Semtech sécurise auprès de Tower une capacité dédiée en SiGe pour les interconnexions d’IA

Tower Semiconductor et Semtech Corporation ont annoncé le 13 octobre 2026 la conclusion d’un accord pluriannuel élargi, aux termes duquel Semtech investira pour sécuriser une capacité dédiée en germanium-silicium (SiGe) chez Tower, dans le prolongement de leur partenariat de 20 ans visant à soutenir les interconnexions optiques et en cuivre des infrastructures de centres de données dédiés à l’IA.

L’annonce conjointe, datée de Migdal Haemek, en Israël, et de Camarillo, en Californie, lie cet investissement dans les capacités à ce que les entreprises décrivent comme de solides succès commerciaux en conception et une demande de composants d’interconnexion optique pour les centres de données dédiés à l’IA. Tower exerce son activité de fonderie de solutions analogiques à semi-conducteurs à forte valeur ajoutée, tandis que Semtech fournit des semi-conducteurs hautes performances pour les réseaux des centres de données dédiés à l’IA et les objets connectés de l’Internet des objets.

Des capacités dédiées dans trois régions

Les capacités sécurisées couvrent les usines de Tower aux États-Unis, en Israël et au Japon. Selon les entreprises, cette implantation renforce la résilience de l’approvisionnement et la diversification géographique de la stratégie de fabrication de Semtech. L’accord s’appuie sur la production actuelle et apporte à Semtech des garanties d’approvisionnement supplémentaires. D’après l’annonce, la demande pour ses produits à base de SiGe devrait croître dans un nombre grandissant de programmes clients et de marchés finaux.

Les énoncés prospectifs du communiqué avertissent que les résultats pourraient différer des prévisions. Ils évoquent la capacité de Tower à installer des équipements et à accroître ses capacités de fabrication de SiGe dans ses usines selon le calendrier prévu, la possibilité que la demande pour les produits de Semtech à base de SiGe n’évolue pas comme prévu ou que Semtech n’utilise pas pleinement les capacités qui lui sont réservées, ainsi que le risque que les succès commerciaux en conception ne se concrétisent pas par des commandes de production ou des revenus correspondant aux niveaux ou au calendrier prévus. Ces énoncés mentionnent également le rythme des investissements dans les centres de données dédiés à l’IA, celui de l’adoption des débits d’interconnexion de nouvelle génération et la dépendance de Semtech envers Tower pour la fabrication de ses produits à base de SiGe, cette fabrication étant concentrée dans un nombre limité d’installations, notamment en Israël.

Le portefeuille SiGe et la feuille de route des débits

L’annonce présente l’énergie comme le prochain facteur limitant de l’IA : une part croissante de cette énergie sert à déplacer les données plutôt qu’à les traiter. À mesure que les grappes d’IA s’étendent à plusieurs racks, rangées et campus, le coût énergétique du déplacement des données par bit détermine de plus en plus la quantité de travail utile que chaque accélérateur peut fournir, selon les entreprises. Chaque étape de la feuille de route des débits, de 800G à 1,6T puis à 3,2T, accroît les exigences en matière de bande passante, de portée et de consommation par bit, ce qui renforce l’importance de l’étage analogique haute vitesse en entrée qui transmet et reçoit le signal.

Le portefeuille de Semtech dédié à l’intégrité du signal, qui comprend des amplificateurs transimpédance (TIA), des pilotes de modulateurs et de lasers ainsi que des égaliseurs linéaires, repose sur la technologie de procédé SiGe de Tower. Il répond aux besoins des optiques à resynchronisation complète (FRO), des optiques enfichables linéaires (LPO), des optiques linéaires de réception (LRO), des optiques à proximité du boîtier (NPO), des optiques enfichables à très haute densité (XPO), des égaliseurs linéaires sur circuit imprimé et des câbles actifs en cuivre (ACC). Semtech estime que ces produits lui permettent de répondre aux besoins en liaisons en cuivre à l’intérieur des racks et en liaisons optiques à travers les centres de données, à mesure que le secteur passe à la prochaine génération d’architectures.

