Partenariats
SK Hynix déclare qu’aucun plan confirmé n’existe concernant les discussions rapportées avec Intel sur la mémoire aux États‑Unis
Ajouter Unite.AI à vos sources préférées sur Google
SK hynix a déclaré dans un communiqué officiel le 16 septembre 2026 que aucun plan n’avait été confirmé ou finalisé concernant les discussions rapportées avec Intel sur la fabrication de puces mémoire aux États‑Unis, en réponse à un rapport publié le même jour décrivant deux scénarios d’accord potentiels.
Le communiqué a fait référence à un rapport publié le 16 septembre 2026, intitulé « SK Hynix en pourparlers avec Intel pour un accord visant à fabriquer des puces mémoire aux États‑Unis pour la première fois, selon des sources ». Selon le communiqué de SK hynix, le rapport indiquait que l’entreprise était en pourparlers avec Intel pour un accord de fabrication de puces mémoire aux États‑Unis, et il mentionnait un scénario potentiel où SK hynix pourrait louer une partie de l’installation de fabrication de semi-conducteurs d’Intel, planifiée depuis longtemps, dans l’Ohio. Un second scénario évoqué dans le rapport, d’après le communiqué, est la possibilité de créer une coentreprise impliquant SK hynix, Intel et d’importantes entreprises du cloud.
« SK hynix explore diverses options pour renforcer sa compétitivité mondiale, mais aucun plan ou accord spécifique n’a été finalisé à ce jour », a déclaré l’entreprise. Elle a ajouté qu’aucune décision n’avait été prise concernant les deux scénarios mentionnés dans l’article, et a précisé que rien n’avait été finalisé en ce qui concerne la coopération avec les entreprises spécifiques citées dans le rapport ou la production de puces mémoire aux États‑Unis.
Déploiement de la production américaine existante de SK Hynix
SK hynix construit déjà son premier site de production aux États‑Unis, dans l’Indiana. Le 3 avril 2024, l’entreprise a annoncé un investissement estimé à 3,87 milliard de dollars à West Lafayette, Indiana, pour édifier une installation de fabrication d’emballages avancés et de R&D pour les produits d’IA, un projet qu’elle a décrit comme le premier de ce type aux États‑Unis et qui, selon elle, créerait plus d’un millier d’emplois nouveaux dans la région. L’installation devait produire en série la prochaine génération de mémoire à large bande passante, ou HBM, une mémoire haute performance qui interconnecte verticalement plusieurs puces DRAM, avec une production de masse prévue pour le second semestre 2028. SK hynix s’est également engagé dans une collaboration de recherche avec Purdue University sur l’emballage avancé et l’intégration hétérogène, des programmes de formation de la main‑d’œuvre avec Purdue et Ivy Tech Community College, ainsi qu’un projet d’architecture centrée sur la mémoire pour l’ère de l’IA générative.
L’entreprise a organisé une cérémonie de pose de première pierre pour l’usine de l’Indiana le 27 août 2026, au gymnase Holloway de Purdue University. Le site d’environ 133 acres à West Lafayette accueillera une ligne de production HBM et un banc d’essai de R&D en emballage avancé, et SK hynix prévoit de fournir aux clients américains la prochaine génération de HBM, emballée et testée sur place, à partir du second semestre 2029. Parmi les participants figuraient le gouverneur de l’Indiana Mike Braun, le sénateur Todd Young, le président de Purdue University Mitch Daniels, la maire de West Lafayette Erin Easter, ainsi que le PDG de SK hynix Kwak Noh‑Jung ; l’événement a également compris la signature d’un protocole d’entente entre SK hynix et Purdue pour la recherche et le développement en emballage avancé. Kwak a déclaré que SK hynix envisage d’établir l’installation comme sa première base de production HBM aux États‑Unis, en fournissant du HBM “Made in USA” et en garantissant un approvisionnement stable en mémoire de prochaine génération aux clients américains.
Extension de capacité en Corée
Le 7 août 2026, SK hynix a annoncé l’approbation du conseil d’administration d’environ 54 trillions de won pour deux nouvelles usines coréennes : 35,2 trillions de won pour l’usine Yongin Y2, une base de production de DRAM visant à inaugurer sa première salle blanche en juin 2029 pour produire du HBM et d’autres produits DRAM de prochaine génération, et 19,1 trillions de won pour l’usine Cheongju M17 NAND, visant à ouvrir sa première salle blanche en décembre 2028. Ces investissements s’inscrivent dans les plans maîtres de l’entreprise de 600 trillions de won pour le cluster de semi-conducteurs de Yongin et de 100 trillions de won pour sa base de production à Cheongju, et la construction de la première usine Yongin, Y1, progresse vers une ouverture de salle blanche initiale prévue pour février 2027. En citant la projection de la société d’études de marché Omdia selon laquelle la demande de DRAM et de NAND maintiendrait un taux de croissance annuel composé de 19 % de 2025 à 2030, l’entreprise a décrit la mémoire comme une infrastructure de base déterminant les performances de l’IA.
Transaction antérieure avec Intel et le site de l’Ohio
Le 20 octobre 2020, SK hynix et Intel ont annoncé la signature d’un accord selon lequel SK hynix acquérirait l’activité de mémoire et de stockage NAND d’Intel pour 9 milliards de dollars, incluant l’activité NAND SSD, l’activité composant et plaquette NAND, ainsi que l’usine de fabrication de mémoire NAND de Dalian en Chine. Dans le cadre de cette structure échelonnée, SK hynix verserait 7 milliards de dollars lors de la première clôture, couvrant l’activité NAND SSD et l’usine de Dalian, et les 2 milliards restants lors d’une clôture finale prévue pour mars 2025, tandis qu’Intel conserverait son activité Optane.
L’installation de l’Ohio mentionnée dans le scénario rapporté est le campus de fabrication longtemps prévu d’Intel. Intel a annoncé le projet le 21 janvier 2022, avec un investissement initial de plus de 28 milliards de dollars pour construire deux usines de puces de pointe dans le comté de Licking sur un campus de près de 1 000 acres. Intel décrit le projet comme le plus grand investissement du secteur privé jamais réalisé dans l’histoire de l’Ohio et prévoit que la phase initiale créera 3 000 emplois chez Intel et 7 000 emplois de construction, et l’entreprise a promis 100 millions de dollars supplémentaires pour des partenariats avec des établissements d’enseignement afin de créer un vivier de talents régional. La construction a commencé avec une cérémonie de pose de la première pierre en septembre 2022 et a atteint la hauteur maximale en septembre 2024, et le 26 novembre 2024, Intel et l’administration Biden-Harris ont finalisé une subvention de 7,86 milliards de dollars dans le cadre de la loi US CHIPS.
