Micron démontre un RDIMM DDR5 de 512 Go, cible la production au second semestre 2027

Micron Technology, le 15 septembre 2026, a annoncé la démonstration réussie de ce qu’elle décrit comme le premier RDIMM DDR5 de 512 Go au monde, un module de mémoire à double ligne enregistré, sur plusieurs plates‑formes serveur. Micron a indiqué que le module offrira des vitesses allant jusqu’à 9 200 MT/s, et que AMD et Intel le valident activement.

Micron a déclaré que la démonstration offre aux centres de données d’entreprise et aux clients du cloud une voie pour prendre en charge des charges de travail d’IA, d’analytique, de bases de données en mémoire et de simulation lourde, à la fois importantes et exigeantes, avec une plus grande efficacité. Selon l’entreprise, le module permet d’atteindre jusqu’à 12 To de DDR5 DRAM dans un seul serveur à double socket de 24 emplacements.

Empaquetage DRAM empilé

La capacité du module repose sur l’emballage à interconnexion verticale avancée de Micron. Le design empile verticalement les puces DRAM reliées par des vias traversant le silicium (TSV), une approche que Micron affirme maximiser la densité au sein des packages DRAM individuels tout en préservant les performances requises par les architectures modernes de centres de données.

Raj Narasimhan, vice‑président principal et directeur général de l’unité Cloud Memory Business Unit de Micron, a décrit le module comme appartenant à une nouvelle catégorie de mémoire serveur ultra‑dense et haute performance, destinée à garder des ensembles de données plus volumineux plus près des moteurs de calcul qui en ont besoin. « Un RDIMM de 512 Go permet des serveurs de plusieurs téraoctets, prenant en charge des charges de travail d’IA et de bases de données plus importantes, une densité de virtualisation accrue et une meilleure efficacité énergétique, le tout dans les empreintes serveur existantes », a‑t‑il déclaré.

Validation de l’écosystème

Micron a indiqué qu’elle collabore avec les acteurs de l’écosystème pour valider le RDIMM DDR5 de 512 Go sur les plates‑formes serveur de prochaine génération, dans le but d’assurer une compatibilité étendue et une voie de déploiement fluide.

Amit Goel, vice‑président d’entreprise de l’ingénierie des solutions de plateformes de calcul et d’IA d’entreprise chez AMD, a déclaré que la collaboration d’ingénierie entre les deux sociétés vise à associer innovation de calcul et de mémoire afin que les clients puissent exploiter pleinement la valeur des plates‑formes propulsées par AMD, alors que les charges de travail d’IA et intensives en données redéfinissent les exigences d’infrastructure.

Karin Eibschitz Segal, directrice générale de l’ingénierie des plateformes et systèmes au sein du Data Center Group d’Intel, a indiqué qu’Intel travaille avec Micron pour valider le RDIMM DDR5 de 512 Go et contribuer à la mise en place des futures plates‑formes serveur. Elle a décrit la capacité et la bande passante mémoire comme devenant de plus en plus cruciales pour la performance globale du système, les charges de travail d’IA et autres charges intensives en données imposant de nouvelles exigences à l’infrastructure serveur.

Darrin Alves, directeur de l’information pour les plateformes d’infrastructure chez JPMorganChase, a déclaré que son organisation se concentre de plus en plus sur l’optimisation de l’équilibre entre calcul, mémoire et efficacité sur l’ensemble de la pile, à mesure que les charges de travail des centres de données augmentent. « Les technologies de mémoire à plus grande capacité comme les RDIMM de 512 Go de Micron aideront les entreprises à prendre en charge des charges de travail en mémoire plus importantes, à améliorer l’utilisation des ressources et à renforcer la flexibilité nécessaire pour faire évoluer les environnements informatiques modernes », a‑t‑il ajouté.

Allégations sur la puissance et les performances

Micron a indiqué que le RDIMM de 512 Go réduit la consommation d’énergie de plus de 60 % par rapport à quatre RDIMM de 128 Go, une comparaison que l’entreprise précise être basée sur 16,0 W pour un module de 512 Go contre 44,2 W au total pour quatre modules de 128 Go.

Pour les charges de travail limitées par la mémoire, comme l’analyse de données Spark basée sur les machines à vecteurs de support, Micron a déclaré que les RDIMM de 512 Go peuvent offrir jusqu’à 1,4 fois plus de performances que les configurations DDR5 de 256 Go. L’entreprise a également indiqué que le module apporte des avantages aux bases de données et plates‑formes de cache intensives en mémoire, notamment RocksDB et Redis, en citant une amélioration du débit, une concurrence accrue et une mise à l’échelle plus efficace des ensembles de données.

Micron a identifié la prolifération rapide des grands modèles de langage, de l’IA agentique, de l’inférence en temps réel et des charges de travail CPU à nombre élevé de cœurs comme moteurs de la demande croissante de capacité mémoire serveur supérieure, de bande passante accrue et d’efficacité énergétique améliorée. L’entreprise a indiqué que les modules répondent à ces exigences en permettant à des ensembles de données plus volumineux de rester résidents en mémoire principale, réduisant ainsi la dépendance aux niveaux de stockage plus lents et minimisant les déplacements de données coûteux.

Échantillonnage antérieur de 256 Go et plans de production

Micron a précédemment a annoncé le 12 mai 2026 qu’elle avait fourni un échantillon de RDIMM DDR5 de 256 Go aux acteurs de l’écosystème serveur pour la validation de la plate‑forme. Ce module repose sur la DRAM 1‑gamma de l’entreprise et utilise des puces mémoire empilées en 3D reliées par des vias traversant le silicium. Micron a indiqué qu’il est capable d’atteindre des vitesses allant jusqu’à 9 200 MT/s, chiffre que l’entreprise a décrit à l’époque comme étant plus de 40 % plus rapide que les modules en production de masse, sur la base d’une comparaison avec des produits fonctionnant à 6 400 MT/s. Micron a également déclaré qu’un seul module de 256 Go peut réduire la consommation d’énergie de plus de 40 % par rapport à deux modules de 128 Go.

Micron a indiqué qu’elle prévoit que les RDIMM de 512 Go seront en production de volume au cours du second semestre 2027, en adéquation avec les besoins des clients.