Le 25 août 2026, Semtech a présenté une gamme de solutions TIA linéaires et de pilotes 224G conçues pour les architectures NPO et d’optiques co-intégrées (CPO) au sein des grappes d’apprentissage automatique et d’IA, ainsi que des centres de données hyperscale : les GN1838L et GN42T380, que Semtech a décrits comme les premiers TIA linéaires octaux du secteur, et le pilote linéaire octal de modulateur Mach-Zehnder GN42M380, optimisé pour les moteurs optiques 1,6T, 3,2T, 6,4T et 12,8T. Le GN1838L présente un pas de canal de 500 µm et le GN42T380, un pas de 375 µm ; tous deux intègrent un étage de contrôle automatique du gain et une égalisation linéaire à temps continu programmable. Le GN42M380, avec un pas de canal de 375 µm, prend en charge les modulateurs à photonique sur silicium, les modulateurs Mach-Zehnder en phosphure d’indium et les modulateurs en niobate de lithium à couche mince.

Le 21 septembre 2026, Semtech a annoncé son adhésion à l’accord multipartite sur les optiques enfichables à très haute densité (XPO MSA), une initiative sectorielle qui définit un format de module émetteur-récepteur optique haute densité de 12,8T pour les infrastructures d’IA. Dans le cadre de l’accord, la génération actuelle de modules fournit 12,8T à 200G par voie avec refroidissement liquide intégré, tandis qu’une future génération est prévue pour des interfaces électriques à 400G par voie.

Semtech a indiqué que son portefeuille de pilotes de modulateur et de TIA à 200G par voie, qui comprend des TIA quadruples et octaux avec des pas de canal de 750 µm, 500 µm et 375 µm, ainsi que des pilotes de modulateur Mach-Zehnder avec des pas de 625 µm et 375 µm, est conçu pour prendre en charge le développement et le déploiement à grande échelle d’émetteurs-récepteurs XPO. Dans le même communiqué, Scott Wilkinson, analyste principal des composants optiques chez Cignal AI, a prévu que la demande d’optiques pour les communications de données passerait de 9 milliards de dollars en 2024 à un montant estimé à 37 milliards de dollars en 2026.

Distinction à l’ECOC et déclarations des dirigeants

Semtech a reçu le prix de l’innovation en composants optiques (puce/wafer) lors de l’European Conference on Optical Communication (ECOC) 2026, qui s’est tenue du 21 au 23 septembre 2026 à Málaga, en Espagne, pour sa gamme de TIA à 224 Gbit/s par voie destinée aux optiques enfichables linéaires et reposant sur la technologie SiGe de Tower. Les entreprises ont déclaré poursuivre leur étroite collaboration sur les capacités de production et sur une feuille de route technologique commune, conçue, selon elles, pour assurer leur leadership produit dans les interconnexions de centres de données dédiées à l’IA, sur plusieurs générations.

Hong Hou, président-directeur général de Semtech, a déclaré que les clients de l’entreprise augmentaient rapidement et à très grande échelle la bande passante des interconnexions, et que répondre à cette demande exigeait une planification des capacités à long terme ainsi que des partenaires de fabrication engagés. Selon Hou, l’accord « garantit des capacités SiGe dédiées dans trois régions afin de développer les interconnexions en cuivre et optiques, des technologies 800G et 1.6T d’aujourd’hui à la 3.2T et au-delà ».

Russell Ellwanger, président-directeur général de Tower Semiconductor, a déclaré que les entreprises développaient des solutions au niveau des plateformes offrant, selon lui, des indicateurs de performance parmi les meilleurs du secteur pour les technologies actuelles, de prochaine génération et N+2, et que ces solutions étaient qualifiées bien avant que le marché en ait besoin. Il a indiqué que le partenariat assurait la croissance continue de ce qu’il a décrit comme la part de marché déjà dominante des entreprises dans le domaine de la connectivité des émetteurs-récepteurs optiques.