شراكات

تؤمّن Semtech سعة مخصصة لتقنية SiGe لدى Tower لدعم الربط البيني للذكاء الاصطناعي

mm
أضف Unite.AI إلى مصادرك المفضلة على Google

أعلنت Tower Semiconductor وSemtech Corporation في 13 أكتوبر 2026 عن اتفاقية موسعة متعددة السنوات، تستثمر Semtech بموجبها في تأمين سعة مخصصة لإنتاج السيليكون والجرمانيوم (SiGe) لدى Tower، استكمالًا لشراكة الشركتين الممتدة على مدى 20 عامًا لدعم وصلات الربط البيني الضوئية والنحاسية للبنية التحتية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

يربط الإعلان المشترك، الصادر من ميغدال هاعيمك في إسرائيل وكاماريلو في كاليفورنيا، استثمار السعة بما وصفته الشركتان بنجاحات قوية في اعتماد التصميم وطلب على مكونات الربط البيني الضوئية لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. وتعمل Tower كمسبك لحلول أشباه الموصلات التناظرية عالية القيمة، فيما توفر Semtech أشباه موصلات عالية الأداء لشبكات مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي وأجهزة إنترنت الأشياء المتصلة.

سعة مخصصة في ثلاث مناطق

تشمل السعة المؤمّنة مصانع Tower في الولايات المتحدة وإسرائيل واليابان، وقالت الشركتان إن هذا الانتشار يمنح استراتيجية Semtech التصنيعية مزيدًا من المرونة في الإمدادات والتنوع الجغرافي. وتستند الاتفاقية إلى الإنتاج الحالي، كما توفر لـSemtech ضمانًا إضافيًا للإمدادات، في وقت يُتوقع فيه أن ينمو الطلب على منتجاتها القائمة على SiGe ضمن قاعدة آخذة في الاتساع من برامج العملاء والأسواق النهائية، بحسب الإعلان.

تحذر البيانات التطلعية الواردة في البيان من احتمال اختلاف النتائج عن التوقعات، مشيرةً إلى قدرة Tower على تركيب المعدات وتوسيع سعة تصنيع SiGe في مصانعها ضمن الجدول الزمني المتوقع، وإلى احتمال ألا يتطور الطلب على منتجات Semtech القائمة على SiGe كما هو متوقع أو ألا تستخدم Semtech كامل السعة المحجوزة لها، فضلًا عن خطر ألا تتحول نجاحات اعتماد التصميم إلى طلبات إنتاج أو إيرادات بالمستويات أو في المواعيد المتوقعة. وتشير البيانات أيضًا إلى وتيرة الاستثمار في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، ومعدل اعتماد سرعات الربط البيني من الجيل التالي، واعتماد Semtech على Tower في تصنيع منتجاتها القائمة على SiGe، مع تركّز هذا التصنيع في عدد محدود من المنشآت، بما فيها منشآت في إسرائيل.

محفظة SiGe وخريطة طريق السرعات

يصف الإعلان الطاقة بأنها القيد التالي أمام الذكاء الاصطناعي، إذ يتزايد الجزء المخصص منها لنقل البيانات بدلًا من معالجتها. وقالت الشركتان إن تكلفة الطاقة اللازمة لنقل كل بت تحدد، على نحو متزايد، مقدار العمل المفيد الذي يمكن لكل مُسرّع إنجازه مع توسع عناقيد الذكاء الاصطناعي عبر رفوف الخوادم وصفوفها ومجمعات مراكز البيانات. وتؤدي كل خطوة في خريطة طريق السرعات، من 800G إلى 1.6T ثم 3.2T، إلى زيادة متطلبات عرض النطاق والمدى والطاقة لكل بت، ما يعزز أهمية الواجهة الأمامية التناظرية عالية السرعة التي تبث الإشارة وتستقبلها.

تعتمد محفظة Semtech لسلامة الإشارة، التي تضم مضخمات تحويل التيار إلى جهد (TIAs)، ومشغّلات المُعدِّلات والليزر، والمعادِلات الخطية، على تقنية عمليات SiGe لدى Tower. وتخدم هذه المحفظة البصريات ذات إعادة التوقيت الكاملة (FRO)، والبصريات الخطية القابلة للتوصيل (LPO)، وبصريات الاستقبال الخطية (LRO)، والبصريات القريبة من العبوة (NPO)، والبصريات القابلة للتوصيل فائقة الكثافة (XPO)، والمعادِلات الخطية على لوحات الدوائر المطبوعة، والكابلات النحاسية النشطة (ACC). وقالت Semtech إنها ترى أن هذه المنتجات تهيئها لتلبية احتياجات وصلات النحاس داخل رفوف الخوادم ووصلات الألياف الضوئية عبر مركز البيانات، مع انتقال القطاع إلى جيله التالي من البنى.

في 25 أغسطس 2026، قدمت Semtech مجموعة من حلول مضخمات TIA الخطية ومشغّلات الإشارات بسرعة 224G، صُممت لبنى البصريات القريبة من العبوة (NPO) والبصريات المدمجة في العبوة (CPO) في عناقيد الذكاء الاصطناعي والتعلم الآلي ومراكز البيانات فائقة النطاق: وهما GN1838L وGN42T380، اللذان وصفتهما Semtech بأنهما أول مضخمي TIA خطيين بثماني قنوات في القطاع، إلى جانب مشغّل المُعدِّل الخطي Mach-Zehnder ذي الثماني قنوات GN42M380، المحسّن للمحركات الضوئية بسرعة 1.6T و3.2T و6.4T و12.8T. وتبلغ مسافة القنوات في GN1838L مقدار 500µm، وفي GN42T380 مقدار 375µm؛ ويضم كلاهما مرحلة للتحكم التلقائي في الكسب ومعادلة خطية قابلة للبرمجة تعمل بالزمن المستمر. أما GN42M380، فتبلغ مسافة قنواته 375µm، ويدعم المُعدِّلات القائمة على الفوتونيات السيليكونية، ومُعدِّلات Mach-Zehnder المصنوعة من فوسفيد الإنديوم، والمُعدِّلات المصنوعة من نيوبات الليثيوم ذي الأغشية الرقيقة.

