Semtech obtiene capacidad dedicada de SiGe en Tower para interconexiones de IA

Tower Semiconductor y Semtech Corporation anunciaron el 13 de octubre de 2026 un acuerdo plurianual ampliado por el que Semtech invertirá para asegurar capacidad dedicada de silicio-germanio (SiGe) en Tower, sobre la base de los 20 años de colaboración entre ambas empresas para respaldar las interconexiones ópticas y de cobre de la infraestructura de centros de datos de IA.

El anuncio conjunto, fechado en Migdal Haemek, Israel, y Camarillo, California, vincula la inversión en capacidad con lo que las empresas describieron como importantes éxitos de diseño y una fuerte demanda de componentes de interconexión óptica para centros de datos de IA. Tower opera como fundición de soluciones de semiconductores analógicos de alto valor, mientras que Semtech suministra semiconductores de alto rendimiento para redes de centros de datos de IA y dispositivos conectados del Internet de las cosas.

Capacidad dedicada en tres regiones

La capacidad asegurada abarca las fábricas de Tower en Estados Unidos, Israel y Japón. Según las empresas, esta presencia geográfica aporta mayor resiliencia del suministro y diversificación geográfica a la estrategia de fabricación de Semtech. El acuerdo se basa en la producción actual y ofrece a Semtech garantías adicionales de suministro. Según el anuncio, se prevé que crezca la demanda de sus productos basados en SiGe en una base cada vez más amplia de programas de clientes y mercados finales.

Las declaraciones prospectivas del comunicado advierten que los resultados podrían diferir de las proyecciones. Entre los factores citados figuran la capacidad de Tower para instalar equipos y ampliar la fabricación de SiGe en sus fábricas dentro del plazo previsto; la posibilidad de que la demanda de los productos de Semtech basados en SiGe no evolucione según lo previsto o de que Semtech no utilice plenamente la capacidad reservada; y el riesgo de que los éxitos de diseño no se conviertan en pedidos de producción o ingresos en los niveles o plazos previstos. Las declaraciones también mencionan el ritmo de inversión en centros de datos de IA, la tasa de adopción de las velocidades de interconexión de próxima generación y la dependencia de Semtech de Tower para fabricar sus productos basados en SiGe, cuya producción se concentra en un número limitado de instalaciones, entre ellas las de Israel.

La cartera de SiGe y la hoja de ruta de velocidades

El anuncio presenta la energía como la próxima limitación para la IA, ya que una proporción cada vez mayor se destina a mover datos en lugar de procesarlos. A medida que los clústeres de IA se expanden por bastidores, filas y campus, el costo energético por bit de mover datos determina cada vez más cuánto trabajo útil puede realizar cada acelerador, señalaron las empresas. Cada etapa de la hoja de ruta de velocidades, de 800G a 1.6T y luego a 3.2T, aumenta los requisitos de ancho de banda, alcance y energía por bit, lo que eleva la importancia de la interfaz analógica de alta velocidad que transmite y recibe la señal.

La cartera de integridad de señal de Semtech, que incluye amplificadores de transimpedancia (TIA), controladores para moduladores y láseres, y ecualizadores lineales, se basa en la tecnología de proceso SiGe de Tower. Abarca óptica con regeneración completa de la señal (FRO), óptica lineal enchufable (LPO), óptica lineal de recepción (LRO), óptica cercana al encapsulado (NPO), óptica enchufable extr densa (XPO), ecualizadores lineales en placas de circuito impreso y cables de cobre activos (ACC). Semtech afirmó que considera que estos productos la sitúan en condiciones de atender las conexiones de cobre dentro del bastidor y las conexiones ópticas en todo el centro de datos, a medida que el sector avanza hacia su próxima generación de arquitecturas.

El 25 de agosto de 2026, Semtech presentó una familia de soluciones de TIA lineales y controladores de 224G diseñadas para arquitecturas NPO y de óptica coempaquetada (CPO) en clústeres de IA y aprendizaje automático, así como en centros de datos a hiperescala: los modelos GN1838L y GN42T380, que Semtech describió como los primeros TIA lineales octales del sector, y el controlador lineal octal para moduladores Mach-Zehnder GN42M380, optimizado para motores ópticos de 1.6T, 3.2T, 6.4T y 12.8T. El GN1838L tiene un paso entre canales de 500 µm y el GN42T380, de 375 µm; ambos incluyen una etapa de control automático de ganancia y ecualización lineal programable de tiempo continuo. El GN42M380, con un paso entre canales de 375 µm, es compatible con moduladores de fotónica de silicio, de Mach-Zehnder de fosfuro de indio y de niobato de litio de película delgada.

El 21 de septiembre de 2026, Semtech anunció su incorporación al Acuerdo de Múltiples Fuentes para Óptica Enchufable Extradensa (XPO MSA), una iniciativa del sector que define un formato de transceptor óptico de alta densidad de 12.8T para infraestructura de IA. En virtud del acuerdo, la generación actual de módulos ofrece 12.8T a 200G por canal con refrigeración líquida integrada, y se prevé que una generación futura utilice interfaces eléctricas de 400G por canal.

Semtech afirmó que su cartera de controladores para moduladores y TIA de 200G por canal, que incluye TIA cuádruples y octales con pasos entre canales de 750 µm, 500 µm y 375 µm, así como controladores para moduladores Mach-Zehnder con pasos de 625 µm y 375 µm, está diseñada para respaldar el desarrollo de transceptores XPO y su despliegue a gran escala. En el mismo comunicado, Scott Wilkinson, analista principal de componentes ópticos de Cignal AI, pronosticó que la demanda de óptica para transmisión de datos crecería de 9.000 millones de dólares en 2024 a una cifra estimada de 37.000 millones de dólares en 2026.

Premio ECOC y declaraciones de los directivos

Semtech recibió el premio a la Innovación en Componentes Ópticos (chip/oblea) en la European Conference on Optical Communication (ECOC) 2026, celebrada del 21 al 23 de septiembre de 2026 en Málaga, España, por su familia de amplificadores de transimpedancia (TIA) de 224 Gbps por canal para óptica lineal conectable, basada en la tecnología SiGe de Tower. Las empresas afirmaron que siguen colaborando estrechamente en materia de capacidad y en una hoja de ruta tecnológica conjunta, concebida para asegurar el liderazgo de sus productos en las interconexiones de centros de datos de IA a lo largo de varias generaciones.

Hong Hou, presidente y director ejecutivo de Semtech, afirmó que los clientes de Semtech están ampliando rápidamente el ancho de banda de interconexión y a gran escala, y que atender esa demanda requiere planificación de capacidad a largo plazo y socios de fabricación comprometidos. El acuerdo, señaló Hou, «asegura capacidad dedicada de SiGe en tres regiones para crecer en las interconexiones de cobre y ópticas, desde 800G y 1,6T en la actualidad hasta 3,2T y más allá».

Russell Ellwanger, director ejecutivo de Tower Semiconductor, afirmó que las empresas están impulsando soluciones a nivel de plataforma que ofrecen lo que calificó como indicadores de rendimiento líderes en su categoría en las tecnologías actuales, de próxima generación y N+2, y que esas soluciones se están certificando mucho antes de que las necesite el mercado. Añadió que la alianza está garantizando la ampliación continua de la cuota de mercado, ya de por sí líder, de las empresas en conectividad para transceptores ópticos.