistikomponentteja valmistettaisiin Yhdysvalloissa ensimmäistä kertaa, lähteiden mukaan.” SK hynixin lausunnon mukaan raportissa kerrottiin, että yhtiö neuvottelee Intelin kanssa sopimuksesta, jonka puitteissa muistikomponenttien valmistus tapahtuisi Yhdysvalloissa, ja siinä mainittiin mahdollinen skenaario, jossa SK hynix voisi vuokrata osan Intelin pitkään suunnitellusta puolijohteiden valmistuslaitoksesta Ohiossa. Raportissa mainittiin myös toinen skenaario, jonka mukaan voitaisiin perustaa yhteisyritys, johon osallistuisivat SK hynix, Intel ja suuret pilvipalveluyritykset.

“SK hynix tutkii erilaisia vaihtoehtoja vahvistaakseen globaalia kilpailukykyään, mutta mitään konkreettisia suunnitelmia tai järjestelyjä ei ole tällä hetkellä viimeistelty,” yhtiö kertoi. Se lisäsi, että artiklissa mainittuihin kahteen skenaarioon ei ole tehty päätöksiä, ja täsmenti, ettei mikään yhteistyö raportoituun yritykseen tai Yhdysvalloissa tapahtuvaan muistikomponenttien tuotantoon ole olekaan vahvistettu.

SK Hynixin nykyinen Yhdysvaltain valmistuskapasiteetin laajennus

SK hynix on jo rakentamassa ensimmäistä Yhdysvaltain tuotantolaitostaan Indianassa. 3. huhtikuuta 2024 yhtiö julkaisi arvioidun 3,87 miljardin dollarin investoinnin West Lafayetteen, Indianaan, edistyneen pakkaustekniikan valmistus- ja T&K-laitoksen perustamiseksi AI-tuotteille, projektia, jonka se kuvasi Yhdysvaltojen ensimmäiseksi vastaavanlaiseksi ja jonka odotetaan luovan yli tuhat uutta työpaikkaa alueelle. Laitos on suunniteltu massatuottamaan seuraavan sukupolven korkean kaistanleveyden muisti (HBM), suorituskykyinen muisti, joka yhdistää pystysuunnassa useita DRAM-siruja, ja massatuotanto on tavoitteena toisen puoliskon 2028 aikana. SK hynix sitoutui myös tutkimusyhteistyöhön Purdue Universityn kanssa edistyneessä pakkaustekniikassa ja heterogeenisessä integroinnissa, työvoiman koulutusohjelmiin Purdue’n ja Ivy Tech Community College’n kanssa sekä projektiin, joka keskittyy muisti‑keskiseen arkkitehtuuriin generatiivisen AI:n aikakaudella.

Yhtiö järjesti Indiana‑tehtaan perustamistilaisuuden 27. elokuuta 2026 Purdue‑yliopiston Holloway‑gimnaasiossa. Noin 133 hehtaarin laajuinen West Lafayette -alue tulee sisältämään HBM-tuotantolinjan ja edistyneen pakkaustekniikan T&K‑testialustan, ja SK hynix aikoo toimittaa seuraavan sukupolven HBM:n, joka on pakattu ja testattu paikan päällä, Yhdysvaltain asiakkaille toisen puoliskon 2029 alusta alkaen. Läsnäolijoina olivat Indiana‑kuvernööri Mike Braun, senaattori Todd Young, Purdue‑yliopiston rehtori Mitch Daniels, West Lafayette’n pormestari Erin Easter sekä SK hynixin toimitusjohtaja Kwak Noh‑Jung, ja tilaisuudessa allekirjoitettiin yhteisymmärryssopimus SK hynixin ja Purdue’n välillä edistyneen pakkaustekniikan tutkimus‑ ja kehitystyötä varten. Kwak totesi, että SK hynix aikoo perustaa laitoksen ensimmäiseksi HBM‑tuotantokeskuksekseen Yhdysvalloissa, toimittaen “Made in USA”‑HBM:n ja varmistaa vakaat toimitukset seuraavan sukupolven muisteja Yhdysvaltain asiakkaille.

Korean kapasiteetin laajennus

7. elokuuta 2026 SK hynix julkaisi hallituksen hyväksymän noin 54 biljoonaa wonia kahdelle uudelle Korean tehdasalueelle: 35,2 biljoonaa wonia Yongin Y2 -tehtaalle, DRAM-tuotantokohteelle, jonka ensimmäinen puhdastila on suunniteltu kesäkuuhun 2029, ja jonka tarkoituksena on valmistaa HBM‑muistia sekä muita seuraavan sukupolven DRAM-tuotteita, sekä 19,1 biljoonaa wonia Cheongju M17 NAND -tehtaalle, jonka ensimmäinen puhdastila on tavoitteena joulukuussa 2028. Investoinnit sisältyvät yhtiön 600 biljoonan wonin suunnitelmaan Yongin‑puolijohdeklusterille ja 100 biljoonan wonin suunnitelmaan Cheongju‑tuotantokohteelle, ja ensimmäisen Yongin‑tehtaan, Y1:n, rakentaminen etenee kohti alkupuhdistilan avaamista, jonka tavoite on helmikuu 2027. Viitaten markkinatutkimusyritys Omdian ennusteeseen, jonka mukaan DRAM‑ ja NAND‑kysyntä säilyy 19 %:n vuotuisella kasvukorolla vuosina 2025–2030, yhtiö kuvasi muistin ydininfra­struktuurina, joka määrittää AI‑suorituskyvyn.

Aikaisempi Intel‑kauppa ja Ohio‑sijainti

20. lokakuuta 2020 SK hynix ja Intel julkaisivat allekirjoitetun sopimuksen, jonka mukaan SK hynix hankkisi Intelin NAND-muisti- ja tallennusliiketoiminnan 9 miljardia dollaria vastaan, mukaan lukien NAND‑SSD‑liiketoiminta, NAND‑komponentti‑ ja wafer‑liiketoiminta sekä Dalianin NAND‑muistitehdas Kiinassa. Vaiheittaisessa rakenteessa SK hynix maksaisi 7 miljardia dollaria ensimmäisessä sulkemisessa, kattaen NAND‑SSD‑liiketoiminnan ja Dalian‑laitoksen, ja jäljelle jäävät 2 miljardia dollaria viimeisessä sulkemisessa, jonka odotetaan tapahtuvan maaliskuussa 2025, kun taas Intel säilyttäisi Optane‑liiketoimintansa.

Ohiossa mainittu laitos raportoidussa skenaariossa on Intelin pitkään suunnittelema valmistuskampus. Intel julisti projektin 21. tammikuuta 2022, ja aloitusinvestointi on yli 28 miljardia dollaria kahden huipputason sirutehtaan rakentamiseen Licking Countyssa lähes 1 000 hehtaarin kampuksella. Intel kuvailee projektia suurimpana yksittäisenä yksityissektorin investointina Ohion historiassa ja odottaa, että alkuvaihe luo 3 000 Intel‑työpaikkaa ja 7 000 rakennusalan työpaikkaa, ja yritys lupasi lisä 100 miljoonaa dollaria yhteistyöhön oppilaitosten kanssa alueellisen osaamispolun rakentamiseksi. Rakentaminen alkoi syyskuun 2022 perustuskiven nostolla ja nousi pystysuoraan syyskuussa 2024, ja 26. marraskuuta 2024 Intel ja Biden-Harris -hallinto viimeistivät 7,86 miljardia dollaria sisältävän rahoitusmyönnytyksen US CHIPS -lain nojalla.