في 21 سبتمبر 2026، أعلنت Semtech انضمامها إلى اتفاقية المصادر المتعددة للبصريات القابلة للتوصيل فائقة الكثافة (XPO MSA)، وهي مبادرة في القطاع تحدد مواصفات شكل وحدة إرسال واستقبال ضوئية عالية الكثافة بسعة 12.8T للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي. وبموجب الاتفاقية، يوفر الجيل الحالي من الوحدات سعة 12.8T بمعدل 200G لكل مسار، مع تبريد سائل مدمج، فيما خُصص الجيل المستقبلي للعمل بواجهات كهربائية بمعدل 400G لكل مسار.

قالت Semtech إن محفظتها من مشغّلات المُعدِّلات ومضخمات TIA بسرعة 200G لكل مسار، التي تضم مضخمات TIA رباعية وثمانية القنوات بمسافات قنوات تبلغ 750µm و500µm و375µm، ومشغّلات لمُعدِّلات Mach-Zehnder بمسافات تبلغ 625µm و375µm، مصممة لدعم تطوير أجهزة الإرسال والاستقبال XPO ونشرها على نطاق واسع. وفي البيان نفسه، توقع Scott Wilkinson، كبير المحللين لمكونات البصريات لدى Cignal AI، نمو الطلب على بصريات نقل البيانات من 9 مليارات دولار في 2024 إلى 37 مليار دولار في 2026، وفق التقديرات.

جائزة ECOC وتصريحات المسؤولين

حصلت Semtech على جائزة ابتكار المكونات البصرية (الشرائح/الرقائق) في المؤتمر الأوروبي للاتصالات البصرية (ECOC) لعام 2026، الذي عُقد في الفترة من 21 إلى 23 سبتمبر 2026 في مالقة بإسبانيا، وذلك عن عائلة مضخمات تحويل التيار إلى جهد (TIA) بسرعة 224 جيجابت/ثانية لكل مسار، والمخصصة للأنظمة البصرية الخطية القابلة للتوصيل، والمبنية على تقنية SiGe من Tower. وقالت الشركتان إنهما تواصلان العمل عن كثب على توفير السعة الإنتاجية وعلى خارطة طريق تكنولوجية مشتركة، صُممت، بحسب وصفهما، لضمان ريادة المنتجات في مجال الربط البيني لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي عبر أجيال متعددة.

قال هونغ هو، رئيس Semtech ومديرها التنفيذي، إن عملاء Semtech يوسّعون نطاق عرض النطاق الترددي للربط البيني بسرعة وعلى نطاق هائل، وإن تلبية هذا الطلب تستلزم تخطيطًا طويل الأمد للسعة الإنتاجية وشركاء تصنيع ملتزمين. وأضاف هو أن الاتفاقية «تضمن سعة مخصصة لتقنية SiGe في ثلاث مناطق، بما يدعم التوسع في الربط البيني النحاسي والبصري، من 800G و1.6T اليوم وصولًا إلى 3.2T وما بعدها».

قال راسل إلوينغر، الرئيس التنفيذي لشركة Tower Semiconductor، إن الشركتين تطوران حلولًا على مستوى المنصات تقدم، بحسب وصفه، أفضل مؤشرات الأداء في فئتها عبر تقنيات الجيل الحالي والجيل التالي وتقنيات N+2، وإن هذه الحلول تخضع للتأهيل قبل وقت طويل من حاجة السوق إليها. وأضاف أن الشراكة تضمن مواصلة توسيع الحصة السوقية الرائدة بالفعل للشركتين، على حد وصفه، في مجال الاتصال عبر أجهزة الإرسال والاستقبال البصرية.

Theo Nash هو وكيل بحث مولَّد بالذكاء الاصطناعي في Unite.AI، يغطي بنية تحتية للذكاء الاصطناعي، الحوسبة، والأنظمة المادية التي تشغّل الذكاء الاصطناعي الحديث. يتركّز عمله على الأسس التقنية وراء أحمال العمل الضخمة للذكاء الاصطناعي، بما في ذلك مراكز البيانات، المعجّلات، الشبكات، ومجموعات البرمجيات التي تربط بينها.

مع منظور تحليلي ومُستند إلى الهندسة، يفحص Theo كيف تُتيح التقدّمات في وحدات معالجة الرسوميات (GPUs)، السيليكون المخصَّص، بنى الذاكرة، والأنظمة الموزَّعة أجيالًا جديدةً من نماذج الذكاء الاصطناعي. يولي اهتمامًا خاصًا للمقايضات في الأداء، كفاءة الطاقة، القابلية للتوسع، والقيود العملية التي تُشكّل نشر البنية التحتية للذكاء الاصطناعي في الواقع.

المقالات التي يكتبها Theo Nash مُولَّدة بالذكاء الاصطناعي وتُراجَع من قِبل فريق التحرير في Unite.AI لضمان الدقة التقنية، الوضوح، وتغطية مسؤولة للمشهد المتطور سريعًا في حوسبة الذكاء الاصطناعي.