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SK Hynix déclare qu’aucun plan confirmé n’existe concernant les discussions rapportées avec Intel sur la mémoire aux États-Unis
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SK hynix a déclaré dans un communiqué officiel le 16 septembre 2026, qu’aucun plan n’a été confirmé ou finalisé concernant les discussions rapportées avec Intel sur la fabrication de puces mémoire aux États-Unis, en réponse à un rapport publié le même jour qui décrivait deux scénarios d’accord potentiels.
La déclaration a porté sur un rapport publié le 16 septembre 2026, intitulé « SK Hynix en pourparlers avec Intel sur un accord pour fabriquer des puces mémoire aux États‑Unis pour la première fois, selon des sources ». Selon la déclaration de SK hynix, le rapport indiquait que l’entreprise était en pourparlers avec Intel concernant un accord de fabrication de puces mémoire aux États‑Unis, et il mentionnait un scénario potentiel dans lequel SK hynix pourrait louer une partie de l’usine de fabrication de semi‑conducteurs, prévue depuis longtemps, d’Intel dans l’Ohio. Un second scénario évoqué dans le rapport, d’après la déclaration, est la possibilité de créer une coentreprise impliquant SK hynix, Intel et d’importantes sociétés de cloud.
« SK hynix explore diverses options pour renforcer sa compétitivité mondiale, mais aucun plan ou arrangement spécifique n’a été finalisé à ce jour », a déclaré l’entreprise. Elle a ajouté qu’aucune décision n’avait été prise concernant les deux scénarios mentionnés dans l’article, et a précisé que rien n’avait été finalisé quant à une coopération avec les entreprises spécifiques nommées dans le rapport ou à la production de puces mémoire aux États-Unis.
Déploiement de la production américaine existante de SK Hynix
SK hynix construit déjà son premier site de production aux États-Unis dans l’Indiana. Le 3 avril 2024, l’entreprise a annoncé un investissement estimé à 3,87 milliard de dollars à West Lafayette, Indiana, pour construire une installation de fabrication d’emballage avancé et de R&D pour les produits d’IA, un projet qu’elle a décrit comme le premier de ce type aux États-Unis et qui, selon elle, créerait plus d’un millier de nouveaux emplois dans la région. L’installation devait produire en série la mémoire à bande passante élevée de prochaine génération, ou HBM, une mémoire haute performance qui interconnecte verticalement plusieurs puces DRAM, avec une production de masse prévue pour la seconde moitié de 2028. SK hynix s’est également engagé dans une collaboration de recherche avec l’Université Purdue sur l’emballage avancé et l’intégration hétérogène, des programmes de formation de la main‑d’œuvre avec Purdue et le Ivy Tech Community College, ainsi qu’un projet d’architecture centrée sur la mémoire pour l’ère de l’IA générative.
L’entreprise a tenu une cérémonie de pose de la première pierre pour l’usine de l’Indiana le 27 août 2026, au gymnase Holloway de l’Université Purdue. Le site d’environ 133 acres à West Lafayette abritera une ligne de production HBM et un banc d’essai de R&D en emballage avancé, et SK hynix prévoit de fournir aux clients américains de la HBM de prochaine génération, emballée et testée sur place, à partir de la seconde moitié de 2029. Parmi les participants figuraient le gouverneur de l’Indiana Mike Braun, le sénateur Todd Young, le président de l’Université Purdue Mitch Daniels, la maire de West Lafayette Erin Easter et le PDG de SK hynix Kwak Noh-Jung, et l’événement a inclus la signature d’un protocole d’entente entre SK hynix et Purdue pour la recherche et le développement en emballage avancé. Kwak a déclaré que SK hynix prévoit d’établir l’installation comme sa première base de production HBM aux États-Unis, en fournissant de la HBM « Made in USA » et en garantissant un approvisionnement stable en mémoire de prochaine génération aux clients américains.
Expansion de capacité en Corée du Sud
Le 7 août 2026, SK hynix a annoncé l’approbation du conseil d’administration d’environ 54 billion de wons pour deux nouvelles usines coréennes : 35,2 billion de wons pour l’usine Yongin Y2, une base de production DRAM visant une première salle blanche en juin 2029 pour produire de la HBM et d’autres produits DRAM de prochaine génération, et 19,1 billion de wons pour l’usine NAND Cheongju M17, visant une première salle blanche en décembre 2028. Les investissements s’inscrivent dans les plans maîtres de l’entreprise de 600 billion de wons pour le cluster de semi-conducteurs de Yongin et de 100 billion de wons pour sa base de production à Cheongju, et la construction de la première usine Yongin, Y1, progresse vers une ouverture initiale de salle blanche prévue pour février 2027. Citant la projection de la société d’études de marché Omdia selon laquelle la demande de DRAM et de NAND maintiendrait un taux de croissance annuel composé de 19 % de 2025 à 2030, l’entreprise a décrit la mémoire comme une infrastructure de base déterminant les performances de l’IA.
Transaction antérieure avec Intel et le site de l’Ohio
Le 20 octobre 2020, SK hynix et Intel a annoncé la signature d’un accord selon lequel SK hynix acquérirait l’activité de mémoire et de stockage NAND d’Intel pour 9 milliards de dollars, incluant l’activité NAND SSD, l’activité composant et plaquette NAND, ainsi que l’usine de fabrication de mémoire NAND de Dalian en Chine. Dans le cadre de la structure échelonnée, SK hynix paierait 7 milliards de dollars lors de la première clôture, couvrant l’activité NAND SSD et l’usine de Dalian, et les 2 milliards restants lors d’une clôture finale prévue en mars 2025, tandis qu’Intel conserverait son activité Optane.
L’installation de l’Ohio mentionnée dans le scénario rapporté est le campus de fabrication longtemps prévu d’Intel. Intel a annoncé le projet le 21 janvier 2022, avec un investissement initial de plus de $20 milliards pour construire deux usines de puces de pointe dans le comté de Licking sur un campus de près de 1 000 acres. Intel décrit le projet comme le plus grand investissement du secteur privé jamais réalisé dans l’histoire de l’Ohio et prévoit que la phase initiale créera 3 000 emplois chez Intel et 7 000 emplois de construction, et l’entreprise a promis $100 millions supplémentaires pour des partenariats avec des établissements d’enseignement afin de créer un vivier de talents régional. La construction a commencé avec une cérémonie de pose de la première pierre en septembre 2022 et a atteint la hauteur maximale en septembre 2024, et le 26 novembre 2024, Intel et l’administration Biden-Harris ont finalisé une subvention de $7,86 milliards dans le cadre de la loi américaine CHIPS Act.
