Partnerskaber

Applied Materials bringer Besi ind i EPIC Center som innovationspartner

mm
Føj Unite.AI til dine foretrukne kilder på Google

Applied Materials og BE Semiconductor Industries (Besi) annoncerede en udvidelse af deres mangeårige strategiske partnerskab den 1. oktober 2026, hvor Besi slutter sig til Applied’s EPIC Center i Silicon Valley som innovationspartner og udvider et fælles udviklingsprogram, som virksomhederne lancerede i 2020.

Udvidelsen udvider virksomhedernes co-innovation ud over hybrid bonding til nye interconnect-arkitekturer og -applikationer, der understøtter halvlederindustriens AI-drevne skaleringskøreplan, ifølge den fælles meddelelse. Med opbygningen af AI-infrastrukturen, der skaber efterspørgsel efter højere densitet og højere båndbredde chip-til-chip og chip-til-pakke interconnects, sagde virksomhederne, at det udvidede partnerskab har til formål at give fælles kunder tidligere adgang til co-optimerede proces- og samlingsløsninger, der dækker hele den avancerede pakkestrøm, fra wafer-niveau hybrid bonding til panel-skala integration.

Singapore Center of Excellence og Kinex System

I 2020 etablerede Applied og Besi et fælles Center of Excellence på Applieds Advanced Packaging Development Center i Singapore. Centret kombinerede Applieds procesekspertise inden for ætning, planarisation, deposition, wafer-rengøring, metrologi, inspektion og partikeldefektkontrol med Besis die-placering, interconnect- og samlingsteknologi. Virksomhederne siger, at samarbejdet resulterede i Kinex, som de beskriver som branchens første integrerede die-to-wafer hybrid bonding-system.

Richard Blickman, administrerende direktør og formand for Besis bestyrelse, sagde, at Singapore Center of Excellence har været grundlæggende for Besis hybrid bonding-roadmap. Han beskrev tilslutningen til EPIC Center som et naturligt næste skridt, der giver Besi en plads ved siden af førende logik-, hukommelses- og systemvirksomheder, mens de fremmer TCB-skalering, die-on-panel-integration og de interconnect-teknologier, der skal definere næste generations AI- og fotoniksystemer.

Udvidet R&D-omfang

Gary Dickerson, præsident og administrerende direktør for Applied Materials, sagde, at Besi har været en betroet partner, siden virksomhederne begyndte at co-udvikle næste generations hybrid bonding-løsninger. “Med Besi, der slutter sig til EPIC som innovationspartner, udvider vi dette samarbejde til de interconnect-teknologier, som vores kunder har brug for at skalere AI-systemer,” sagde han og tilføjede, at flytningen af arbejdet til EPIC Center giver begge virksomheder tidligere indsigt i køreplanens retning og gør det muligt for dem at co-optimere hele pakkestrømmen.

Under Innovation Partner-aftalen vil Besi-ingeniører arbejde sammen med Applied’s teams i EPIC Center på fælles udvikling, der dækker et bredere udvalg af interconnect- og integrationsteknologier. Det udvidede samarbejde vil fokusere på næste generations 3D IC-skalerings- og logik- og hukommelsesintegrationsløsninger for AI-beregnings- og hukommelsesarkitekturer. Virksomhederne forventer, at F&U-programmerne vil omfatte nye platforme til die-to-wafer hybrid bonding, som bygger på Singapore Center of Excellence, skalering af thermo‑compression bonding (TCB) og det tilhørende procesøkosystem, nye die-on-wafer, die-on-die og die-on-panel integrationsplatforme samt fotonikaktiverede interconnect‑applikationer, der understøtter co‑packaged optics og AI‑systemskalerings.

“Advanced packaging er ikke længere et bagvedliggende samlings trin – det er en materialeteknologisk udfordring, der kræver samme præcision og renhed som front-end wafer-fremstilling,” sagde Dr. Prabu Raja, præsident for Semiconductor Products Group hos Applied Materials. Raja sagde, at udviklingen af teknologierne sammen med Besi-ingeniører i et front-end F&D-miljø som EPIC Center gør det muligt for virksomhederne at behandle arbejdet som en enkelt sammenhængende strøm i stedet for isolerede trin, hvilket giver fælles kunder tidligere adgang til co-optimerede løsninger og en hurtigere vej fra udvikling til højvolumenproduktion.

EPIC Center i Silicon Valley

Applied beskriver sit nye EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) Center som en investering på $5 billion og den hidtil største amerikanske investering i avanceret udstyr og proces-teknologi R&D for halvledere. En fodnote i meddelelsen angiver, at kapitaludgifterne forventes at vokse over tid til cirka $5 billion, når kundernes projekter påbegyndes. Virksomheden sagde, at centret er designet til at reducere den tid, der kræves for at kommercialisere banebrydende teknologier fra tidlig forskning til fuldskala produktion, markant.

Applied først annoncerede EPIC Center-investeringen den 22. maj 2023, og beskrev den som en banebrydende forpligtelse til at bygge verdens største og mest avancerede facilitet for samarbejdende halvlederproces-teknologi og fremstillingsudstyr R&D på virksomhedens campus i Silicon Valley. Ifølge virksomhedens EPIC-side er centret designet som et grundlæggende netværk, der forbinder chipproducenter, udstyrsproducenter, universiteter og forskningsinstitutioner, hvilket muliggør parallel udvikling, agile overleveringer og tidlig adgang til næste generations processer på tværs af økosystemet i stedet for en sekventiel, compartmentaliseret udviklingscyklus. Siden angiver, at facilitetens tre etager placerer renrummet øverst, subfab-udstyret, der driver værktøjerne, i midten og bygningens støttesystemer nedenunder, og at centret er på vej til at starte driften i 2026.

Theo Nash er en AI‑genereret specialist hos Unite.AI, der dækker AI‑infrastruktur, beregning og de hardware‑systemer, der driver moderne kunstig intelligens. Hans arbejde fokuserer på de tekniske grundlag bag store AI‑arbejdsbelastninger, herunder datacentre, acceleratorer, netværk og software‑stakke, der binder dem sammen.

Med et analytisk og ingeniørdrevet perspektiv undersøger Theo, hvordan fremskridt inden for GPU’er, specialdesignet silicium, hukommelsesarkitekturer og distribuerede systemer muliggør nye generationer af AI‑modeller. Han lægger særlig vægt på præstationsafvejninger, energieffektivitet, skalerbarhed og de praktiske begrænsninger, der former implementeringen af AI‑infrastruktur i den virkelige verden.

Artikler skrevet af Theo Nash er AI‑genererede og gennemgået af Unite.AI’s redaktionsteam for at sikre teknisk nøjagtighed, klarhed og ansvarlig dækning af det hastigt udviklende AI‑beregningslandskab.